214 dimm configuration warning что это: Attention Required! | Cloudflare

Блокировки защиты), Файла), Ошибок (ecc) при чтении диска)

93 страницы подробных инструкций и пользовательских руководств по эксплуатации

Блокировки защиты), Файла), Ошибок (ecc) при чтении диска)91Controller has failed (сбой контроллера), Data error (ошибка данных), Diskette read failure (ошибка чтения дискеты)92Gate a20 failure (сбой линии a20), General failure (общий отказ), Hard-disk drive failure (сбой жесткого диска)93Keyboard failure (сбой клавиатуры), Памяти, вставьте модуль памяти в слот dimm1), Значение)94Ожидаемое, Значение), Значение, ожидаемое значение)95Клавиши)96Read fault (ошибка чтения), Reset failed (ошибка сброса), Подключаемых устройств)97Sector not found (сектор не найден), Seek error (ошибка подвода головки), Shutdown failure (сбой завершения работы системы)98Write fault (ошибка записи), Режиме), Рабочие99Не готово)100

23:37

Dell Optiplex 990 Gaming Upgrade Video Card SSD RAM CPU

02:37

Dell OptiPlex 990 Slim Desktop Preview A class Refurbished

02:08

6D7TR Dell Optiplex 990 06D7TR Motherboard

09:39

DELL Optiplex 990 Desktop

19:11

Dell Optiplex 990 BIOS update from A05 to A19

09:44

Dell Optiplex 990 Teardown

01:01

Dell OptiPlex 990 desktop

11:31

Dell Optiplex 990 Office PC to Capable Gaming PC Upgrade + Benchmarks

Alert! Previous attempts at booting this system have failed at

checkpoint [nnnn]. For help in resolving this problem, please note

this checkpoint and contact Dell Technical Support. (Внимание!

Во

время предыдущих попыток загрузки системы

происходил

сбой в контрольной точке [nnnn]. Для

устранения

этой неполадки запишите код этой

контрольной

точки и обратитесь в службу технической

поддержки

компании Dell)

Описание По

какой-то причине компьютер не смог завершить процедуру

загрузки

три раза подряд. Обратитесь в компанию Dell и сообщите

код

контрольной точки (nnnn) специалисту службы поддержки

Alert! Security override Jumper is installed. (Внимание!

Установлена

перемычка блокировки защиты)

Описание Установлена

перемычка MFG_MODE и функции управления AMT

отключены

, пока она не снята.

Attachment failed to respond (Устройство не отвечает)

Описание Контроллер

дисковода гибких дисков или жесткого диска не может

посылать

данные на подсоединенное устройство.

Bad command or file name (Неправильная команда или

неправильное

имя файла)

Описание Проверьте

правильность написания команды, расстановки пробелов,

а

также правильность указанного пути к файлу.

Bad error-correction code (ECC) on disk read (Неправильный

код

корректировки ошибок (ECC) при чтении диска)

Описание Контроллер

дисковода гибких дисков или жесткого диска обнаружил

неустранимую

ошибку чтения.

91

• Содержание
• Примечания, предупреждения и предостережения
• Работа с компьютером
• Крышка
• Лицевая панель
• Платы
• Оптический дисковод
• Жесткий диск
• Оперативная память
• Детектор вскрытия корпуса
• Динамик
• Радиатор
• Батарейка типа «таблетка»
• Кабель выключателя питания
• Передний температурный датчик
• Вентилятор корпуса
• Панель ввода-вывода
• Блок питания
• Системная плата
• Температурный датчик блока питания
• Программа настройки системы
• Поиск и устранение неисправностей
  • Диагностические светодиодные индикаторы
  • Звуковые сигналы
  • Сообщения об ошибках
    • Address mark not found (Адресная метка не найдена)
    • Alert! Previous attempts at booting this system have failed at checkpoint [nnnn]. For help in resolving this problem, please note this checkpoint and contact Dell Technical Support. (Внимание! Во время предыдущих попыток загрузки системы происходил сбой в контрольной точке [nnnn]. Для устранения этой неполадки запишите код этой контрольной точки и обратитесь в службу технической поддержки компании Dell)
    • Alert! Security override Jumper is installed. (Внимание! Установлена перемычка блокировки защиты)
    • Attachment failed to respond (Устройство не отвечает)
    • Bad command or file name (Неправильная команда или неправильное имя файла)
    • Bad error-correction code (ECC) on disk read (Неправильный код корректировки ошибок (ECC) при чтении диска)
    • Controller has failed (Сбой контроллера)
    • Data error (Ошибка данных)
    • Decreasing available memory (Уменьшение доступного объема памяти)
    • Diskette drive 0 seek failure (Ошибка поиска дисковода гибких дисков 0)
    • Diskette read failure (Ошибка чтения дискеты)
    • Diskette subsystem reset failed (Не удался сброс подсистемы дискеты)
    • Gate A20 failure (Сбой линии A20)
    • General failure (Общий отказ)
    • Hard-disk drive configuration error (Ошибка конфигурации жесткого диска)
    • Hard-disk drive controller failure (Сбой контроллера жесткого диска)
    • Hard-disk drive failure (Сбой жесткого диска)
    • Hard-disk drive read failure (Ошибка чтения жесткого диска).
    • Invalid configuration information-please run SETUP program (Неверная информация о конфигурации. Запустите программу настройки системы)
    • Invalid Memory configuration, please populate DIMM1 (Неверная конфигурация памяти, вставьте модуль памяти в слот DIMM1)
    • Keyboard failure (Сбой клавиатуры)
    • Memory address line failure at address, read value expecting value (Ошибка адресной линии памяти по адресу, читаемое значение, ожидаемое значение)
    • Memory allocation error (Ошибка распределения памяти)
    • Memory data line failure at address, read value expecting value (Ошибка линии данных оперативной памяти по адресу, читаемое значение, ожидаемое значение)
    • Memory double word logic failure at address, read value expecting value (Ошибка логики двойного слова в оперативной памяти по адресу, читаемое значение, ожидаемое значение)
    • Memory odd/even logic failure at address, read value expecting value (Ошибка логики четности-нечетности по адресу, читаемое значение, ожидаемое значение)
    • Memory write/read failure at address, read value expecting value (Ошибка записи/чтения по адресу, читаемое значение, ожидаемое значение)
    • Memory size in CMOS invalid (Ошибочный объем памяти в КМОП-схеме)
    • Memory tests terminated by keystroke (Тесты памяти прекращены нажатием клавиши)
    • No boot device available (Нет загрузочных устройств)
    • No boot sector on hard-disk drive (На жестком диске отсутствует сектор загрузки)
    • No timer tick interrupt (Отсутствует прерывание от таймера)
    • Non-system disk or disk error (Несистемный диск или ошибка диска)
    • Not a boot diskette (Дискета не является загрузочной)
    • Plug and play configuration error (Ошибка автоматического конфигурирования подключаемых устройств)
    • Read fault (Ошибка чтения)
    • Requested sector not found (Запрошенный сектор не найден)
    • Reset failed (Ошибка сброса)
    • Sector not found (Сектор не найден)
    • Seek error (Ошибка подвода головки)
    • Shutdown failure (Сбой завершения работы системы)
    • Time-of-day clock stopped (Остановка часов истинного времени)
    • Time-of-day not set-please run the System Setup program (Время и дата не установлены. Запустите программу настройки системы)
    • Timer chip counter 2 failed (Ошибка счетчика 2 микросхемы таймера)
    • Unexpected interrupt in protected mode (Неожиданное прерывание в защищенном режиме)
    • WARNING: Dell’s Disk Monitoring System has detected that drive [0/1] on the [primary/secondary] EIDE controller is operating outside of normal specifications. It is advisable to immediately back up your data and replace your hard drive by calling your support desk or Dell. (ОСТОРОЖНО! Системой контроля состояния диска компьютера Dell обнаружено, что рабочие характеристики диска [0/1] на [основном/втором] контроллере EIDE выходят за пределы нормальных значений. Рекомендуется незамедлительно выполнить резервное копирование данных и заменить жесткий диск, обратившись в службу технической поддержки или в компанию Dell.)
    • Write fault (Ошибка записи)
    • Write fault on selected drive (Сбой записи на выбранное устройство)
    • X:\ is not accessible. The device is not ready (Диск x:\ недоступен. Устройство не готово)
• Технические характеристики
• Обращение в компанию Dell

Controller has failed (сбой контроллера), Data error (ошибка данных), Diskette read failure (ошибка чтения дискеты)

Controller has failed ( сбой контроллера ), Data error ( ошибка данных ), Diskette read failure ( ошибка чтения дискеты )

Controller has failed (Сбой контроллера)

Описание

Неисправен

жесткий диск или соответствующий контроллер.

Data error (Ошибка данных)

Описание Дисковод

гибких дисков или жесткий диск не может считать данные.

В

операционной системе Windows запустите утилиту chkdsk и

проверьте

файловую структуру дискеты или жесткого диска. В

других

операционных системах запустите соответствующую

утилиту

.

Decreasing available memory (Уменьшение доступного

объема

памяти)

Описание Возможно

, неисправны или неправильно установлены один или

несколько

модулей памяти. Переустановите модули памяти или

замените

их, если это необходимо.

Diskette drive 0 seek failure (Ошибка поиска дисковода

гибких

дисков 0)

Описание Возможно

, отсоединился кабель или информация о конфигурации

компьютера

не соответствует аппаратной конфигурации.

Diskette read failure (Ошибка чтения дискеты)

Описание Возможно

, неисправна дискета или отсоединился кабель. Если

индикатор

доступа к устройству светится, попробуйте другую

дискету

.

92

Gate a20 failure (сбой линии a20), General failure (общий отказ), Hard-disk drive failure (сбой жесткого диска)

Gate a20 failure ( сбой линии a20), General failure ( общий отказ ), Hard-disk drive failure ( сбой жесткого диска )

Diskette subsystem reset failed (Не удался сброс подсистемы

дискеты

)

Описание

Возможно

, неисправен контроллер дисковода гибких дисков.

Gate A20 failure (Сбой линии A20)

Описание Возможно

, неисправны или неправильно установлены один или

несколько

модулей памяти. Переустановите модули памяти или

замените

их, если это необходимо.

General failure (Общий отказ)

Описание Операционной

системе не удается выполнить команду. Это

сообщение

обычно конкретизируется, например: Printer out of paper

(В принтере нет бумаги). Действуйте в зависимости от ситуации.

Hard-disk drive configuration error (Ошибка конфигурации

жесткого

диска)

Описание

Не

удалось инициализировать жесткий диск.

Hard-disk drive controller failure (Сбой контроллера жесткого

диска

)

Описание

Не

удалось инициализировать жесткий диск.

Hard-disk drive failure (Сбой жесткого диска)

Описание

Не

удалось инициализировать жесткий диск.

93

Keyboard failure (сбой клавиатуры), Памяти, вставьте модуль памяти в слот dimm1), Значение)

Keyboard failure ( сбой клавиатуры )

Hard-disk drive read failure (Ошибка чтения жесткого диска).

Описание

Не

удалось инициализировать жесткий диск.

Invalid configuration information-please run SETUP program

(Неверная информация о конфигурации. Запустите

программу

настройки системы)

Описание Информация

о конфигурации компьютера не соответствует реальной

конфигурации

аппаратных средств.

Invalid Memory configuration, please populate DIMM1

(Неверная конфигурация памяти, вставьте модуль памяти

в

слот DIMM1)

Описание Не

удается распознать модуль памяти в слоте DIMM1. Следует

переустановить

или установить модуль.

Keyboard failure (Сбой клавиатуры)

Описание Возможно

, отсоединился кабель или разъем, или неисправен

контроллер

клавиатуры или клавиатуры/мыши.

Memory address line failure at address, read value expecting

value (Ошибка адресной линии памяти по адресу, читаемое

значение

, ожидаемое значение)

Описание Возможно

, неисправен или неправильно установлен модуль памяти.

Переустановите

модули памяти или замените их, если это

необходимо

.

94

Ожидаемое, Значение), Значение, ожидаемое значение)

Страница 95

Memory allocation error (Ошибка распределения памяти)

Описание Запускаемая

программа конфликтует с операционной системой,

другой

программой или утилитой.

Memory data line failure at address, read value expecting value

(Ошибка линии данных оперативной памяти по адресу,

читаемое

значение, ожидаемое значение)

Описание Возможно

, неисправен или неправильно установлен модуль памяти.

Переустановите

модули памяти или замените их, если это

необходимо

.

Memory double word logic failure at address, read value

expecting value (Ошибка логики двойного слова в

оперативной

памяти по адресу, читаемое значение,

ожидаемое

значение)

Описание Возможно

, неисправен или неправильно установлен модуль памяти.

Переустановите

модули памяти или замените их, если это

необходимо

.

Memory odd/even logic failure at address, read value expecting

value (Ошибка логики четности—нечетности по адресу,

читаемое

значение, ожидаемое значение)

Описание Возможно

, неисправен или неправильно установлен модуль памяти.

Переустановите

модули памяти или замените их, если это

необходимо

.

95

Клавиши)

Страница 96

Memory write/read failure at address, read value expecting value

(Ошибка записи/чтения по адресу, читаемое значение,

ожидаемое

значение)

Описание Возможно

, неисправен или неправильно установлен модуль памяти.

Переустановите

модули памяти или замените их, если это

необходимо

.

Memory size in CMOS invalid (Ошибочный объем памяти в

КМОП

—схеме)

Описание Объем

оперативной памяти, записанный в данных о конфигурации

компьютера

, не соответствует памяти, установленной в компьютере.

Memory tests terminated by keystroke (Тесты памяти

прекращены

нажатием клавиши)

Описание

Тестирование

памяти прервано нажатием клавиши.

No boot device available (Нет загрузочных устройств)

Описание Компьютеру

не удается обнаружить дискету или жесткий диск.

No boot sector on hard-disk drive (На жестком диске

отсутствует

сектор загрузки)

Описание Возможно

, в программе настройки системы указана ошибочная

информация

.

No timer tick interrupt (Отсутствует прерывание от таймера)

Описание

Возможно

, неисправна микросхема на системной плате.

96

Read fault (ошибка чтения), Reset failed (ошибка сброса), Подключаемых устройств)

Read fault ( ошибка чтения ), Reset failed ( ошибка сброса )

Non-system disk or disk error (Несистемный диск или ошибка

диска

)

Описание На

дискете в дисководе A: отсутствует операционная система,

которую

можно было бы загрузить. Вставьте дискету с загрузочной

операционной

системой или выньте дискету из дисковода A: и

перезагрузите

компьютер.

Not a boot diskette (Дискета не является загрузочной)

Описание Дискета

, с которого вы пытаетесь загрузить операционную систему,

не

является загрузочной. Вставьте загрузочную дискету.

Plug and play configuration error (Ошибка автоматического

конфигурирования

подключаемых устройств)

Описание Ошибка

в процессе конфигурирования одной или нескольких плат.

Read fault (Ошибка чтения)

Описание Операционной

системе не удается прочитать данные с дискеты или

жесткого

диска, компьютер не может найти определенный сектор на

диске

или запрошенный сектор поврежден.

Requested sector not found (Запрошенный сектор не найден)

Описание Операционной

системе не удается прочитать данные с дискеты или

жесткого

диска, компьютер не может найти определенный сектор на

диске

или запрошенный сектор поврежден.

Reset failed (Ошибка сброса)

Описание

Ошибка

при выполнении операции сброса диска.

97

Sector not found (сектор не найден), Seek error (ошибка подвода головки), Shutdown failure (сбой завершения работы системы)

Запустите программу настройки системы), Sector not found ( сектор не найден ), Seek error ( ошибка подвода головки )

Sector not found (Сектор не найден)

Описание Операционная

система не находит один из секторов на дискете или

жестком

диске.

Seek error (Ошибка подвода головки)

Описание Операционная

система не находит заданную дорожку на дискете или

жестком

диске.

Shutdown failure (Сбой завершения работы системы)

Описание

Возможно

, неисправна микросхема на системной плате.

Time-of-day clock stopped (Остановка часов истинного

времени

)

Описание

Возможно

, вышла из строя батарейка.

Time-of-day not set-please run the System Setup program (Время

и

дата не установлены. Запустите программу настройки

системы

)

Описание Информация

о дате и времени, записанная в программе настройки

системы

, не соответствует системным часам.

Timer chip counter 2 failed (Ошибка счетчика 2 микросхемы

таймера

)

Описание

Возможно

, неисправна микросхема на системной плате.

98

Write fault (ошибка записи), Режиме), Рабочие

Выполнить резервное копирование данных и заменить, Жесткий, Компанию, Dell.), Write fault ( ошибка записи )

Unexpected interrupt in protected mode (Неожиданное

прерывание

в защищенном режиме)

Описание Возможно

, неисправен контроллер клавиатуры или плохо вставлен

модуль

памяти.

WARNING: Dell’s Disk Monitoring System has detected that drive

[0/1] on the [primary/secondary] EIDE controller is operating

outside of normal specifications. It is advisable to immediately

back up your data and replace your hard drive by calling your

support desk or Dell. (ОСТОРОЖНО! Системой контроля

состояния

диска компьютера Dell обнаружено, что рабочие

характеристики

диска [0/1] на [основном/втором]

контроллере

EIDE выходят за пределы нормальных

значений

. Рекомендуется незамедлительно выполнить

резервное

копирование данных и заменить жесткий диск,

обратившись

в службу технической поддержки или в

компанию

Dell.)

Описание Во

время начальной загрузки обнаружены возможные ошибки диска.

После

завершения загрузки компьютера сразу же выполните

резервное

копирование данных и замените жесткий диск (порядок

установки

см. в разделе «Установка и удаление компонентов

компьютера

» для соответствующего типа компьютера). Если сразу же

заменить

диск нечем и он не является единственным загрузочным

диском

, войдите в программу настройки системы и измените

соответствующие

настройки этого диска на None (Нет). Затем выньте

диск

из компьютера.

Write fault (Ошибка записи)

Описание Операционная

система не может записать данные на дискету или

жесткий

диск.

99

Не готово)

Страница 100

Write fault on selected drive (Сбой записи на выбранное

устройство

)

Описание Операционная

система не может записать данные на дискету или

жесткий

диск.

X:\ is not accessible. The device is not ready (Диск x:\

недоступен

. Устройство не готово)

Описание Дисковод

гибких дисков не может выполнить чтение с дискеты.

Вставьте

дискету в дисковод и повторите попытку.

100

Выделить → Я нашёл инструкцию для своего компьютера здесь! #manualza

Registered DIMM: основные моменты

Как известно, одним из самых главных требований к модулю памяти (впрочем, как и к любому другому устройству) является максимальная отказоустойчивость — стабильное функционирование без сбоев и ошибок в течение как можно большего непрерывного промежутка времени. Модули памяти класса PC Registered DIMM разработаны специально для обеспечения максимальной отказоустойчивости подсистемы памяти. Кроме этого они предоставляют два отдельных режима функционирования, оптимизации доступа к микросхемам памяти и выполнения операций, речь о которых пойдет далее.

Вся последующая информация, касающаяся топологии печатной платы (PCB — Printed Circuit Board), а также рекомендаций и требований по разводке PCB, является базовой и может быть применена при рассмотрении не только конкретных типов модулей памяти, а и любых периферийных устройств, работающих на больших частотах — общая разница минимальна. Отличия во временных параметрах, отдельных монтируемых компонентах (типа специфических микросхем), используемых конкретных топологических схемах и геометрии сигнальных линий исключительно численные и зависят от типа устройства и схемы согласования, применяемых в данных модулях памяти.

В настоящей статье довольно подробно описаны как основные отличительные особенности модулей памяти типа Registered DIMM, так и требования к разводке сигнальных трасс на печатной плате, включая узкоспециализированную информацию о монтируемых компонентах, которая может быть полезна для более детального ознакомления со спецификацией. Кажущуюся на первый взгляд слишком специфической информацию просто необходимо дать, чтобы (по мере возможности) отпали многочисленные возникающие вопросы о нестабильности работы как модулей памяти в целом, так и вообще устройств. Важно, чтобы читатель понял сложность разработки и реализации конечных продуктов такого уровня, как описываемые далее модули Registered DIMM, что поможет сузить в некоторых случаях круг поиска либо необходимого оборудования, либо причины возможных проблем неисправности или нестабильного функционирования. Таким образом, данный материал, думается, будет интересен самым широким слоям пользователей: либо уже столкнувшимся с определенными проблемами, либо желающим разобраться (на абсолютно разном уровне) и узнать больше об описываемых ниже модулях памяти, либо для тех, кто еще не остановил свой выбор на необходимом продукте данного класса и занимается постоянным поиском.SDRAM Registered DIMM, как концепция Registered DIMM

Модули 168pin, 3.3V, 72bit ECC SDRAM Registered DIMM (в дальнейшем SDRAM Registered DIMM, поскольку схема ECC принята за своего рода стандарт де-факто в данных модулях) в отличие от обычных обычных SDRAM DIMM имеют усовершенствованный механизм функционирования, обеспечивающий их гарантированную работу на частоте 100 MГц. Сама спецификация РС100 разработана именно для производства памяти, работающей на частоте 100 MГц, и использует технологию, применяющуюся при производстве пакетно-конвейерной кэш-памяти, что дает возможность уменьшить время запроса/вывода данных на шине с 10 нс до 8 нс, т.е. даже меньше, чем длительность периода тактовой частоты 100 MГц шины (t_CK=10 нс).

Технология производства модулей Registered DIMM предполагает:

• высокую точность импеданса (полного сопротивления) сигнальных трасс на печатной плате
• скрупулезное выполнение всех предписаний данной спецификации по отношению ко всем элементам цифрового тракта передачи данных
• жесткое выполнение программы проверки «встречных» системных таймингов (временных параметров)
• целостность сигнала (Signal Integrity) для поддержки 66/100 MГц коммутаций
• переход на сигнальный протокол SSTL_3 (однако, в большинстве случаев используется обычная низковольтная транзисторно-транзисторная логика — LVTTL)

Геометрия печатной платы Registered DIMM полностью соответствует требованиям, предъявляемым в рамках стандарта ANSI Y14.5M-1994, который сертифицирован для стандартных модулей класса Unbuffered/Buffered SDRAM DIMM.

Схемотехнически модуль SDRAM Registered DIMM, кроме микросхем памяти и, обязательно, микросхемы последовательного детектирования (SPD — Serial Presence Detect), содержит и другие компоненты. Во-первых, это 18 бит 1:1 микросхемы-регистры (Register) типа 16835 или 162835 (с внутренними демпфирующими резисторами, сглаживающими «выбросы», обуславливаемые влияниями паразитных емкостей и индуктивностей, — Internal Damping Resistor), обеспечивающих страничную организацию памяти. Во-вторых — микросхема PLL (Phase Locked Loop) типа 2509 (1:9) и 2510 (1:10) фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) с обратной связью (автоматическая регулировка) для задания и точного удержания необходимого значения частоты. Некоторые конфигурации позволяют не использовать микросхему ФАПЧ — Non PLL Implementation. Микросхемы серии Register 16835/162836 и PLL 2509/2510 рекомендуются к применению, однако могут заменяться на эквивалентные.

Микросхемы-регистры играют роль транзитных буферов, перераспределяя адреса, и применяются для трансляции команд с их последующей передачей в микросхему памяти с задержкой в 1 такт. Тем не менее, данное +1T пенальти обычно включается в общий цикл ожидания контроллера памяти, обслуживающего Registered DIMM, поэтому в конечном итоге не выполняется никаких фаз дополнительно вводимой задержки. Микросхема PLL значительно уменьшает нагрузку на систему синхронизации, а устройства Register — на командно-адресные сигнальные линии, что в результате позволяет использовать до 36 микросхем памяти на полную физическую строку (две физические строки или полный банк). Стандартно, микросхемы SDRAM имеют параллельную схему включения, что суммарно увеличивает потребляемый ток всеми устройствами, кроме чего не имеют возможности самоуправления (отключения) командно-адресного интерфейса. Буферные регистры наоборот обладают интерфейсом отключения входов, поэтому в состоянии деактивации ток утечки отсутствует.

Полная спецификация на модули SDRAM Registered DIMM указана в документах JESD21-C-4.5.7 и JESD JC-40, и все требования, описанные в рамках этих технических документов, должны строго выполняться сторонними разработчиками. Схемотехнические модификации не запрещаются, однако требуют жесткого согласования с требованиями, определяемыми рамками стандартов в части, касающейся сигнального интерфейса для выполнения обязательной тайминговой программы поддержки коммутаций 66/100 MГц (два специфических режима функционирования модулей Registered DIMM). После введения некоторых модификаций по оптимизации нагрузок на основные линии или маршрута прохождения сигнала (трассировка), разработанная схема должна подвергнуться тщательному анализу на специальных симуляторах и пройти лабораторные проверки по обеспечению выполнения основных требований касательно целостности сигнала и дальнейшего гарантированного четкого функционирования.

Конфигураций (модификаций) модулей памяти SDRAM Registered DIMM, описываемых в рамках упоминавшихся ранее стандартов, в виду специфичности применения существует довольно мало. Они характеризуются четкой схемой использования компонентов, что сказывается на общем объеме модуля памяти (несколько модификаций модулей объема 64, 128, 256, 512 и 1024 Mбайт) и нагрузке на основные сигнальные линии. Количество строк (# Rows of SDRAM) определяет нагрузку на линию RAS# и прямо указывает количество физических банков (1 или 2), занимаемых одним модулем в системе. Количество логических банков (# Banks in SDRAM) определяет архитектуру используемой микросхемы памяти и характеризует количество внутренних банков (в микросхемах SDRAM они «независимы» — используют собственные для каждого банка усилители, формирователи сигналов и другую логику), определяющих количество массивов ячеек и объем памяти микросхемы.

Цоколевка модуля SDRAM Registered DIMM предусматривает некоторые отличия от обычных модулей SDRAM DIMM, соответствующих спецификации JEDEC JC-42.5-98-164, 168pin 3.3V, 64bit Unbuffered SDRAM DIMM Item 688.2A, 16.02.1998, заключающихся в добавлении одиннадцати новых сигналов: линий CB[7:0] контроля коррекции ошибки (ECC), вывода смены режима работы модуля (REGE) и двух линий подачи опорного напряжения (V_REF) вместо неприсоединенных (NC — Not Connect) или неиспользуемых (NU — Not Used) выводов .

Идентификация модуля системой происходит, как обычно, при помощи схемы последовательного детектирования (SPD), оговоренной в рамках JESD21C-4.1-R91. Ключевыми моментами в карте программирования EEPROM для корректного распознавания модуля SDRAM Registered DIMM и его функционирования являются байты: 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 11, 13, 14, 21, 126 и 127 (см. пример карты программирования).

Рассмотрим подробнее особенности функционирования в системе модуля. Схема синхронизации SDRAM Registered DIMM выглядит следующим образом. От внешнего системного тактового генератора (CK97/CK98 или его эквивалента) синхросигналы поступают непосредственно на микросхему ФАПЧ, имеющую петлю обратной связи (с емкостью в цепи ОС для уменьшения фазовых ошибок) для подавления возможной девиации входящего тактового сигнала. Микросхема PLL коммутирует тактовые сигналы отдельно для микросхем SDRAM и Register с умышленным перекосом в 250 пс для обеспечения поступления большего количества адресов и увеличения длительности подготовки контрольных сигналов через микросхему Register на микросхемы SDRAM. Дополнительный перекос синхросигналов на микросхемы SDRAM и Register (±50 пс) обусловлен разностью длин сигнальных трасс к данным микросхемам на PCB. Фазовое отношение между системным синхросигналом и входным тактовым сигналом ФАПЧ является системозависимым. Кроме этого, вводится умышленный перекос 2.14 нс (±0.41нс) на тактовом входе (PCLKIN) контроллеров памяти базовых логик (например, FW82443BX или FW82443GX) от системного тактового синтезатора для совместимости с сигнальным протоколом PC100 SDRAM Unbuffered DIMM, согласно JESD21C-4.5.4-R9, чтобы была возможность использования в системе «разноплановых» модулей памяти.

Поэтому, протокол синхросигналов SDRAM Registered DIMM одной тактовой частоты и линией опорного напряжения (V_REF = 1.4V) выглядит следующим образом. После коммутации, синхросигнал появляется на микросхемах Register, затем, после задержки в 250 пс, синхросигналы от системного тактового генератора появляются одновременно (с сигналом с PLL) на DIMM и входах микросхем SDRAM, а еще через 2140 пс синхросигнал появляется на входе контроллера памяти базовой логики. Здесь нужно учесть, что для тактовых сигналов системы (вход PCLKIN), микросхем SDRAM, Register и PLL опорным является передний фронт импульса синхросигнала на входе микросхемы ФАПЧ. Все умышленные задержки и выравнивание фазы контролируются емкостями и/или длинами сигнальных трасс.

Сигнал REGE подается на микросхему Register совместно с напряжением VDD через резистивную развязку и инвертирующий элемент. Именно этот сигнал и определяет один из двух режимов функционирования модуля: режим Buffered работает только при 15 нс тактовом импульсе (66.67 MГц), а режим Registered — только при частоте шины 100 MГц (10 нс период).

Умышленно вводимый запас времени (Margin) для режима Buffered получается из тайминговых параметров режима Registered. Для полностью завершенных систем с высоким уровнем анализа таймингов, разработчик должен складывать/вычитать с/из этим запасом времени другие параметры. К последним относятся: время распространения сигнала от контроллера памяти до разъема DIMM (t_SF — System to DIMM Flight Time), перекос сигнала (Clock Skew), случайные выбросы (Clock Jitter), синхронизация внешнего регистра с задержкой на выходе (External Register Clock to Output Delay) и т.д. Тайминги в режиме Registered крайне критичны, а в режиме Buffered представляются на основе анализа таймингов режима Registered.

Схемотехника модулей SDRAM Registered DIMM основывается на обычной схеме построения ECC-модулей (72bit), одно- и двухстрочной организации, и предусматривает использование х4 (иногда х8, но ограничения по нагрузке на линиях DQ[63:0], DQMB[7:0], WE# и S[3:0]# должны быть рассчитаны дополнительно) микросхем SDRAM, полностью отвечающих стандарту РС100, прошедших тестирование в специальных условия.

Компоненты (микросхемы памяти, PLL и микросхемы-регистры) монтируются с одной (Single Side) и с двух сторон (Double Side) печатной платы, позиционируясь друг относительно друга, исходя из требований, предъявляемых к распределению монтажных мест и разводке трасс. Емкостные и резистивные развязки для микросхем SDRAM должны монтироваться в непосредственной близости от энергетических выводов — один из способов уменьшения влияния дифференциальной формы ЭМИ (электромагнитной интерференции), возникающей вокруг сигнальных трасс в виде токовых петель. Двухрядная, двухсторонняя организация модулей, называемая Stacked, схемотехнически реализуется или планарно в два ряда, или использует накладной монтаж микросхем памяти друг на друга (IC-Tower), имеющих специальную цоколевку для конфигураций высокой плотностью расположения (Stacked SDRAM). Схема Stacked DIMM предполагает размещение на одном модуле 36 микросхем памяти, что при общей 64bit (+8 bit ECC) шине данных возможно только при использовании микросхем памяти организации х4, занимает две физические строки (полный банк) и определяет максимальную нагрузку на линии DQ[63:0], DQMB[7:0], WE# и S[3:0]#. В этом случае сигналы выбора кристалла CS#[1:0] и разрешения синхронизации CKE[1:0] имеют коммутируемые назначения: первая копия этих сигналов (CS0# и CKE0) управляет нижним рядом, а вторая (CS1# и CKE1) — верхним.

Сигнальный интерфейс модулей SDRAM Registered DIMM предусматривает семь сигнальных категорий, разбитых по принципам особенностей топологической реализации.

Исходя из правил схемотехнической реализации модулей, основанной на особенностях интерфейса микросхем Register и PLL, а также учитывая их электрические параметры и внешние ограничения по нагрузке, разработаны схемотехнические рекомендации (базовый дизайн) SDRAM Registered DIMM для разных конфигураций.

Так, для 64 Мбайт Unstacked-модулей SDRAM Registered DIMM и для модулей, использующих 18 микросхем SDRAM (128, 256 и 512 Мбайт), используется две микросхемы Register. Для Stacked-модулей SDRAM Registered DIMM, использующих 36 микросхем SDRAM (256, 512 и 1024 Мбайт) — три микросхемы Register.

Общее правило распределения нагрузки на выходах микросхемы PLL такое: четыре микросхемы SDRAM на один выход OUTх микросхемы ФАПЧ (сигнал PCLK). Последний выход OUTn остается зарезервированным для создания петли обратной связи, назначение которой описывалось ранее, со входом FDBK (FeeDBacK) микросхемы фазовой автоподстройки частоты.

Топологическая схема PCB модулей SDRAM Registered DIMM предусматривает соответствие материала печатной платы требованиям материалов электронной техники UL-94V-0 (текстолит), задержку распространения по внутренним слоям (Soi) 2.0-2.2 нс/фут, задержку распространения по внешним слоям (Sou) 1.6-2.2 нс/фут, полное сопротивление трассы (Zo) 58.5–71.5 Ом, шестислойную схему 4mil типа S-G-S-S-P-S при топологическом интервале 2.9-4-2.8-4-2.9 mils или шестислойную схему 6mil типа S-G-S-S-P-S при топологическом интервале 1.8-2.6-8.2-2.6-1.8 mils, где mil=0.0025 см. Плата должна иметь в основе полностью заполненные по площади сечения модуля энергетический (P) и экранирующий (G) слои, и выполняться согласно одной из двух уже просчитанных топологий (базовый дизайн), используя 4/6 mil ширину сигнальной трассы (слой S).

Что касается разводки сигнальных трасс на материнской плате, то должны выполняться стандартные условия, предъявляемые в рамках требований JEDEC/ANSI/Intel:

• полное сопротивление сигнальной трассы должно лежать в пределах 60-80 Ом
• длина сигнальных трасс на материнской плате от вывода коннектора DIMM до эквивалентного вывода микросхемы логического обрамления (компонент чипсета, содержащий контроллер памяти) должна составлять 7.5 см
• сопротивление источника равно 22 Ом
• интервал прохождения сигнала от источника до загрузки 2.14 нс (±0.41нс) без учета временного перекоса маршрута «pin-pin» сигнала через буфер (задержка +1Т).

Дальнейшее развитие специфики Registered DIMM и увеличение частоты функционирования памяти дало толчок к появлению модулей PC133 SDRAM Registered DIMM, работающих соответственно на частоте 133 MГц. Однако в рамках основных документов спецификации JEDEC на модули этого класса соответствующих изменений произведено не было, что говорит о «узком круге» стандартизации в рамках отдельной спецификации, разработанной небольшой группой производителей и согласовано с разработчиками базовых логик (чипсетов). Поскольку общая схема согласования и топологических требований для каждой сигнальной группы известна, была сделана поправка на системные тайминги, регламентированные рамками требований открытой спецификации PC133: кроме использования микросхем памяти, гарантированно функционирующих на частоте 133 MГц, были сделаны поправки в модели согласования (сигнальная группа синхронизации — CK[3:0] и CKE[1:0]), модификация и перерасчет топологии (остальные сигнальные группы) в следствие чего расширен базовый дизайн модуля и убран режим функционирования Buffered (на модулях PC133 SDRAM Registered DIMM линия REGE подтягивается до высокого уровня внешним резистором). Основной упор был, понятно, сделан на перерасчет таймингов PLL. Таким образом, новые модули PC133 SDRAM Registered DIMM предполагают модифицированный механизм функционирования исключительно в режиме Registered на частоте 133 MГц.

Общая маркировка модулей памяти SDRAM Registered DIMM предусматривает схему PCxxx-abc-def. Здесь ххх — частота синхронизации модуля памяти, a — задержка выдачи сигнала CAS# (CL — CAS# Latency), b — задержка между сигналами RAS# и CAS# (t_RCD — RAS#-to-CAS# Delay Time), c — длительность перезаряда линии RAS# (t_RP — RAS# Precharge Time), d — максимальное время доступа, выраженное в нс и обычно равное 6 или 7, максимум 8 (t_AC — Access from Clock Time), e — номер ревизии SPD (иногда может отсутствовать), f — запасной параметр, содержащий информацию об используемой ревизии стандарта Registered. После всего этого стоит индекс «R», указывающий на Registered природу модуля. Например, PC100-322-622R.Стандарт DDR SDRAM Registered DIMM

«Родственный» стандарт 184pin, 2.5V (SSTL_2), 64/72bit PC DDR SDRAM Registered DIMM, в отличие от ранее рассмотренного SDRAM Registered DIMM, разработан для применения в системах, поддерживающих технологию памяти DDR SDRAM, (PC200/PC266 с синхронизацией 100/133 MHz соответственно), оговоренную в рамках документа JEDEC JC-42.3-98-227A.

Основное отличие данного стандарта от рассматриваемого ранее на схемотехническом уровне заключается в том, что он поддерживает конфигурации как расширенной шины с поддержкой кода коррекции ошибок (72bit, 64bit+8bit ECC), так и стандартной (64bit). Модуль DDR SDRAM Registered DIMM основывается на SSTL_2-совместимом питающем протоколе (2.5V I/O, V_DD=V_DDQ=2.5V ±0.2V). Он содержит 13/14 bit микросхемы-регистры SSTL Register типа 1:2/1:1 соответственно, обеспечивающие страничную организацию памяти, и микросхему PLL (1:10), также функционирующую на SSTL-уровнях. Схемы распределения нагрузки на микросхемы Register и PLL несколько отличаются от описываемых ранее, использующихся в SDRAM Registered DIMM. Кроме данных компонент, некоторые конфигурации модулей включают еще и дополнительно коммутаторы на полевых транзисторах (FET-switches) основанных на схеме с открытым ненагруженным стоком (Open-Drain), применяющиеся для улучшения помехозащищенности проходящего сигнала и активизации соответствующих микросхем памяти.

По оснащенности вышеперечисленными компонентами, а также по базовому дизайну (об этом подробнее далее) модули DDR SDRAM Registered DIMM делятся на группы, спецификации на которые в последствии могут расширяться. DDR Registered DIMM модули с высокой плотностью размещения компонентов имеют монтаж микросхем памяти, отличающийся от применяемого в SDRAM Registered DIMM — двухрядное расположение микросхем с обоих сторон печатной платы не используется, а применяется исключительно накладной монтаж IC-Tower.

В отличие от SDRAM Registered DIMM, модули DDR SDRAM Registered DIMM имеют намного расширенную параметрическую сеть, основываясь на нескольких базовых топологических схемах. Эти схемы имеют разные конфигурации по размещению компонентов на печатной плате, и, как следствие, отдельные требования по разводке и топологии модулей. Условно, в пределах спецификации, базовый дизайн модуля DDR SDRAM Registered DIMM делят на восемь групп (используемые микросхемы памяти имеют 4-х банковую внутреннюю логическую организацию):

• Группа A определяют самый широкий спектр модулей памяти, определяя объем 64, 128, 256, 512 и 1024 Mбайт с одним/двумя физическими банками и организацией модулей х64 и х72 (стандартные и с поддержкой ЕСС соответственно), используя 8/16 (базовый) и 9/18 (ЕСС) микросхемы. Монтируемые при этом 64, 128, 256 и 512 Мбит микросхемы памяти организации х8 пакуются в стандартный 66 lead TSOP корпус.
• Группа B определяет довольно узкий спектр модулей однострочной физической конфигурации, и аналогична группе А за исключением того, что рассчитана исключительно для систем с поддержкой кода коррекции ошибки (ECC-модули) и имеет двусторонний монтаж микросхем (18 штук) с организацией х4.
• Группа C и E по предлагаемому спектру аналогичны группе В, однако поддерживаемые объемы модулей 256, 512, 1024 и 2048 Mбайт говорят о более серьезном и более узком круге приложений. Модули этих групп имеют исключительно двухбанковую физическую структуру, используя 36 микросхем (монтаж высокой плотности, Stacked) с организацией х4, пакующихся в корпуса 66 lead stacked TSOP (группа C) и TSOJ (группа E).
• Группа F аналогична по спектру и организации модулям группы A за исключением того, что используются только двухсторонний монтаж микросхем памяти (16/18 штук для базовой конфигурации и ЕСС соответственно) с организацией х8 (2 физических банка), и введены переключатели на полевых транзисторах (FET-switches).
• Группа G зарезервирована для расширенных конфигураций.
• Группы H и K полностью аналогичны C и E соответственно с той разницей, что в состав модулей введены FET-switches.

В модулях DDR SDRAM Registered DIMM используют дифференциальный протокол синхронизации — дифференциальные входные синхропары CK[1:0]/CK[1:0]# (позитивный сигнал/негативный «двойник») точка пересечения (средняя точка, уровень опорного напряжения) которых (по фронту CK[1:0]) являются опорной относительно поступления адресных и контрольных сигналов. Топология сигнальных трасс, временные протоколы и требования стандарта DDR SDRAM Registered DIMM отличаются лишь численно от общих требований Registered DIMM с упором на технологию DDR (обмен данными происходит по фронту и срезу (Both Edges) основных синхросигналов, CK[1:0]#). Как и в предыдущем случае, все требования, выдвигаемые для функционирования в режиме Registered с использованием микросхем Registered и PLL, четко оговорены в рамках документа JESD JC-40. Конфигурации модулей DDR SDRAM Registered DIMM объемом 64, 128, 256, 512, 1024 и 2048 Mбайт поддерживают микросхемы памяти емкостью 64, 128, 256 и 512 Mбит организации х4/х8 (Planar Components), применяющиеся для производства планарных модулей (Planar или Unstacked DIMM), и х4 высокой плотности упаковки (High Stack Package), использующихся при реализации модулей с высокой плотностью размещения компонентов (Stacked DIMM).

Цоколевка модуля DDR SDRAM Registered DIMM полностью соответствуют стандарту DDR SDRAM DIMM с/без ECC. Ранее отсутствовавший в спецификации SDRAM Registered DIMM асинхронный LVCMOS низкоуровневый сигнал RESET# применяется для гарантированного перевода выходов микросхемы Register в активное низкое состояние по требованию. Сигналы маскирования DM[8:0], имеющие высокий активный уровень, совместно с действующими входными данными DQ[63:0] имеют умышленно введенную однотактную задержку формирования после поступления команды записи. Фронт и срез сигналов DQS[8:0] применяются для стробирования приема/передачи данных непосредственно по линиям DQ[63:0]: в режиме передачи для считываемых данных, в режиме приема для записываемых, причем фронт и срез является командным для чтения данных, а середина строба — для записи. Вывод FETEN является опциональным и используется в конфигурациях, имеющих коммутаторы на полевых транзисторах (группы F, H и K). Линии V_DDSPD, V_DDID и V_DDQ выполняют соответственно функции питания микросхемы SPD (данный вывод должен быть изолирован от линий питания V_DD и V_DDQ), идентификационного флага напряжения V_DD и питания линий данных. Уникальный сигнал REGE, осуществляющий переключение между двумя специфическими режимами функционирования, отсутствует в настоящем стандарте DDR SDRAM Registered DIMM, что говорит о функционировании исключительно в режиме Registered.

Основные особенности модулей DDR SDRAM Registered DIMM можно охарактеризовать следующим образом:

• Умышленная однотактная задержка на входах микросхем Register (One-clock Delay Registered Inputs)
• Стандартная для Registered DIMM синхронизация через PLL для снижения нагрузки на линии CKE[1:0]
• Ввод команд происходит по каждому положительному перепаду CK[1:0]
• Выравнивание данных для чтения по фронту/срезу DQS[8:0], выравнивание данных для записи по центру DQS[8:0]
• Внутренняя конвейеризированная архитектура DDR
• Двунаправленное стробирование приема/передачи данных при помощи линий DQS[8:0] (Source-Synchronous Data Capture)
• Исключительно четырехбанковая внутренняя архитектура микросхемы для совмещенных операций и уменьшения задержек при выполнении регенерации массива
• Программируемая длина пакетов (BL=2, 4, 8, Page)
• Поддержка всех режимов регенерации (автоподзаряд, авторегенерация и саморегенерация), включая максимальный цикл 15.625 ms

Идентификация модуля системой происходит, как обычно, при помощи схемы последовательного детектирования (см. пример карты программирования), оговоренной в рамках JEDEC ballot JC-42.5-5-99-102, описывающего стандарт стандарт SPD для DDR SDRAM Registered DIMM. Однако данное требование целиком опирается на основной стандарт последовательного детектирования, описываемый в упоминающемся ранее документе JESD21C-4.1-R91.

Габаритные размеры PCB DDR SDRAM Registered DIMM полностью соответствуют типоразмерам Registered DIMM, приводимым ранее. Топологическая схема предусматривает соответствие материала печатной платы требованиям UL-94V-0, задержку распространения по внутренним слоям (Soi) 2.0-2.2 нс/фут, задержку распространения по внешним слоям (Sou) 1.6-2.2 нс/фут, полное сопротивление трассы (Zo) 54-66 Ом и восьмислойную схему 4/6 mil типа S-G-P-S-S-P-G-S.

Общие требования по трассировке и расчету параметров модулей Registered DIMM сводятся к рассмотрению нескольких моментов в расчете топологии модуля и размещении связующих компонентов. Для стандартов SDRAM Registered DIMM и DDR SDRAM Registered DIMM данные требования и различия носят численный характер, поэтому конечный производитель должен учитывать настоящие рекомендации. Рассмотрим требования для DDR SDRAM Registered DIMM.

Задержка подачи управляющих синхросигналов к микросхемам памяти на модуле оптимизирована для высокоскоростных операций на уровне топологии и трассировки печатной платы. Полная задержка поступления синхросигнала складывается из времени задержки распространения от интерфейса модуля до входных выводов микросхемы PLL, времени задержки распространения по сигнальной трассе от микросхемы ФАПЧ до микросхемы SDRAM и задержки «pin-pin» на пассивных компонентах типа серий резисторов. Эта суммарная задержка рассчитывается и моделируется непосредственно производителем модуля согласно общей спецификации и требованиям к тайминговой программе конкретной сигнальной группы. Иными словами, предлагается конкретная базовая модель с точно рассчитанными параметрами (Reference Net, например, в случае DDR SDRAM Registered DIMM семь модификаций — A, B, C, E, F, H и K), имеющая конкретную топологию, изменяя которую добиваются оптимизации согласования по таймингам и маршрута сигналов, однако установленные временные и нагрузочные параметры остаются постоянными.

Изначально, номинальная задержка распространения сигнала от входа PLL до входа соответствующей микросхемы принята за 0 пс. Промежуток подачи синхросигнала на вход микросхемы ФАПЧ не должен регулироваться источниками вариаций временных параметров, включающих входную емкость PLL, допустимые отклонения номиналов использующихся резисторов и емкостных характеристик выводов, а также импедансных вариаций (изменение полного сопротивления), которые могут давать эффект. Однако, реализуя эти вариации, можно изменять и контролировать задержку в промежутке ±100 пс на рассматриваемом участке.

Наиболее важный фактор, влияющий на параметры опорного синхросигнала — это обеспечение четко рассчитанного промежутка поступления синхросигнала на микросхему памяти. Базовый дизайн модуля памяти предполагает заранее рассчитанную сеть параметров со стандартными задержками. Конкретный производитель конечного модуля может изменять эти параметры в пределах ранее указываемого промежутка (±100 пс) при помощи петли обратной связи в цепи микросхемы PLL, учитывая возможные «всплески». Данное значение не включается в крайний результат «погрешности» временного перекоса на PLL, возникновения фазовой ошибки и отклонения от номинала конденсатора в цепи ОС.

Непосредственно синхросигнал, поступающий на микросхему Register, должен совпадать по фазе с синхросигналом микросхем памяти с возможностью отклонения в определенные ранее ±100 пс. Фактическая же задержка может варьироваться и зависит от входной емкости микросхем памяти, входной емкости микросхемы Register, перекоса на выходе PLL, обусловленного паразитными наводками на РСВ, и уже конкретно топологическими отклонениями, вызванными несовершенностью технологии изготовления и имеющих вторичный эффект. В случае прихода синхросигнала на вход микросхемы Register раньше, чем синхросигнала на вход микросхем памяти, синфазность можно исправить увеличением в цепи микросхемы-регистра номинала сопрягающего (выравнивающего) конденсатора (Clock Padding Capacitor), компенсирующего временной сдвиг между сигналами, затягивая фронт и срез тактового импульса.

Все вносимые изменения в базовую модель требуют тщательной перепроверки новой модели. Моделирование позволяет непосредственно каждому производителю модуля памяти добиваться комбинированием параметров номинального 0ps отношения между входящим синхросигналом микросхем Register и микросхем памяти (синфазность). Данное условие довольно критично и его анализ позволяет рассчитывать и точно удерживать требуемые характеристики, составляющие такой параметр, как целостность сигнала (Signal Integrity) на входах микросхем памяти и Register. Например, там где «регистровые» синхросигналы не «вмещаются» в идеальное тайминговое окно (четкое совпадение соответствующих значений на конкретном участке), не менее критичные пост-регистровые тайминги необходимо корректировать для обеспечения четкого выполнения операций и гарантированного функционирования модуля, а также устранения возникновения возможных «плывущих» таймингов (рассредоточение временных параметров).

Общая маркировка модулей памяти DDR SDRAM Registered DIMM аналогична стандартным DDR SDRAM DIMM и предусматривает схему PCxxxxm-abcd-ef. Здесь хххx — результирующая частота функционирования модуля памяти (200/266A/266B), m — тип используемого модуля памяти (R — Registered, U — Unbuffered), a — задержка выдачи сигнала CAS# (CL — CAS# Latency) при записи в маркировке не использует десятичную точку (например, 25 — CL=2.5 нс), b — задержка между сигналами RAS# и CAS# (t_RCD — RAS#-to-CAS# Delay Time), c — длительность перезаряда линии RAS# (t_RP — RAS# Precharge Time), d — номер ревизии SPD, e — тип используемого базового дизайна (A, B, C, E, F, H или K) f — номер используемой ревизии стандарта. Например, PC200R-25330-A1.Заключение

Итак, после краткого технического экскурса становится очевидным область применения модулей Registered DIMM — это, конечно же, системы с максимальной степенью отказоустойчивости (например, сервера), базирующиеся, на логических наборах, поддерживающих модули PC Registered DIMM. Например, SDRAM Registered DIMM поддерживается наборами i82440BX и i82440GX производства Intel и логиками ServerWorks ServerSet III xE производства ServerWorks, а модули DDR SDRAM Registered DIMM — чипсетами AMD-760MP и AMD-760MPX. Для такого заключения есть абсолютно все основания: наличие на модуле отдельной реализации фазовой автоподстройки частоты с обратной связью (PLL) для стабилизации протокола группы синхросигналов и уменьшения нагрузки на сигнальные линии, 72bit организация модуля с кодом коррекции ошибок (ECC) для выделения и устранения возможных ошибок, наличие специализированной микросхемы страничной адресации (Registered), плюс, схемотехнически индивидуальный подход с некоторыми собственными правилами разводки и монтажа — требования для «встречного» согласования по временным параметрам и минимизации влияния ЭМИ.

Необходимо заметить, что, поскольку модуль памяти Registered DIMM является довольно специфическим устройством с особенностями функционирования, далеко не каждый логический набор (чипсет) поддерживает эту разновидность модулей синхронного ДОЗУ. Производитель материнской платы, использующий такой чипсет, обязан предоставить список вендоров (конечных производителей), модули памяти которых успешно прошли тестирование на данной платформе. Поэтому для компоновки конечной системы следует подбирать модули памяти согласно предлагаемого списка производителя платформы сертифицированных модулей памяти. Справедливости ради надо также заметить, что некоторые производители материнских плат полностью исключают поддержку модулей, отличных от Registered DIMM (в такой системе обычные модули Unbuffered DIMM функционировать не будут), поэтому необходимо внимательно изучать спецификацию желаемой платформы.

Список рекомендуемой литературы

1. PC SDRAM Registered DIMM Design Support Document
2. PC SDRAM Specification
3. PC100 SDRAM Component Testing Summary
4. Double Data Rate (DDR) SDRAM Preliminary Datasheet
5. JESD-21-C, Configuration of Solid-State Memories, DDR SDRAM Explained
6. JESD-21C-4.5.7-R9, 168pin SDRAM Registered DIMM
7. JESD JC-40 Registered DIMM Components
8. JEDEC JC-42.3-98-227A, 184pin DDR SDRAM Registered DIMM
9. JESD-21C-4.5.2-R9, 200pin SDRAM DIMM
10. 200pin SDRAM Registered DIMM: Functional Description & Timing Diagrams
11. DDR SDRAM Registered DIMM Design Specification
12. ANSI Y14.5M-1994 Routing Rules of PCB Traces & Mounting Components
13. Printed Circuit Board (PCB) Test Methodology
14. CK97 Clock Sinthesizer Design Guidelines
15. CK98 Clock Sinthesizer Design Guidelines
16. CBT3857 10-bit Bus Switch with 10k Pull-Down Termination Resistors
17. PCK857 66-150MHz Phase Locked Loop Differential 1:10 SDRAM Clock Driver
18. SSTL16857 14-bit SSTL_2 Registered Driver with Differential Clock Inputs
19. EIA/JESD8-5 Stub Series Terminated Logic For 3.3 Volts LVTTL
20. EIA/JESD8-8 Stub Series Terminated Logic For 3.3 Volts (SSTL_3)

Установка RAM для сервера HP ProLiant DL360 Gen 10

Прочитано:
1 285

У меня в наличии три плашки памяти по 16Gb и вот когда я в пятницу их устанавливал в сервер HP ProLiant DL360 Gen 10, то при загрузке видел следующие сообщения и коды ошибок/уведомлений:

1 Processor (s) detected, 10 total cores enabled, Hyperthreading is enabled

Proc 1: Intel® Xeon® Silver 4210 CPU @ 2.20GHz

Workload Profile: General Power Efficient Computer

Power Regulator Model: Dynamic Power Savings

Advanced Memory Protection Mode: Advanced ECC Support

Boot Mode: UEFI

HPE SmartMemory authenticated in all populated DIMM slots.

209 – Unsupported DIMM Configuration Detected – Installed DIMM configuration does NOT Support configured AMP Mode. System will operate in Advanced ECC Mode.  ( Major  Code:0000003A Minor Code: 00000000).

Action: Consult the User Guide for more information on supported configurations.

510 – The installed number of DIMMs on one or more processors results in an unbalanced memory configuration across memory controllers. This may result in non-optional memory performance.

Action: Consult documentation for memory population guidelines

Внимательно посмотрев на крышку сервера, выявил что если у Вас три модуля памяти, то их подключить на материнской плате нужно в разъемы: 8, 10, 12

В разъем 8 вставляется планка памяти: 16Gb 2Rx8 PC4-2933Y-RE2-12-DC1 (M393A2K43CB2-CVFBY), в 10 точно такая же, а в 12 16Gb 2Rx8 PC4 – 2933Y-RE2-12 (HMA82GR7CJR8N-WM T4 AC 1902)

Далее т.к. у меня память ECC отправляю сервер в перезагрузку и при загрузке нажимаю F9 (загрузка в BIOS) :

F9 – System Configuration – BIOS/Platform Configuration (RBSU) – Memory Options

Advanced Memory Protection: было Fast Fault Tolerant Memory (ADDDC), ставлю Advanced ECC Supported

Сохраняю внесенные изменения и перезагружаю сервер.

Сервер грузится и в режиме самотестирования работоспособности оборудования более нет никаких ошибок.

Итого, только внимательное чтение документации и желание разобраться поможет заставить работать сервер на максимальной производительности. На этом я прощаюсь, с уважением автор блога Олло Александр aka ekzorchik.

DIMM — это… Что такое DIMM?

модуль DIMM (память DDR SDRAM)

три разъёма на плате для подключения модулей DIMM (память SDRAM)

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.

Конструктивно представляет собой модуль памяти в виде длинной прямоугольной платы с рядами контактных площадок с обеих сторон вдоль её длинной стороны, устанавливаемую в разъём подключения и фиксируемую по обоим её торцам защёлками. Микросхемы памяти могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы.

В отличие от форм-фактора SIMM, используемого для асинхронной памяти FPM и EDO, форм-фактор DIMM предназначен для памяти типа SDRAM. Изготавливались модули рассчитанные на напряжение питания 3,3 В и (реже) 5 В. Однако, впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, а затем и EDO. Ими комплектовались серверы и брендовые компьютеры.

Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.

Модули SO-DIMM

В дальнейшем в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR, DDR II, DDR III и DDR IV, отличающуюся повышенным быстродействием.

Появлению форм-фактора DIMM способствовало появление процессора Pentium, который имел 64-разрядную шину данных. В профессиональных рабочих станциях, таких, как SPARCstation, такой тип памяти использовался с начала 1990-х годов. В компьютерах общего назначения широкий переход на этот тип памяти произошёл в конце 1990-х, примерно во времена процессора Pentium II.

Разновидности

Существуют следующие типы DIMM:

• 72-pin SO-DIMM (не совместима с 72-pin SIMM) — используется для FPM DRAM и EDO DRAM
• 100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM
• 144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (иногда также для EDO RAM) в портативных компьютерах
• 168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах)
• 172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM
• 184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM
• 200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM
• 214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM
• 204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM
• 240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM DRAM

См. также

Рабочая станция HP Z400 — сообщения об ошибках POST

.Руководство по устранению неполадок серверов

HP ProLiant

Руководство по устранению неполадок серверов HP ProLiant
Документация Главная

• Руководство по устранению неполадок серверов HP ProLiant
• Советы по навигации
• Уведомления
• Введение
• Начало работы
• Решение общих проблем
• Диагностические схемы
• Проблемы с оборудованием
• Проблемы программного обеспечения
• Программные инструменты и решения
• Ресурсы HP для устранения неполадок
• Сообщения об ошибках
  • сообщения об ошибках ADU
    • Введение в сообщения об ошибках ADU
      • Плата ускорителя не обнаружена
      • Журнал ошибок ускорителя
      • Ошибки чтения четности ускорителя: X
      • Ошибок записи четности ускорителя: X
      • Состояние ускорителя: кэш был автоматически настроен во время последнего сброса контроллера
      • Состояние ускорителя: данные в кэше потеряны…
      • Статус ускорителя: обнаруженные грязные данные достигли предела …
      • Статус ускорителя: обнаружены грязные данные …
      • Состояние ускорителя: чрезмерное количество ошибок ECC обнаружено хотя бы в одной строке кэша …
      • Состояние ускорителя: чрезмерное количество ошибок ECC обнаружено в нескольких строках кэша …
      • Статус ускорителя: обнаружены устаревшие данные
      • Статус ускорителя: устаревшие данные отброшены
      • Статус ускорителя: устаревшие данные были сброшены (записаны) на диски
      • Статус ускорителя: постоянно отключен
      • Статус ускорителя: возможная потеря данных в кэше
      • Статус ускорителя: временно отключен
      • Статус ускорителя: нераспознанный статус
      • Статус ускорителя: при сбросе обнаружены достоверные данные
      • Статус ускорителя: предупреждение о гарантии
      • Несоответствие идентификатора адаптера / NVRAM
      • Батарейный блок X ускорителя массива не полностью заряжен
      • Батарейный блок ускорителя массива X ниже номинального напряжения (подзарядка)
      • Плата используется в Expand Operation
      • Плата не прикреплена

      Кэш

      • был отключен, так как ключ активатора ADG сломан или отсутствует
      • Кэш отключен; Вероятно, вызвано ослаблением контакта на одной из микросхем RAM
      • Подпись конфигурации равна нулю
      • Несоответствие подписи конфигурации
      • Произошла ошибка связи контроллера

      Обнаружен контроллер

      • .Конфигурация NVRAM отсутствует

      Требуется обновление микропрограммы контроллера

      Контроллер

      • находится в специальном «видео» слоте

      Контроллер

      • не настроен
      • Контроллер сообщил об ошибке POST. Код ошибки: X
      • Контроллер перезапущен с нулевой подписью
      • Выдана команда отключения
      • Диск (отсек) X требует обновления микропрограммы
      • Диск (отсек) X имеет недостаточную емкость для его конфигурации
      • Drive (Bay) X имеет недействительный штамп M&P
      • Диск (отсек) X имеет свободный кабель
      • Привод (отсек) X — сменный привод
      • Привод (отсек) X — сменный привод с маркировкой ОК
      • Диск (отсек) X вышел из строя
      • Диск (отсек) X находится в процессе восстановления диска
      • Диск (отсек) X Код загрузки не читается
      • Диск (отсек) X был случайно заменен
      • Функции мониторинга привода недоступны
      • Drive Monitoring НЕ ВКЛЮЧЕН для порта SCSI X Drive ID Y
      • Истекло время ожидания диска в отсеке для физического диска X
      • Привод X указывает положение Y
      • Ошибка дублирования записи в память
      • Произошла ошибка чтения копии RIS с порта SCSI X ID диска
      • К сведению: диск (отсек) X предоставляется сторонними поставщиками
      • Определить данные логического диска не совпадают с NVRAM
      • Недостаточно ресурсов адаптера
      • Не удалось установить соединение между контроллерами
      • Батареи менее 75% при достаточном напряжении
      • Менее 75% батарей при достаточном напряжении Батарейный блок X ниже номинального напряжения
      • Логический диск X отказал из-за ошибки кеша
      • Логический диск X Состояние = Ошибка
      • Логический диск X Состояние = Промежуточное восстановление (Том функционирует, но не отказоустойчив)
      • Логический диск X Состояние = Обнаружен свободный кабель…
      • Логический привод X Статус = перегрет
      • Логический привод X Состояние = перегрев
      • Логический диск X Статус = Восстановление (восстановление данных на замененном диске)
      • Логический диск X Состояние = неправильный диск заменен
      • Обнаружен свободный кабель — логические диски могут быть помечены как ОТКАЗАННЫЕ до исправления
      • Несовпадение зеркальных данных
      • Нет конфигурации для платы ускорителя массива
      • Один или несколько дисков не могут поддерживать работу резервного контроллера
      • Другой контроллер указывает на другую модель оборудования
      • Другой контроллер указывает другую версию прошивки
      • Другой контроллер указывает другой размер кэша
      • Режим пониженного энергопотребления процессора включен в RBSU
      • Процессор не запущен (процессор остановлен)
      • Процессор не запущен (пошаговое выполнение не соответствует)
      • Процессор не запущен (неподдерживаемый степпинг процессора)
      • Процессор не поддерживается (неподдерживаемая частота ядра)
      • Копии RIS между дисками не совпадают
      • Порт SCSI X ID диска Y Ошибка — REPLACE (сообщение об ошибке)
      • Порт SCSI X, идентификатор диска Y Требуется обновление микропрограммы
      • Порт SCSI X, идентификатор диска Y превышает следующие пороговые значения
      • Порт SCSI X, идентификатор диска Y не проштампован для мониторинга
      • SCSI-порт X, идентификатор диска Y может иметь нестабильное соединение…
      • Порт SCSI X, идентификатор диска Y Копии RIS на этом диске не совпадают
      • Порт SCSI X, идентификатор диска Y … S.M.A.R.T. Ошибки прогнозируемого отказа были обнаружены в заводском мониторе и данных о производительности …
      • Порт SCSI X, идентификатор диска Y … S.M.A.R.T. Ошибки прогнозируемого сбоя были обнаружены в мониторе питания и данных производительности …
      • Порт SCSI X, идентификатор диска Y был заменен на исправный том: (сообщение об ошибке)
      • Выпущена команда настройки конфигурации
      • Требуется обновление программного обеспечения

      У массива хранения

      • на шине SCSI X обнаружена ошибка кабеля (шина отключена)…

      Шкаф хранения

      • на шине SCSI X обнаружил дверное оповещение …

      Корпус хранения

      • на шине SCSI X обнаружил сбой источника питания …

      Шкаф хранения

      • на шине SCSI X показал состояние перегрева …
      • Модуль хранения на шине SCSI X не поддерживается текущей версией прошивки …

      Модуль хранения

      • на шине SCSI X показал, что вентилятор неисправен …

      Корпус хранения

      • на шине SCSI X указывает на то, что вентилятор неисправен…

      Корпус хранения

      • на шине SCSI X показал, что модуль вентилятора отключен …

      Корпус хранения

      • на шине SCSI X — сбой передачи широкого SCSI …
      • Переключены кабели или обнаружена ошибка конфигурации. Настроенный массив дисков …
      • Обнаружены переставленные кабели или ошибка конфигурации. Перестановка дисков …
      • Обнаружены переставленные кабели или ошибка конфигурации. Была предпринята попытка установки неподдерживаемого привода …
      • Переключены кабели или обнаружена ошибка конфигурации.Кажется, что кабели поменяны местами …
      • Переключены кабели или обнаружена ошибка конфигурации. Информация о конфигурации подключенных дисков …
      • Обнаружены переставленные кабели или ошибка конфигурации. Максимальный логический объем отсчета X …

      Системная плата

      • не может определить, какие слоты контроллеров находятся в
      • Установлены резервные контроллеры разных моделей …
      • Этот контроллер может видеть диски, но другой контроллер не может
      • Этот контроллер не видит диски, но другой контроллер может
      • Не удается установить связь с диском через порт SCSI X, идентификатор диска Y
      • Не удалось получить идентификационные данные контроллера.Контроллер может быть отключен или неисправен
      • Неизвестный код отключения
      • Неустранимая ошибка чтения
      • Неподдерживаемая конфигурация процессора (требуется процессор в слоте №1)
      • Обнаружен бит предупреждения
      • ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ — Кэш записи на диск включен на X
      • ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ — Обнаружены процессоры с разными функциями
      • ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ — сброс поврежденного CMOS
      • ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ — сброс поврежденного NVRAM
      • ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ — Сброс поврежденной системной среды
      • ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ — Восстановление конфигураций по умолчанию по запросу
      • ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ. Модуль хранения на шине SCSI X указывает, что он работает в одностороннем режиме…
      • Ошибка записи памяти
      • Неправильный ускоритель
    • Сообщения об ошибках ADU версий от 8.0 до 8.28
  • Сообщения об ошибках POST и звуковые коды
  • Сообщения об ошибках списка событий
    • Введение в сообщения об ошибках списка событий
    • Модуль питания ЦП (системная плата, разъем X) …
    • Обнаружена блокировка ASR: причина
    • Автоматическое завершение работы операционной системы из-за отказа вентилятора
    • Автоматическое завершение работы операционной системы из-за перегрева…
    • Ловушка синего экрана: причина [NT] …
    • Пройден исправленный порог ошибки памяти (слот X, модуль памяти Y) …
    • Таймаут главного устройства шины расширения EISA (слот X) …
    • Ошибка шины PCI (слот X, шина Y, устройство Z, функция X)
    • Пройден порог исправимой ошибки процессора (слот X, разъем Y)
    • Неисправимая внутренняя ошибка процессора (разъем X, разъем Y)
    • Отказ батареи часов реального времени
    • Перегрузка системы переменного тока (источник питания X)
    • Проблема с питанием переменного тока в системе (блок питания X)
    • Отказ системного вентилятора (вентилятор X, расположение)
    • Системные вентиляторы без резервирования
    • Перегрев системы (зона X, расположение)
    • Системные блоки питания не резервные
    • Отказ источника питания системы (источник питания X)
    • Неустранимая ошибка четности данных шины хоста…
    • Неисправимая ошибка памяти (слот X, модуль памяти Y) …
  • Коды ошибок инфраструктуры HP BladeSystem p-Class
  • Коды порта 85 и сообщения iLO
  • Коды ошибок процессора журнала событий Windows®
  • Коды ошибок процессора Insight Diagnostics
• Обращение в HP
• Акронимы и сокращения

Главная страница документации

.