Разное

Что значит ddr3l: что лучше выбрать (характеристики и разница в производительности)

Содержание

что лучше выбрать (характеристики и разница в производительности)

Оперативная память компьютера отвечает за временное хранение необходимых данных для стабильной работы операционной системы и выполняемых программ. От ее характеристик зависит скорость обработки информации и общая производительность ПК или ноутбука. С развитием технологий в области электроники на рынке компьютерных комплектующих появилась новая оперативная память DDR3L. Она является модификацией современного типа ОЗУ DDR3. Характерной разницей между этими типами памяти являются сниженные характеристики энергопотребления до значения напряжения 1,35 В. Выбрать необходимый тип ОЗУ помогут технические возможности и конфигурация материнской платы.

Оперативно запоминающее устройство (ОЗУ) – модуль временной памяти, который используется в компьютерной архитектуре для хранения определенного набора команд и информации. Оперативная память обеспечивает стабильную и надежную работу операционной системы и запущенных программ и приложений.

С развитием технологий оперативная память постоянно усовершенствовалась: увеличивались ее объем и производительность. Современный тип ОЗУ DDR3 является модернизированной версией своего «предка», который пришел на смену оперативной памяти типа DIMM в далеких 90-х годах.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Внимание! Модули памяти типа DDR2 и DDR3 не совместимы и не взаимозаменяемы по механическим и электротехническим показателям. Защита от установки планки оперативной памяти в несоответствующий слот (разъем) реализована за счет расположения ключа в разных местах модуля.

Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

  • DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
  • DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
  • DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
  • DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Внимание! В начале 2012 года на рынке появилась разновидность данной модификации оперативно-запоминающего устройства DDR3L-RS, она специально разработана под смартфоны.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Как выбрать оперативную память: видео

DDR3 SDRAM — это… Что такое DDR3 SDRAM?

У этого термина существуют и другие значения, см. DDR.

Модули памяти DDR3 представленные Samsung на Intel Developer Forum 2008

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

У DDR3 уменьшено на 15% (точный процент)[1][2]) потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.[2] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Совместимость

Сравнение планок памяти DDR, DDR2 и DDR3 по внешнему виду.

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

Спецификации стандартов

Стандартное название Частота памяти Время цикла Частота шины Эффективная(удвоенная) скорость Название модуля Пиковая скорость передачи данных при 64-битной адресации в одноканальном режиме
DDR3-800 100 МГц 10,00 нс 400 МГц 800 МТ PC3-6400 6400 МБ/с
DDR3-1066 133 МГц 7,50 нс 533 МГц 1066 МТ PC3-8500 8533 МБ/с
DDR3-1333 166 МГц 6,00 нс 667 МГц 1333 МТ PC3-10600 10667 МБ/с
DDR3-1600 200 МГц 5,00 нс 800 МГц 1600 МТ PC3-12800 12800 МБ/с
DDR3-1866 233 МГц 4,29 нс 933 МГц 1866 МТ PC3-14900 14930 МБ/с
DDR3-2000 250 МГц 4,00 нс 1000 МГц 2000 МТ PC3-16000 16000 МБ/с
DDR3-2133 266 МГц 3,75 нс 1066 МГц 2133 МТ PC3-17000 17066 МБ/с
DDR3-2200 275 МГц 3,64 нс 1100 МГц 2200 МТ PC3-17600 17600 МБ/с
DDR3-2400 300 МГц 3,33 нс 1200 МГц 2400 МТ PC3-19200 19200 МБ/с

Возможности

Возможности микросхем DDR3 SDRAM

  • Предвыборка 8 байт
  • Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
  • Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
  • Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
  • Выполнение CAS Write Latency за такт
  • Встроенная терминация данных
  • Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
  • Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3

  • Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
  • Высокоточные резисторы в цепях калибровки

Преимущества и недостатки

Преимущества по сравнению с DDR2

  • Бо́льшая пропускная способность (до 19200 МБ/с)
  • Меньшее энергопотребление

Недостатки по сравнению с DDR2

  • Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)

См. также

Производители

Набор Kingston KHX1600C9D3X2K2/8GX 8GB DDR3-1600 CL9 240-pin DIMM установленный на материнской плате ASUS P8H67

Примечания

Литература

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8

Ссылки

Оперативная память DDR3L-RS

Сегодня мы рассмотрим оперативную память класса DDR3L-RS. Данная память была специально разработана изначально для мобильных устройств, таких как ноутбуки и ультрабуки. Ее отличие от DDR3L заключается в том, что данная технология отличается от стандартной DDR3L в низком потреблении энергии.

Чипы сделаны по 32nm технологии и дают возможность снизить не только энергоресурсы, но и значительно снизить коэффициент нагрева. Данную технологию создала компания Micron, эти новые чипы благодаря своим характеристикам могут использоваться в мобильных устройствах, таких как ноутбуки и ультрабуки. Этот вид памяти позволяет в минимальной степени потреблять электроэнергию во время простоя, экономя при этом значительную часть запаса батареи.

Преимущества DDR3L-RS:

Более высокая производительность

Сниженное электро потребления в режиме простоя до 25 — 30%

Низкое выделение тепла

Недостатки:

Более высокая цена примерно на 20%

Показатель снижения электро потребления в мобильных решениях является приоритетным, и потому 20% более высокой стоимости здесь не играют особой роли.

Конечно новая технология требует новой системы производства и т.д. поэтому цена соответствует тому, что мы получаем.

Плотность 2Gb и 4Gb DDR3L-RS чипов, позволяет памяти значительно быстрее обновляться в сравнении с DDR3L. Таким образом память дает более высокую эффективность и манёвренность.

Оперативная память класса DDR3L-RS в первый раз используется с процессорами Intel в частности с 3 поколением Ivy Bridge.

Все вышеперечисленные достоинства, позволяют создать мощные платформы для ультрабуков, планшетов и ноутбуков способные работать в разы дольше по времени в портативных устройствах, и таким образом значительно повысить производительность батареи и в достаточной мере продлить ее цикл заряда/разряда.

Вслед за 30нм 2Gb и 4Gb DDR3L-RS SDRAM чуть позже компания выпустила 30нм 8Gbx16 и 8Gbx32

А также планирует выпустить в этом году новую DDR4-RS.

Это идеальное решение, для мобильных устройств, так как в стационарных системах есть мощная система охлаждения, для которой преимущества данной памяти DDR3L-RS будут незначительными.

Чем отличается GDDR3 от DDR3

Много путаницы вносят схожие аббревиатуры в жизнь обычного пользователя, в одночасье занявшегося изучением комплектующих. Почему бы не назвать по-разному? Почему бы не назвать одинаково, если оно — одно? Путаница с DDR и GDDR в теории может привести и к снижению производительности самособранной или апгрейженной системы. Буквы вроде одинаковые, а разница между DDR3 и GDDR3 весьма значительная.

Определение

DDR3 — тип оперативной памяти, представляющий собой третье поколение реализации технологий синхронной динамической памяти с произвольным доступом.

GDDR3 — вид памяти видеокарты.

к содержанию ↑

Сравнение

Разница между GDDR3 и DDR3 не в формате, а в технологических особенностях. По сути, память GDDR3 идентична предыдущей версии DDR, имеющей в названии цифру 2. Технологическое ядро у них одинаковое, разница только в эффективной частоте. GDDR3 просто используется в корпусе видеокарты, а не отдельной планкой в слоте материнской платы. DDR3 предполагает совсем иные, значительно измененные характеристики. Так, увеличена пропускная способность и заметно снижен уровень энергопотребления. Естественно, это сравнение справедливо и для GDDR3 — наследницы DDR2.

Оперативная память DDR3

Оба вида памяти в процессе работы зависят от пропускной способности шины данных, однако GDDR3 регламентирует эту зависимость жестче. Четко определяется пропускная способность: для современных видеокарт от 128 бит до 512 бит с шагом x2 (преимущественно). Шина памяти ОЗУ таких рамок не имеет.

На сегодняшний день DDR3 является самой новой версией оперативной памяти, удовлетворяющей все потребности систем любого уровня. GDDR3 же осталась в видеокартах бюджетного уровня, ей на смену пришла GDDR5, и возможности GDDR3 уже не впечатляют.

к содержанию ↑

Выводы TheDifference.ru

  1. DDR3 — тип оперативной памяти, GDDR3 — тип видеопамяти.
  2. GDDR3 соответствует по характеристикам устаревшему типу ОЗУ DDR2.
  3. DDR3 энергоэкономичнее и с высокой пропускной способностью.
  4. Пропускная способность шины GDDR3 имеет четкие рамки.
  5. GDDR3 принадлежит устаревшим и бюджетным моделям видеокарт, DDR3 — последнее обновление типа ОЗУ.

Ставим ноутбучную память в десктоп (переходники DDR3 SO-DIMM -> DIMM)

У меня скопилось некоторое количество ноутбучной оперативной памяти DDR3 по 2-4 гигабайта после апгрейдов ноутбуков. Ноутбуков в таком количестве, чтобы её утилизировать, в окрестностях нет. Но имеются десктопы, куда нужна память. А на али продаются переходники с SO-DIMM на обычные DIMM. Интересовало две вещи — выгода и работоспособность.

Выгода

Я для теста заказывал 6 штук (четыре в конкретный комп и парочка в запас), потому переходники обошлись примерно по 4$ штука, одиночный переходник примерно в 5$ обойдётся.

Память DDR3 в ближайшем ДНС стоит:

2GB ~ 800 р. (12$)

4GB ~ 1400 р. (22$)

8GB ~ 2800 р. (44$)

Бэушная и китайская память стоит примерно:

2GB ~ 500 р. (7$)

4GB ~ 950 р. (15$)

8GB ~ 1500 р. (25$)

То есть, если вы покупаете память в оффлайновом магазине, то эти переходники выгодны даже начиная с двух гигабайт.

Если вы хотите рационально тратить деньги и берёте память либо бэушную, либо китайскую, то покупать переходники для двухгиговых модулей условно выгодно, но я бы не стал.

А вот для четырёх гигабайт переходники использовать выгодно уже без всяких условий. Финансово. А технически — это мы посмотрим чуть ниже.

NB: Само собой, это не повод покупать ноутбучную память и переходники! Переходники нужны только для того, чтобы использовать уже имеющуюся в наличии память.

Внешний вид

С двух сторон, на фоне ноутбучного и обычного модуля — для масштаба.
Электрически тут ничего интересного нет, это полностью пассивный переходник.

Разница в высоте с обычным модулем.

Ну и при установке на материнку.

Использование

Я не буду тут скриншотить результаты мемтеста — только один раз прогнал на паре модулей при первой установке, чтобы убедиться в том, что ничего подозрительного нет. Если модуль сам по себе рабочий, то от переходника практически ничего не меняется.
Разве что из-за удлинения дорожек и добавление дополнительного разъёма может возникнуть потребность скинуть частоту работы.
Но меня больше интересовали вопросы совместимости. А скорость памяти я всегда ставлю на второе место после объёма.

На руках у меня сейчас девять модулей. Два свежекупленных 4GB AMD DDR3 1600 (были куплены по ошибке, то ли вместо ddr3l, то ли вместо десктопных, в итоге осели у меня), два 4GB китайца Kllisre DDR3, 1333 и 1600, 4GB ADATA 1600, 4GB Kingston DDR3 1333, 2GB Samsung DDR3 1066, 2GB Goldkey DDR3L 1333 и 2GB Hynix DDR3L 1600.

Материнок с DDR3 под рукой сейчас четыре.
ASUS P8H61-MX, socket 1155, процессор Pentium G620 (memtest гонял тут, на памяти AMD).


Здесь завелись все имеющиеся модули.

MSI B75A-G41, socket 1155, процессор Pentium 2030T.


Тут нормально завелись только AMD, через раз заводился Hynix DDR3L, а все остальные модули уводили материнку в цикл «включилось-выключилось», даже POST не проходил. При этом с обычными DIMM’ами проблем замечено не было.


Была высказан гипотеза о том, что совместимость может зависеть от процессора — всё же G620 и G2030T к разным поколениям принадлежат (Sandy Bridge и Ivy Bridge соответственно). Потому из интереса поставил G620 на эту материнку — ничего не изменилось, что не работало — продолжало не работать. Так что причины несовместимости явно в материнке.

Через пару дней подумал, что надо бы обновить биос. Обновил, там как раз было написано «улучшена совместимость с памятью». Тесты повторил, но получилось не всё проверить, пара модулей ушла в ноутбук и расковыривать его не хотелось уже.

Совместимость явно улучшилась, хотя стопроцентной и не стала.

P5G41T-M LX2/GB, socket 775, процессор Core 2 Quad Q8200.

Плата стоит в рабочем системнике, тесты надо было делать максимально быстро, так что картинку сделать забыл. 🙂

Но память проверил всю — не завёлся ни один модуль. Даже, казалось бы, самый совместимый 2GB DDR3 1066.

При этом родная память стоит два модуля по 4GB 1333.

ASUS M5A78L-M LX3, socket AM3+, процессор AMD FX(tm)-6300.


Тут результаты точно такие же, как и на socket 775 — ничего не завелось.

Вердикт

Если у вас много ноутбучных модулей памяти объёмом от 4 гигабайт, некуда её пристроить, но при этом есть недостаток десктопной памяти, то эти переходники могут быть полезны.
В минусах неясная совместимость. Две материнки из четырёх (ну, чуть-чуть меньше :)).
Но экстраполировать не могу — информации не хватает, выборка очень небольшая, а пока больше проверить негде. Ходить по офисам и дёргать рабочие системники желания у меня нет, юзеры обидятся. 🙂 Да и там большей частью 775 сокет, пара-тройка АМ3 и парочка 1156, наверное. 1150 и 1151 нету, к сожалению.
Предварительно, по своим опытам и почитав интернеты, как гипотезу могу принять, что нужна материнка на 1155. Истории успеха в основном об этом сокете пишут. Не работает с 775. С АМ3 нашел один отзыв о том, что какие-то модули запустились у человека, но два из трёх у него глючили ещё до загрузки ОС.

Ну и минусом можно повышенную высоту считать, в тесных корпусах или под большими кулерами может не быть возможности использовать переходник.

Update: попробовал переходники на плате ASUS B85M-G, socket 1150 с i3-4170. Память завелась вся, кроме китайского китайца Kllisre 4GB 1333.

Update 2: MSI B75A-G41, модуль памяти на 8 гигабайт через переходник завёлся нормально. Работает пока что в паре с китайцем на частоте 666. Повышать частоту не хочу, после написания обзора у меня четвёрки начали продаваться потихоньку, на вырученные деньги возьму пару обычных восьмёрок. 🙂

GDDR3, GDDR5, GDDR6, HBM2, HBM3

В старых видеокартах использовался тип памяти SDR, который имел одинарную скоростью передачи данных. В современных видеокартах используются память типа DDR или GDDR данные передаются в 2 или в 4 раза больше объемов данных при той же частоте, поэтому рабочую частоту умножают на 2 или на 4.

В продаже можно встретить видеокарты с различными типами видеопамяти. Для дешевых видеокарт, класса low-end, используется тип GDDR2 и GDDR3. Такие видеокарты маломощные и для современных игр подходят с трудом.

Какая разница между GDDR5, GDDR5X и GDDR6

Графическая память — важная характеристика видеокарты, оказывает непосредственное влияние на производительность в играх.

Одной из наиболее широко используемых типов памяти по-прежнему остается GDDR5, но она постепенно заменяется более продвинутой GDDR6.

GDDR5

GDDR5 была самой быстрой памятью для видеокарт. AMD GTX 1060, GTX 1070 и RX 580 — хорошие примеры видеокарт с модулем памяти GDDR5 на борту. Память GDDR5 может обеспечивать скорость до 9 Гбит/с, а графические карты поставлялись с объемами: 512 МБ, 1 ГБ, 2 ГБ, 4 ГБ и 8 ГБ. Чипы GDDR5 производятся разными производителями, такими как Samsung, Hynix, ELPIDA или Micron.

GDDR5X

GDDR5 имеет новую расширенную версию, GDDR5X. Эта память является новым эволюционным шагом, обеспечивающим скорость до 14 Гбит/с и высокую пропускную способность, что делает ее отличным выбором для использования в высокопроизводительных графических картах, таких как GeForce GTX 1080 Ti.

GDDR6

Память GDDR6 является самой последней в этом стандарте. Напряжение для памяти GDDR6 составляет 1,3 Вольт и может обеспечить скорость передачи до 16 Гбит/с при пропускной спосбности до 72 Гбит/с на чип. Выпускают ее все те же компании: Samsung, Micron и Hynix. Причем Samsung и Micron будет обеспечивать скорость до 16 Гбит/с. Hynix будет занята в среднем сегменте производительности, где скорость ограничена 12–14 Гбит/с.

Память GDDR6 достигает уровня производительности, аналогичного GDDR5X, но не стоит заблуждаться, это совершенно новый стандарт, его потенциал еще не раскрыт и мы увидим гораздо более мощные чипы в будущем. Вполне возможно мы достигнем 20 Гбит/с.

Сравнение производительности и потребления у GDDR6 и GDDR5

 

В следующей таблице приведены наиболее важные характеристики памяти GDDR5 и GDDR6:

GDDR5 / 5X GDDR6
Напряжение 1.5V 1.3V
Производитель Samsung, Micron, and Hynix Samsung, Micron, and Hynix
Скорость передачи 8 Gbps GDDR514 Gbps GDDR5X 16 Gbps
Формат FBGA190, 0.65 mm pitch, 14x10mm FBGA180, 0.75 mm pitch, 14 × 12 mm
Конфигурация X16 / x32 X8 / x16
Каналов 1 2
Объем памяти 512 MB, 1 GB, 2 GB, 4 GB, and 8 GB 8 GB and 16 GB

 

Популярные видеокарты

 

Память HBM2

HBM 2 — это HBM-память второго поколения, имеющая все характеристики HBM, но с более высокой скоростью и пропускной способностью памяти. Она может иметь до 8 DRAM на стек, со скоростью передачи до 2 Гбит/с. С интерфейсом памяти шириной 1024 бит, пропускную способность памяти 256 ГБ / с на стек, что вдвое больше, чем у памяти HBM. Общая емкость HBM2 также больше, и она может иметь до 8 ГБ на стек. Первым чипом GPU, использующим память HBM2, является Nvidia Tesla P100. Новейшая видеокарта Nvidia серии Pascal для рабочих станций Nvidia Quadro GP100 также оснащена памятью HBM2. Память HBM2 будет использоваться в основном для VR-игр, AR-игр и других приложений где нужно быстрая работа с видеопамятью.

Архитектуры GPU, поддерживаемые HBM2, включают Vega, Pascal и новейшую архитектуру Volta GPU от Nvidia. Преемником HBM2 является HBM3, который будет выпущен в 2020 году. Топовые графические карты, использующие память HBM2: Nvidia Titan V, Radeon Vega Frontier Edition, Radeon RX Vega 56, Radeon Vega RX 64, Nvidia Quadro GP100.

Память HBM3

HBM3 — эта память еще не поставлена на конвейер, ее выход ожидаться в 2020 году. HBM2. Память HBM3 будет работать быстрее, потреблять меньше энергии и иметь большую емкость по сравнению с памятью HBM2. HBM3 позволит использовать до 64 ГБ видеопамяти на графических картах и пропускную способность до 512 ГБ/с на стек.

 

История развития стандартов памяти

Впервые память DDR2 использовалась в видеокарте NVIDIA GeForce FX 5800 Ultra. Хотя память была чем-то средним между DDR и DDR2.

Память GDDR3 была разработана специально для видеокарт, она имела те же характеристики, что и DDR2, однако с уменьшенным потреблением и тепловыделением, это позволило проектировать платы, с более высокими рабочими частотами. А значит, повышалась производительность и упрощалась система охлаждения.

Впервые DDR3 была установлена на модифицированную NVIDIA GeForce FX 5700 Ultra, а после в GeForce 6800 Ultra. Хотя стандарт был разработан инженерами ATI совместно с JEDEC, впервые его использовала компания nVidia. Сама ATI начала использовать этот тип памяти в серии Radeon X800. Также GDDR3 использовался в игровых приставках PlayStation 3 и Xbox 360

GDDR4 работала почти в 2 раза быстрее, чем предыдущая GDDR3. Технически она не сильно отличалась от GDDR3. Главными особенностями стало то, что GDDR4 имела повышенные рабочие частоты и уменьшенное энергопотребление – примерно в три раза меньше, чем у GDDR3.

ATI RADEON X1950 XTX стала первой видеокартой, на которую были установлены чипы GDDR4. Память не пользовался особой популярностью, снята с производства и заменена GDDR5.

GDDR5 — самый быстрый тип видеопамяти, который применяется в видеокартах hi-end класса, работающий на учетверённой частоте до 5 ГГц (хотя теоретически до 7 ГГц). Это дало возможность повысить пропускную способность до 120 ГБ/с при использовании 256-битного интерфейса. Для примера: чтобы повысить пропускную способность у памяти типа GDDR3 или GDDR4, нужно было использовать шину шириной 512 бит. При использовании GDDR5 производительность увеличивается вдвое, при меньших размерах самого чипа и с меньшими затратами энергии.

Развитие памяти видеокарты

GDDR GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5
Nvidia ATI
Год массового выпуска 2001 2003 2004 2006 2006 2008
Макс. Частота 200 MHz 500 MHz 900 MHz 1.2 GHz 1.4 GHz 5 GHz
Конфигурация 4 Mx32 4 Mx32 8 Mx32 8 Mx32 16Mx32 32Mx32
Ширина буфера 2n 4n 4n 4n 8n 8n
Напряжение 2.5 V 2.5 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.5 V

Краткое и грязное руководство по оперативной памяти: что нужно знать

RAM — это кратковременная память вашего компьютера. Здесь ваш компьютер отслеживает программы и данные, которые вы используете прямо сейчас. Вы, вероятно, уже знаете, что больше ОЗУ лучше, но, возможно, вы хотите установить больше ОЗУ сейчас.

Однако покупка оперативной памяти может сбивать с толку.В чем разница между DDR3 и DDR4? DIMM и SO-DIMM? Есть ли разница между DRR3-1600 и PC3-12800? Важны ли задержка ОЗУ и время?

Прочтите объяснения о различных типах ОЗУ, о том, как читать спецификации ОЗУ и о том, как именно работает ОЗУ. И не становитесь жертвой этих мифов и заблуждений об оперативной памяти.

Что такое оперативная память?

RAM означает Оперативная память .Он действует как золотая середина между маленьким сверхбыстрым кешем вашего процессора и большим сверхмедленным хранилищем на жестком диске или твердотельном накопителе (SSD). Ваша система использует оперативную память для временного хранения рабочих частей операционной системы и данных, которые ваши приложения активно используют. ОЗУ не является формой постоянного хранилища.

Думайте о своем компьютере как о офисе.Жесткий диск — это картотечный шкаф в углу. Оперативная память похожа на всю офисную рабочую станцию, а кэш ЦП — это как фактическая рабочая область, где вы активно работаете с документом.

Чем больше у вас оперативной памяти, тем больше у вас будет быстрого доступа в любой момент.Точно так же, как наличие большего стола может вместить больше кусочков бумаги, не становясь беспорядочным и громоздким (а также требуя большего количества поездок в картотечный шкаф для реорганизации).

Однако, в отличие от офисного стола, оперативная память не может выступать в качестве постоянного хранилища.Содержимое вашей системной RAM теряется, как только вы выключаете питание. Потеря мощности — это все равно что вытирать на столе все документы.

RAM Обычно означает SDRAM

Когда люди говорят об оперативной памяти, они обычно говорят о Synchronous Dynamic RAM (SDRAM) .В этой статье также обсуждается SDRAM. Для большинства настольных компьютеров и ноутбуков оперативная память представляет собой флешку, которую можно вставить в материнскую плату.

К сожалению, для сверхтонких и легких ноутбуков растет тенденция к тому, чтобы оперативная память была припаяна к материнской плате непосредственно в интересах экономии места.Однако это приносит в жертву возможность модернизации и ремонта.

Не путайте SDRAM с SRAM , что означает статическая RAM.Статическая RAM — это память, используемая, помимо прочего, для кешей ЦП. Он намного быстрее, но также ограничен в своих возможностях, что делает его непригодным в качестве замены SDRAM. Маловероятно, что вы столкнетесь с SRAM при общем использовании, поэтому вам не о чем беспокоиться.

Форм-факторы RAM

По большей части ОЗУ бывает двух размеров: DIMM (модуль памяти с двумя линиями), который используется в настольных компьютерах и серверах, и SO-DIMM (Small Outline DIMM), который используется в ноутбуках и других устройствах. компьютеры малого форм-фактора.

Хотя два форм-фактора ОЗУ используют одну и ту же технологию и функционально работают одинаково, их нельзя смешивать.Вы не можете просто вставить модуль DIMM в слот SO-DIMM и наоборот (контакты и слоты не совпадают!).

Когда вы покупаете оперативную память, первое, что нужно выяснить, — это ее форм-фактор.Все остальное не имеет значения, если клюшка не подходит!

Что означает DDR?

ОЗУ, которое вы используете в своем компьютере, работает с использованием Double Data Rate (DDR).DDR RAM означает, что за такт происходит две передачи. Новые типы ОЗУ представляют собой обновленные версии той же технологии, поэтому модули ОЗУ имеют маркировку DDR, DDR2, DDR3 и так далее.

Хотя все поколения RAM имеют одинаковый физический размер и форму, они все еще несовместимы с .Вы не можете использовать DDR3 RAM на материнской плате, которая поддерживает только DDR2. Точно так же DDR3 не помещается в слот DDR4. Чтобы избежать путаницы, у каждого поколения RAM есть выемки на контактах в разных местах. Это означает, что вы не можете случайно перепутать модули оперативной памяти или повредить материнскую плату, даже если купите не тот тип.

DDR2

DDR2 — это самый старый тип оперативной памяти, с которым вы, вероятно, столкнетесь сегодня.Он имеет 240 контактов (200 для SO-DIMM). DDR2 была хорошо заменена, но вы все еще можете купить ее в ограниченном количестве для обновления старых машин. В противном случае DDR2 устарела.

DDR3

DDR3 была выпущена еще в 2007 году.Хотя в 2014 году он был официально заменен DDR4, вы все еще найдете множество систем, использующих старый стандарт оперативной памяти. Зачем? Потому что только в 2016 году (через два года после запуска DDR4) системы с поддержкой DDR4 действительно набрали обороты. Кроме того, оперативная память DDR3 охватывает огромный диапазон поколений процессоров, от сокета Intel LGA1366 до LGA1151, а также AMD AM3 / AM3 + и FM1 / 2/2 +. (Для Intel это с момента появления линейки Intel Core i7 в 2008 году до 7 -го поколения Kaby Lake!)

ОЗУ DDR3 имеет такое же количество контактов, что и DDR2.Однако он работает с более низким напряжением и имеет более высокие тайминги (подробнее о таймингах RAM чуть позже), поэтому они несовместимы. Кроме того, модули DDR3 SO-DIMM имеют 204 контакта по сравнению с 200 контактами DDR2.

DDR4

DDR4 появилась на рынке в 2014 году, но до сих пор не получила полного контроля над рынком оперативной памяти.Длительный период исключительно высоких цен на оперативную память приостановил обновление многих пользователей. Но по мере того, как цены снижаются, все больше людей переходят на него, тем более что все последние поколения процессоров AMD и Intel используют исключительно оперативную память DDR4. Это означает, что если вы хотите перейти на более мощный процессор, вам также понадобится новая материнская плата и новая оперативная память.

DDR4 еще больше снижает напряжение оперативной памяти с 1.5В до 1,2В, при увеличении количества контактов до 288.

DDR5

DDR5 выйдет на потребительские рынки в 2019 году.Но, учитывая, сколько времени обычно занимает распространение нового поколения оперативной памяти, ожидайте услышать больше об этом в 2020 году. Производитель оперативной памяти SK Hynix ожидает, что DDR5 будет составлять 25% рынка в 2020 году и 44% в 2021 году.

DDR5 останется 288-контактным, хотя напряжение RAM упадет до 1.1В. Ожидается, что производительность оперативной памяти DDR5 удвоит самый быстрый стандарт предыдущего поколения DDR4. Например, SK Hynix раскрыла технические подробности модуля оперативной памяти DDR5-6400, максимально возможного по стандарту DDR5.

Но, как и в случае с любым новым компьютерным оборудованием, при запуске ожидайте чрезвычайно высокую цену.Кроме того, если вы думаете о покупке новой материнской платы, не сосредотачивайтесь на DDR5 . Он пока недоступен, и, несмотря на то, что говорит SK Hynix, Intel и AMD потребуется время, чтобы подготовиться.

Жаргон RAM: скорость, задержка, время и многое другое

Вы сосредоточились на поколениях SDRAM, DIMM и DDR.Но как насчет других длинных цепочек чисел в модели RAM? Что они имеют в виду? В чем измеряется оперативная память? А как насчет ECC и Swap? Вот другие термины спецификации RAM, которые вам необходимо знать.

Тактовая частота, передачи, пропускная способность

Возможно, вы видели, что RAM обозначается двумя наборами цифр, например DDR3-1600 и PC3-12800.Они ссылаются и ссылаются на поколение ОЗУ и его скорость передачи . Число после DDR / PC и перед дефисом относится к поколению: DDR2 — это PC2, DDR3 — это PC3, DDR4 — это PC4.

Число после DDR означает количество мегатрансферов в секунду (МТ / с).Например, оперативная память DDR3-1600 работает со скоростью 1600 МТ / с. Упомянутая выше оперативная память DDR5-6400 будет работать со скоростью 6400 МТ / с — намного быстрее! Число после ПК обозначает теоретическую пропускную способность в мегабайтах в секунду. Например, PC3-12800 работает со скоростью 12800 МБ / с.

ОЗУ можно разогнать так же, как вы можете разогнать процессор или видеокарту.Разгон увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Производители иногда продают предварительно разогнанную оперативную память, но вы можете разогнать ее самостоятельно. Просто убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает более высокую тактовую частоту ОЗУ!

Вам может быть интересно, можно ли смешивать модули RAM с разной тактовой частотой.Ответ: да, вы можете, но все они будут работать с тактовой частотой самого медленного модуля. Если вы хотите использовать более быструю оперативную память, не смешивайте ее со старыми, более медленными модулями. Теоретически можно смешивать марки RAM, но это не рекомендуется. У вас больше шансов столкнуться с синим экраном смерти или другими случайными сбоями, когда вы смешиваете бренды RAM или разные тактовые частоты RAM.

Время и задержка

Иногда вы увидите модули ОЗУ с серией цифр, например 9-10-9-27.Эти числа обозначаются как тайминги . Время RAM — это измерение производительности модуля RAM в наносекундах. Чем ниже цифры, тем быстрее оперативная память реагирует на запросы.

Первое число (9 в примере) — это задержка CAS.Задержка CAS относится к числу тактов, которое требуется для того, чтобы данные, запрошенные контроллером памяти, стали доступными для вывода данных.

Вы можете заметить, что RAM DDR3 обычно имеет более высокие временные числа, чем DDR2, а DDR4 обычно имеет более высокие временные числа, чем DDR3.Тем не менее, DDR4 быстрее, чем DDR3, который быстрее, чем DDR2. Странно, правда?

Мы можем объяснить это на примерах DDR3 и DDR4.

Самая низкая скорость работы оперативной памяти DDR3 составляет 533 МГц, что означает тактовый цикл 1/533000000 или 1.87 нс. При задержке CAS в 7 циклов общая задержка составляет 1,87 x 7 = 13,09 нс. («нс» означает наносекунды.)

В то время как самая низкая скорость работы оперативной памяти DDR4 составляет 800 МГц, что означает тактовый цикл 1/800000000 или 1.25 нс. Даже если он имеет более высокий CAS, равный 9 циклам, общая задержка составляет 1,25 x 9 = 11,25 нс. Вот почему так быстрее!

Для большинства людей емкость всегда выше тактовой частоты и задержки .Вы получите гораздо больше преимуществ от 16 ГБ оперативной памяти DDR4-1600, чем от 8 ГБ оперативной памяти DDR4-2400. В большинстве случаев время и задержка являются последними пунктами рассмотрения.

ECC

Код исправления ошибок (ECC) RAM — это особый тип модуля памяти, предназначенный для обнаружения и исправления повреждения данных.ОЗУ ECC используется на серверах, где ошибки в критически важных данных могут быть катастрофическими. Например, личная или финансовая информация, хранящаяся в ОЗУ при манипулировании связанной базой данных.

Потребительские материнские платы и процессоры обычно не поддерживают ОЗУ, совместимую с ECC.Если вы не создаете сервер, который специально требует ОЗУ ECC, вам следует держаться от него подальше.

Сколько вам нужно оперативной памяти?

Давно прошли те времена, когда «640K должно хватить всем».»В мире, где смартфоны регулярно поставляются с 4 ГБ ОЗУ или более, а браузеры, такие как Google Chrome, слишком быстро распределяют память, экономия ОЗУ осталась в прошлом. Средний объем установленной ОЗУ увеличивается на всех типах оборудования, слишком.

Для большинства людей 4 ГБ — это минимальный объем оперативной памяти, необходимый для обычного компьютера.Операционные системы тоже имеют разные характеристики. Например, вы можете запустить Windows 10 всего с 1 ГБ ОЗУ, но вы обнаружите, что ваш пользовательский опыт вялый. И наоборот, многие дистрибутивы Linux очень хорошо работают с меньшим объемом оперативной памяти.

Если вы обнаружите, что у вас одновременно открыто шесть документов Word, и вы не можете заставить себя закрыть эти 60 вкладок в Google Chrome, вам, вероятно, понадобится как минимум 8 ГБ ОЗУ.То же самое происходит, если вы хотите использовать виртуальную машину.

ОЗУ 16 ГБ должно превышать потребности большинства.Но если вы продолжите работу утилит в фоновом режиме, с множеством вкладок браузера и всего прочего, вы оцените дополнительный объем оперативной памяти. Мало кому нужно 32гб ОЗУ, но как говорится, больше значит больше.

Обновление ОЗУ — определенно один из самых простых способов мгновенно повысить производительность.

Общие сведения о RAM

Теперь вы знаете разницу между оперативной памятью DDR2, DDR3 и DDR4.Вы можете отличить DIMM от SO-DIMM, и вы знаете, как определить оперативную память с более высокой скоростью передачи и более высокой пропускной способностью. На данный момент вы, по сути, эксперт по оперативной памяти, поэтому в следующий раз, когда вы попытаетесь купить больше оперативной памяти или совершенно новую систему, это не должно вас расстроить.

На самом деле, если у вас правильный форм-фактор и соответствующее поколение оперативной памяти, вы не ошибетесь.Время и задержка играют роль, но главное — емкость. А если сомневаетесь, лучше больше ОЗУ, чем быстрее.

7 лучших портативных мониторов для вашего ноутбука

Об авторе

Гэвин Филлипс
(Опубликовано 598 статей)

Гэвин — младший редактор отдела Windows and Technology Explained, регулярный участник Really Useful Podcast и редактор дочернего сайта MakeUseOf, посвященного криптографии, Blocks Decoded.У него есть степень бакалавра (с отличием) в области современного письма с использованием методов цифрового искусства, разграбленных на холмах Девона, а также более десяти лет профессионального писательского опыта. Он любит много пить чая, настольные игры и футбол.

Ещё от Gavin Phillips

Подпишитесь на нашу рассылку новостей

Подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать технические советы, обзоры, бесплатные электронные книги и эксклюзивные предложения!

Еще один шаг…!

Подтвердите свой адрес электронной почты в только что отправленном вам электронном письме.

Что такое DDR3? — DDR3 против DDR2

Что такое DDR3?

Для обеспечения совместимости и взаимозаменяемости компьютерной памяти структура и форм-фактор контролируются организацией по стандартизации, известной как JEDEC. JEDEC определяет напряжения, скорости, тайминги, протоколы связи, адреса банков и многие другие факторы при проектировании и разработке модулей памяти DIMM. Присмотревшись к публикациям на сайте www.jedec.org может дать представление о том, что DDR3 приносит на рынок и куда она может пойти. Сравнивая DDR2 и DDR3, можно выделить несколько интересных моментов.

Официальные спецификации JEDEC
DDR2 DDR3
Номинальная скорость 400-800 Мбит / с 800-1600 Мбит / с
Vdd / Vddq 1.8 В +/- 0,1 В 1,5 В +/- 0,075 В
Внутренние банки 4 8
Прекращение действия Limited Все сигналы DQ
Топология Обычный T Облет
Управление драйвером Калибровка OCD Самокалибровка с ZQ
Датчик температуры Да (дополнительно)

Помните, что спецификации JEDEC являются официальными.Они являются отправной точкой для компаний-энтузиастов памяти. Однако, поскольку стандарта JEDEC для памяти быстрее, чем DDR-400, никогда не существовало, память DDR, работающая на более высоких скоростях, действительно является разогнанной DDR-400. Точно так же память DDR2 быстрее, чем DDR2-800, на самом деле является разогнанной DDR2-800, поскольку в настоящее время нет официальной спецификации JEDEC для DDR2-1066. Скорость

DDR соответствует DDR-400, DDR2 имеет официальные характеристики с 400 до 800, а DDR3 расширит это с 800 до 1600 на основе текущей спецификации JEDEC.Первоначальные предложения DDR3 будут 1066, а вскоре последуют 1333. Скорость 1333 важна, потому что она соответствует скорости шины 1333 новых процессоров Intel. Процессоры 1333 могут работать с любой скоростью памяти DDR3 или DDR2, но 800 и 1067 будут перекрывать скорости с DDR2. 1333 будет первой DDR3-памятью, предлагающей повышенную скорость памяти для нынешних и будущих процессоров.

Поскольку DDR3 предназначена для работы с более высокими скоростями памяти, целостность сигнала модуля памяти теперь более важна.DDR3 использует так называемую технологию «пролетного пути» вместо «T-ответвлений», наблюдаемых на модулях DDR2. Это означает, что линии адреса и управления представляют собой единый путь от одной DRAM к другой, где DDR2 использует топологию T, которая разветвляется на модулях DDR2. «Облет» устраняет механическую балансировку линии и использует автоматическую временную задержку сигнала, генерируемую контроллером, зафиксированным при обучении системы памяти. Каждый чип DDR3 DRAM имеет схему автоматического выравнивания для калибровки и запоминания калибровочных данных.

DDR3 также использует больше внутренних банков — 8 вместо 4, используемых DDR2 — для дальнейшего ускорения системы. Больше внутренних банков позволяет осуществлять предварительную выборку, чтобы уменьшить задержку доступа. Это должно стать более очевидным по мере увеличения размера DRAM в будущем.

DDR3 еще больше снижает напряжение памяти. За последние несколько лет мы перешли с 2,5 В с DDR на 1,8 В с DDR2. DDR3 снижает напряжение памяти до 1,5 В, что на 16% меньше, чем у DDR2. Есть также дополнительные встроенные функции энергосбережения с DDR3, такие как частичное обновление.Это может быть особенно важно в мобильных приложениях, где энергия батареи больше не будет требоваться только для обновления части DRAM, которая не используется активно. Существует также спецификация для дополнительного термодатчика, который может позволить мобильным инженерам дополнительно экономить электроэнергию, обеспечивая минимальное количество циклов обновления, когда система не находится в режиме высокой производительности.

DDR3 — это даже больше, но для большинства энтузиастов, ищущих новую настольную систему, DDR3 может обеспечить более высокие официальные скорости, вплоть до 1600 МГц.Более высокие скорости доступны при более низком напряжении, с 1,5 В в качестве официальной спецификации. Есть много функций, которые не будут иметь большого значения для производительности DDR3, пока мы не увидим еще более быструю и более емкую память. Тогда возникает вопрос, обеспечивает ли память DDR3 лучшую производительность для компьютерных энтузиастов, чем нынешняя DDR2?

Обработка чисел и игра — DDR3 против DDR2

Number Crunching and Gaming

Теперь мы знаем, что единственное реальное улучшение в наших тестах — это увеличение пропускной способности памяти на 16–18% на P35, независимо от того, работает ли он с DDR2 или DDR3.Следующий вопрос заключается в том, приводит ли это улучшение пропускной способности к какому-либо реальному повышению производительности системы.

Чтобы посмотреть на чистое вычисление чисел, SuperPi 1.5 запускался во всех конфигурациях теста памяти. SuperPi — очень простая программа, поскольку она просто вычисляет значение Пи с указанным количеством десятичных знаков. В данном случае мы выбрали 2 миллиона мест.

Super Pi 1,5 — 2,66 ГГц
Время в секундах — чем меньше, тем лучше
Скорость памяти P965
ASUS P5B Dlx
P35 DDR2
ASUS P5K Dlx
P35 DDR3
ASUS P5K3 Dlx
DDR2-800 3-3-3-9 46.05 45.06
DDR2-800 5 / 6-6-6-15
DDR3-800 6-6-6-15
47,28 46,08 45,96
DDR2-1067 4-4-3-11 45,39 44,47
DDR2-1067 5 / 6-6-6-15 45,72 45.02
DDR3-1067 7-7-7-20 45,11
DDR3-1333 9-9-9-25 44,96

Интересно видеть, что улучшение пропускной способности памяти на P35 действительно приводит к более быстрым результатам на SuperPi 1.5. Как уже неоднократно говорилось, память — это всего лишь одна часть системы, поэтому увеличение пропускной способности памяти на 16–18% приведет к гораздо меньшему увеличению производительности системы.

При чистом вычислении чисел P35 дает улучшение результатов SuperPi на 2–3%. Хотя это небольшое улучшение, оно одинаково для скоростей и результатов тестов. Как видно из результатов по пропускной способности памяти, разница в производительности заключается в чипсете P35, а не в DDR3. На самом деле не имеет значения, используете ли вы DDR2 или DDR3 на P35; вы получите немного лучшую производительность обработки чисел с P35.

Игры

Стандартизированный игровой тест был выбран из нашего набора тестов памяти, чтобы определить, улучшила ли лучшая пропускная способность памяти P35 игровую производительность.Демо-версия Far Cry — River была запущена для 3 циклов, и результаты в FPS были усреднены по 3 запускам.

Far Cry — HOC River
кадров в секунду — чем выше, тем лучше
Скорость памяти P965
ASUS P5B Dlx
P35 DDR2
ASUS P5K Dlx
P35 DDR3
ASUS P5K3 Dlx
DDR2-800 3-3-3-9 101.26 102,91
DDR2-800 5 / 6-6-6-15
DDR3-800 6-6-6-15
97,76 99,93 100,27
DDR2-1067 4-4-3-11 103,04 108,02
DDR2-1067 5 / 6-6-6-15 102 106.61
DDR3-1067 7-7-7-20 102,29
DDR3-1333 9-9-9-25 103,18

Мы были очень удивлены результатами игрового тестирования. Мы действительно не ожидали, что улучшение пропускной способности P35 сильно повлияет на игровые результаты, но Far Cry показал улучшение производительности от 2% до 5%, просто сравнивая P35 и P965 при тех же условиях.На самом деле не имело значения, работает ли P35 с DDR2 или DDR3; улучшение было по существу таким же.

Тем не менее, из этих результатов должно быть ясно, что игры хорошо реагируют на более низкие (более быстрые) тайминги памяти, поэтому результаты 800 3-3-3 и 1067 4-4-3 возглавляют диаграммы результатов. Тем не менее, обещание DDR3 очевидно в том факте, что 1067 на медленных таймингах 7-7-7-20 работает почти так же, как P965 на 4-4-3, а на очень медленных 1333 9-9-9- 25 DDR3 превосходит DDR2 4-4-3 на P965.Однако результаты для DDR2 на P35 за те же самые короткие промежутки времени являются самыми быстрыми результатами тестирования в сравнении.

При одинаковой скорости и тайминге DDR2 и DDR3 работают практически одинаково в играх на P35, и они быстрее, чем DDR2 на P965. DDR3 в те же сроки может иметь очень небольшое преимущество в производительности по сравнению с DDR2 на той же платформе, но еще слишком рано делать такой вывод. Результаты для DDR3 с таймингами 1067 и 1333 действительно заставляют нас рассчитывать на DDR3 с более быстрыми таймингами памяти.Сейчас это хорошо, и с лучшими таймингами DDR3, вероятно, будет отлично работать на этих более высоких скоростях.

В чем разница между памятью DDR3 и памятью GDDR5?

Принципиальные отличия:
• DDR3 работает при более высоком напряжении, чем GDDR5 (обычно 1,25–1,65 В против ~ 1 В)
• DDR3 использует 64-битный контроллер памяти на канал (так, 128-битная шина для двухканального, 256-битная для четырехканального), тогда как GDDR5 работает в паре с контроллерами номинальной 32-битной памяти (по 16 бит для каждого входа и выхода). ), но в то время как контроллер памяти ЦП является 64-битным на канал, графический процессор может использовать любое количество 32-битных вводов-выводов (за счет размера кристалла) в зависимости от приложения (2 для 64-битной шины, 4 для 128 -бит, 6 для 192-бит, 8 для 256-бит, 12 для 384-бит и т. д…). Настройка GDDR5 также допускает удвоение или асимметричную конфигурацию памяти. Обычно (на примере карт этого поколения) в памяти GDDR5 используются микросхемы памяти 2 Гбит для каждого 32-разрядного ввода-вывода (т.е. для 256-разрядной шины / карты 2 ГБ: 8 x 32-разрядных модулей ввода-вывода, каждый из которых подключен цепь к 2 Гбит IC = 8 x 2 Гбит = 16 Гбит = 2 ГБ), но GDDR5 также может работать в так называемом режиме раскладушки, где 32-битный ввод-вывод вместо подключения к одной IC разделен между двумя (один на с каждой стороны печатной платы), что позволяет увеличить объем памяти вдвое.Сочетание 32-разрядных контроллеров памяти и разделения схемы памяти позволяет создавать асимметричные конфигурации (192-разрядные, 2 ГБ видеопамяти, например)
• Физически контроллер / ИС GDDR5 удваивает количество операций ввода-вывода DDR3 — с DDR ввод-вывод обрабатывает ввод (запись в память) или вывод (чтение из памяти), но не оба в одном цикле. GDDR обрабатывает ввод и вывод в одном цикле.

Память также в основном настроена специально для приложения, которое она использует:
Системная память (DDR3) выигрывает от низкой задержки (жесткие тайминги) за счет пропускной способности, в случае GDDR5 все наоборот.Сроки для GDDR5 кажутся невероятно медленными по сравнению с DDR3, но скорость VRAM невероятно высока по сравнению с оперативной памятью настольного компьютера — это результат относительной нагрузки, которую берут на себя CPU и GPU. Задержка не является большой проблемой для графических процессоров, поскольку их параллельный характер позволяет им переходить к другим вычислениям, когда циклы задержки вызывают остановку текущей рабочей нагрузки / потока. Например, на производительность видеокарты сильно влияет (в процентах) изменение внутренней пропускной способности, но изменение внешней пропускной способности (шина PCI-Express, скажем, снижение с x16 до x8 или x4) имеет минимальный эффект.Это связано с тем, что существует большое количество операций ввода-вывода (например, текстур), которые постоянно меняются местами в видеопамяти и из нее — природа графического процессора состоит из множества параллельных вычислений, тогда как центральный процессор выполняет вычисления в основном линейным образом.

Простите за стену текста, но вы спросили.

% PDF-1.4
%
618 0 объект>
endobj

xref
618 100
0000000016 00000 н.
0000003335 00000 н.
0000003526 00000 н.
0000003552 00000 н.
0000003598 00000 н.
0000003633 00000 н.
0000003842 00000 н.
0000003921 00000 н.
0000003999 00000 н.
0000004078 00000 н.
0000004157 00000 н.
0000004235 00000 н.
0000004313 00000 н.
0000004391 00000 п.
0000004469 00000 н.
0000004547 00000 н.
0000004625 00000 н.
0000004703 00000 п.
0000004781 00000 н.
0000004859 00000 н.
0000004937 00000 н.
0000005015 00000 н.
0000005093 00000 н.
0000005171 00000 п.
0000005249 00000 н.
0000005327 00000 н.
0000005404 00000 п.
0000005481 00000 н.
0000005558 00000 н.
0000005635 00000 н.
0000005712 00000 н.
0000005789 00000 н.
0000005866 00000 н.
0000005943 00000 н.
0000006020 00000 н.
0000006097 00000 н.
0000006173 00000 н.
0000006378 00000 п.
0000006896 00000 н.
0000007591 00000 н.
0000007627 00000 н.
0000007812 00000 н.
0000007889 00000 н.
0000008080 00000 н.
0000009314 00000 п.
0000009378 00000 н.
0000010419 00000 п.
0000011499 00000 п.
0000012197 00000 п.
0000012382 00000 п.
0000013479 00000 п.
0000014720 00000 п.
0000015844 00000 п.
0000017042 00000 п.
0000018202 00000 п.
0000019010 00000 п.
0000021680 00000 п.
0000022614 00000 п.
0000035247 00000 п.
0000035285 00000 п.
0000035342 00000 п.
0000035426 00000 п.
0000035514 00000 п.
0000035609 00000 п.
0000035770 00000 п.
0000035862 00000 п.
0000036019 00000 п.
0000036134 00000 п.
0000036255 00000 п.
0000036394 00000 п.
0000036536 00000 п.
0000036677 00000 п.
0000036792 00000 п.
0000036949 00000 п.
0000037060 00000 п.
0000037170 00000 п.
0000037303 00000 п.
0000037388 00000 п.
0000037520 00000 п.
0000037604 00000 п.
0000037739 00000 п.
0000037849 00000 п.
0000037976 00000 п.
0000038139 00000 п.
0000038247 00000 п.
0000038374 00000 п.
0000038537 00000 п.
0000038645 00000 п.
0000038772 00000 п.
0000038910 00000 п.
0000039008 00000 п.
0000039111 00000 п.
0000039215 00000 п.
0000039323 00000 п.
0000039436 00000 п.
0000039510 00000 п.
0000039622 00000 п.
0000039745 00000 п.
0000039858 00000 п.
0000002296 00000 н.
трейлер
] >>
startxref
0
%% EOF

717 0 obj> поток
xb«ʻe` Ȁ

определение ddr3_sdram и синонимов ddr3_sdram (английский)

PC3-10600 DDR3 SO-DIMM (204 контакта)

В вычислениях, DDR3 SDRAM , аббревиатура для синхронной динамической оперативной памяти с двойной скоростью передачи данных третьего типа, — это современный вид динамической оперативной памяти (DRAM) с интерфейсом с высокой пропускной способностью, который используется с 2007 года. .DDR3 SDRAM не является ни прямой, ни обратной совместимой с любым предыдущим типом оперативной памяти (ОЗУ) из-за различных сигнальных напряжений, таймингов и других факторов.

DDR3 — это спецификация интерфейса DRAM. Фактические массивы DRAM, в которых хранятся данные, аналогичны более ранним типам с аналогичной производительностью.

Основным преимуществом DDR3 SDRAM по сравнению со своим непосредственным предшественником, DDR2 SDRAM, является ее способность передавать данные с удвоенной скоростью (в восемь раз быстрее, чем у массивов внутренней памяти), что обеспечивает более высокую пропускную способность или максимальную скорость передачи данных.Благодаря двум передачам за такт четырехкратного увеличения тактовой частоты 64-битный модуль DDR3 может достигать скорости передачи, в 64 раза превышающей тактовую частоту памяти в мегабайтах в секунду (МБ / с). При передаче данных по 64 бита за один модуль памяти, DDR3 SDRAM обеспечивает скорость передачи (тактовая частота памяти) × 4 (для умножителя тактовой частоты шины) × 2 (для скорости передачи данных) × 64 (количество переданных битов) / 8. (количество бит / байт). Таким образом, при тактовой частоте памяти 100 МГц DDR3 SDRAM дает максимальную скорость передачи 6400 МБ / с.Кроме того, стандарт DDR3 допускает емкость микросхемы до 8 гигабайт.

Обзор

Сравнение модулей памяти для настольных ПК (DIMM).

Сравнение модулей памяти для портативных / мобильных ПК (SO-DIMM).

По сравнению с памятью DDR2, память DDR3 потребляет на 30% меньше энергии. Это снижение происходит из-за разницы в напряжениях питания: 1,8 или 2,5 В для DDR2 и 1,5 В для DDR3. Напряжение питания 1,5 В хорошо работает с 90-нанометровой технологией изготовления, используемой в оригинальных микросхемах DDR3.Некоторые производители также предлагают использовать транзисторы с двойным затвором для уменьшения утечки тока. [1]

В соответствии с JEDEC [2] , 1,575 вольт следует считать абсолютным максимумом, когда прежде всего важна стабильность памяти, например, в серверах или других критически важных устройствах. Кроме того, JEDEC заявляет, что модули памяти должны выдерживать напряжение до 1,975 вольт, прежде чем они будут необратимо повреждены, хотя они не обязаны правильно работать на этом уровне.

Основное преимущество DDR3 заключается в более высокой пропускной способности, которая стала возможной благодаря буферу предварительной выборки, который имеет 8 пакетов. Напротив, буфер предварительной выборки DDR2 имеет 4 пакета, а буфер предварительной выборки DDR — 2 пакета.

Модули

DDR3 могут передавать данные со скоростью 800–2133 млн транзакций в секунду с использованием как нарастающих, так и спадающих фронтов тактовой частоты ввода-вывода 400–1066 МГц. Иногда поставщик может ввести в заблуждение тактовую частоту ввода-вывода, обозначив MT / s как МГц. MT / s обычно вдвое больше, чем МГц, за счет двойной выборки, один по нарастающему фронту, а другой по спаду.Для сравнения: текущий диапазон скоростей передачи данных DDR2 составляет 400–1066 млн транзакций в секунду при использовании тактовой частоты ввода-вывода 200–533 МГц, а диапазон DDR составляет 200–400 млн операций в секунду при тактовой частоте ввода-вывода 100–200 МГц. Высокопроизводительная графика была первоначальным драйвером таких требований к полосе пропускания, когда требуется передача данных с высокой пропускной способностью между буферами кадров.

DDR3 действительно использует тот же стандарт электрической сигнализации, что и DDR и DDR2, Stub Series Terminated Logic, хотя и с разными таймингами и напряжениями. В частности, DDR3 использует SSTL_15. [3]

Прототипы

DDR3 были анонсированы в начале 2005 года. Продукты в виде материнских плат появились на рынке в июне 2007 года. [4] на базе чипсета Intel P35 «Bearlake» с модулями DIMM с пропускной способностью до DDR3-1600 (PC3-12800). [5] Intel Core i7, выпущенный в ноябре 2008 года, подключается непосредственно к памяти, а не через набор микросхем. Core i7 поддерживает только DDR3. Первые процессоры AMD Phenom II X4 с сокетом AM3, выпущенные в феврале 2009 года, были первыми, кто поддерживал DDR3.

Модули DIMM

DDR3 имеют 240 контактов и электрически несовместимы с DDR2. Эти два элемента не могут быть случайно заменены местами благодаря разному положению ключевых выемок на модулях DIMM. [6] Модули DDR3 SO-DIMM имеют 204 контакта. [7]

GDDR3 память, иногда неправильно называемая «DDR3» из-за схожего названия, представляет собой совершенно другую технологию, поскольку она предназначена для использования в видеокартах и ​​основана на DDR2 SDRAM.

DDR3L

Буква «L» в DDR3L означает низкое напряжение.JEDEC представила два стандарта низкого напряжения. Стандарт DDR3L составляет 1,35 В и имеет маркировку «PC3L» для своих модулей. Примеры включают DDR3L ‐ 800, DDR3L ‐ 1066, DDR3L ‐ 1333 и DDR3L ‐ 1600. Стандарт DDR3U составляет 1,25 В и имеет маркировку «PC3U» для своих модулей.

Задержки

Хотя типичные задержки для устройства JEDEC DDR2 составляли 5-5-5-15, некоторые стандартные задержки для устройств JEDEC DDR3 включают 7-7-7-20 для DDR3-1066 и 8-8-8-24 для DDR3-1333. .

Задержки

DDR3 численно выше, потому что тактовые циклы шины ввода-вывода, по которым они измеряются, короче; реальный временной интервал аналогичен задержкам DDR2 (около 10 нс).Есть некоторые улучшения, поскольку DDR3 обычно использует более свежие производственные процессы, но это не напрямую связано с переходом на DDR3.

Как и в случае с предыдущими поколениями памяти, более быстрая память DDR3 стала доступна после выпуска начальных версий. Память DDR3-2000 с задержкой 9-9-9-28 (9 нс) была доступна вовремя, чтобы совпасть с выпуском Intel Core i7. [8] Задержка CAS 9 на 1000 МГц (DDR3-2000) составляет 9 нс, а задержка CAS 7 на 667 МГц (DDR3-1333) равна 10.5 нс.

( CAS / Частота (МГц) ) × 1000 = X нс

Пример:

( 7 / 667 ) × 1000 = 10,4948 нс

Расширения

Корпорация Intel официально представила спецификацию eXtreme Memory Profile (XMP) 23 марта 2007 года, чтобы дать энтузиастам возможность расширения производительности традиционных спецификаций JEDEC SPD для DDR3 SDRAM. [9]

Модули

Стандартные модули JEDEC

Стандартное наименование

Часы памяти

(МГц)

Время цикла

(нс)

Тактовая частота шины ввода / вывода

(МГц)

Скорость передачи данных

(МТ / с)

Название модуля

Пиковая скорость передачи

(МБ / с)

Сроки

(CL-tRCD-tRP)

Задержка CAS

(нс)

DDR3-800D
DDR3-800E
100 10 400 800 PC3-6400 6400 5-5-5
6-6-6
12 1 2
15
DDR3-1066E
DDR3-1066F
DDR3-1066G
133⅓ 7 1 2 533⅓ 1066⅔ PC3-8500 8533⅓ 6-6-6
7-7-7
8-8-8
11 1 4
13 1 8
15
DDR3-1333F *
DDR3-1333G
DDR3-1333H
DDR3-1333J *
166⅔ 6 666⅔ 1333⅓ PC3-10600 10666⅔ 7-7-7
8-8-8
9-9-9
10-10-10
10 1 2
12
13 1 2
15
DDR3-1600G *
DDR3-1600H
DDR3-1600J
DDR3-1600K
200 5 800 1600 PC3-12800 12800 8-8-8
9-9-9
10-10-10
11-11-11
10
11 1 4
12 1 2
13 3 4
DDR3-1866J *
DDR3-1866K
DDR3-1866L
DDR3-1866M *
233⅓ 4 2 7 933⅓ 1866⅔ PC3-14900 14933⅓ 10-10-10
11-11-11
12-12-12
13-13-13
10 5 7
11 11 14
12 6 7
13 13 14
DDR3-2133K *
DDR3-2133L
DDR3-2133M
DDR3-2133N *
266⅔ 3 3 4 1066⅔ 2133⅓ PC3-17000 17066⅔ 11-11-11
12-12-12
13-13-13
14-14-14
10 5 16
11 1 4
12 3 16
13 1 8

* опционально

CL — Тактовые циклы между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответе

tRCD — Тактовые циклы между активацией строки и чтением / записью

tRP — Тактовые циклы между предварительной зарядкой строки и активацией

Дробные частоты обычно округляются в меньшую сторону, но обычно округляется до -667, так как точное число составляет -666⅔ и округляется до ближайшего целого числа.Некоторые производители также округляют до определенной точности или вместо этого округляют в большую сторону. Например, память PC3-10666 может быть указана как PC3-10600 или PC3-10700. [10]

Примечание: Все перечисленные выше позиции указаны JEDEC как JESD79-3D. [11] Все скорости передачи данных RAM между этими перечисленными спецификациями или выше не стандартизированы JEDEC — часто это просто оптимизация производителя с использованием микросхем с более высокими допусками или повышенного напряжения. Из этих нестандартных спецификаций самая высокая скорость, о которой сообщалось, по состоянию на май 2010 года была эквивалентна DDR3-2544. [12]

DDR3-xxx обозначает скорость передачи данных и описывает необработанные микросхемы DDR, тогда как PC3-xxxx обозначает теоретическую полосу пропускания (с усеченными двумя последними цифрами) и используется для описания собранных модулей DIMM. Пропускная способность рассчитывается путем умножения количества передач в секунду на восемь. Это связано с тем, что модули памяти DDR3 передают данные по шине шириной 64 бита, а поскольку байт состоит из 8 бит, это равняется 8 байтам данных за одну передачу.

В дополнение к вариантам пропускной способности и емкости модули могут

  1. Дополнительно можно реализовать ECC, которая представляет собой дополнительную полосу байтов данных, используемую для исправления незначительных ошибок и обнаружения основных ошибок для повышения надежности.Модули с ECC идентифицируются дополнительным кодом ECC или E в своем обозначении. Например: «PC3-6400 ECC» или PC3-8500E. [13]
  2. Быть «зарегистрированным», что улучшает целостность сигнала (и, следовательно, потенциально тактовую частоту и емкость физического слота) за счет электрической буферизации сигналов с помощью регистра за счет дополнительных тактовых импульсов с увеличенной задержкой. Эти модули идентифицируются дополнительным кодом R в своем обозначении, тогда как незарегистрированные (a.k.a. «небуферизованный») RAM может быть обозначен дополнительным U в обозначении. PC3-6400R — это зарегистрированный модуль PC3-6400, а PC3-6400R ECC — это тот же модуль, что и ECC.
  3. Модули

  4. Be с полной буферизацией, которые имеют обозначение F или FB и не имеют такого же положения выемки, как другие классы. Модули с полной буферизацией нельзя использовать с материнскими платами, предназначенными для зарегистрированных модулей, а различное положение выемки физически препятствует их установке.

Обзор функций

Компоненты DDR3 SDRAM
  • Введение вывода асинхронного сброса
  • Поддержка компенсации времени полета на системном уровне
  • Распиновка памяти DRAM, совместимой с зеркалом на DIMM
  • Введение CWL (задержки записи CAS) на тактовый лоток
  • Двигатель для калибровки ввода / вывода на кристалле
  • ЧТЕНИЕ и ЗАПИСЬ калибровки
Модули DDR3
  • Пролетная шина команд / адреса / управления с оконечной нагрузкой на DIMM
  • Прецизионные калибровочные резисторы
  • Не являются ли обратно совместимыми с — модули DDR3 не подходят к сокетам DDR2; их применение может повредить DIMM и / или материнскую плату [14]
Технологические преимущества по сравнению с DDR2
  • Более высокая пропускная способность, стандартизовано до 2133 МТ / с
  • Немного улучшенные задержки, измеренные в наносекундах
  • Повышение производительности при низком энергопотреблении (увеличенное время автономной работы ноутбуков)
  • Расширенные функции пониженного энергопотребления

Развитие и выход на рынок

В мае 2005 года Дези Роден, председатель комитета JEDEC, ответственного за создание стандарта DDR3, заявил, что DDR3 разрабатывалась «около 3 лет». [15] DDR3 был запущен в 2007 году, но не ожидалось, что продажи превысят объем продаж DDR2 до конца 2009 или, возможно, начала 2010 года, по словам стратега Intel Карлоса Вайссенберга, выступавшего в начале их развертывания в августе 2008 года. [16] (Тот же самый временной масштаб для проникновения на рынок был заявлен компанией по анализу рынка DRAMeXchange за год до этого в апреле 2007 г., [17] и Дези Роден в 2005 г. [15] ). Причиной увеличения использования DDR3 стали новые процессоры Core i7 от Intel и процессоры Phenom II от AMD, оба из которых имеют контроллеры внутренней памяти: последний рекомендует DDR3, а первый требует этого.В январе 2009 года IDC заявила, что продажи DDR3 составят 29 процентов от общего количества проданных модулей DRAM в 2009 году, а к 2011 году вырастут до 72%. [18]

Преемник

Планируемым преемником

JEDEC DDR3 является DDR4, стандарт которой в настоящее время находится в разработке.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

2021 © Все права защищены. Карта сайта