Разное

Дата выхода ddr 5: Названы сроки появления оперативной памяти DDR5 от Samsung

Содержание

Оперативная память DDR5: дата выхода, характеристики, слухи

Всем привет. Только недавно я написал статью о сравнении оперативной памяти DDR3 и DDR4, а теперь хочу поговорить о памяти DDR5. Взгляд в будущее, так сказать. Итак, что же такое оперативная память DDR5 и чего следует от нее ожидать? Да и вообще когда нам ее ждать?

Читайте сразу обновленную информацию о DDR5 от 25.09.2017 года чуть ниже в статье

Конкретная дата выхода оперативки DDR5 еще не анонсирована, но прогнозируют ее появление к 2020 году. Хотя, как заверяют в JEDEC, в 2018 году мы уже увидим финальные спецификации и характеристики памяти DDR5. Ее уже сейчас активно разрабатывают.

А что пока известно о характеристиках? Совсем немного. Тактовую частоту планирует удвоить по сравнению с оперативной памятью DDR4, топовой на сегодняшний день. Также увеличится плотность чипов, что позволит увеличить объем каждой планки ОЗУ DDR5 в два раза (опять же по сравнению с DDR4). И снова-таки, как и с каждым предыдущим новым поколением ОЗУ, будет улучшена энергоэффективность. Правда пока нет точной информации с каким напряжением будет работать оперативная память DDR5 (уже есть, смотрите ниже).

Обновленная информация (сентябрь 2017)

Возрадуйся читатель! Оперативную память DDR5 планируют выпустить немного раньше обещанных сроков. Выпуск перенесли на 2019 год. То есть на год назад.

Оперативная память DDR5 — проект

Помимо этого появилась новая информация о характеристиках памяти DDR5. Рабочая частота ОЗУ будет начинаться с отметки 4800 Mhz. А вот до каких высот она доберется остается только фантазировать. При том, что в предыдущем поколении (DDR4) частота начиналась с 2133 МГц, а сейчас некоторые представители этой памяти могут похвастаться частотой 4600 МГц.

Это конечно «слишком гениально«, но если применить простую пропорцию, то теоретически можно ожидать, что частоты оперативной памяти DDR5 могут подняться выше 10000 МГц в перспективе.

4600 / 2133 * 4800 = 10351… Mhz

Поживем увидим!

Теперь о рабочем напряжении. Стало известно, что напряжение продолжит снижаться и в грядущем поколении снизится до отметки 1,1 Вольта. Не очень большой прорыв в этом направлении, но он есть.

Предыдущие поколения работали на следующих показателях:

  • DDR1 — 2.5 V
  • DDR2 — 1.8 V
  • DDR3 — 1.5 V
  • DDR3L — 1.3 V
  • DDR3U — 1.25 V
  • DDR4 — 1.2 V
  • DDR5 — 1.1 V

Память GDDR5 это не оперативная память DDR5

Чтобы избежать небольшой путаницы, следует упомянуть про видеопамять GDDR5. Сейчас практически каждая современная видеокарта имеет память такого типа. Но память GDDR5 не имеет ничего общего с оперативной памятью DDR5. Технологически GDDR5 это тот же DDR3, только заточенный под видеокарту. Точно так же, как и GDDR3 технологически был идентичен памяти DDR2. Не путайте!

К слову будет сказано, материнская плата, которая поддерживает видеокарты с графической памятью GDDR3, точно также хорошо будет поддерживать видеокарты с памятью GDDR5. Это несколько отличается от ОЗУ, где под каждое новое поколение оперативной памяти изменяется интерфейс ее подключения (слот).

Самый главный вывод по этому пункту это то, что DDR5и GDDR5 — это совершенно разные и вещи!

Вывод:

Вот такие вот дела у нас с оперативной памятью DDR5. Ждем. Хотя сейчас очень многие все еще сидят на DDR3, никак не могут перейти на DDR4. Но я думаю это ненадолго. Скоро DDR4 полностью вытеснит DDR3. Остается только посочувствовать тем, кто собирает новые компьютеры на базе DDR3, если только их материнка не поддерживает оба типа памяти.

Не забывайте читать статью о том, как выбрать ОЗУ для компьютера. И оставляйте в комментариях свои мысли по поводу будущего оперативной памяти.

Что известно о DDR5? Дата выхода и преимущества ОЗУ

Возможностей современной оперативной памяти стандарта DDR4 вполне достаточно для мультимедийного софта, видеоредакторов и игр, однако с появлением девятого поколения консолей индустриальные требования возрастут. Когда выйдет DDR5 дата выхода которой интересует как профессионалов в различных областях, так и геймеров?

Ориентировочный старт продаж намечен на 2021 год, однако вначале эти планки ОЗУ будут распространяться в секторе B2B, то есть для бизнеса. Широкое распространение потребительских моделей планируется к 2022-му или позднее, всё зависит от дальнейшей производственной обстановки в мире.

Необходимо наладить производство, усовершенствовать оборудование и адаптировать существующие мощности под новый техпроцесс.

Ассоциация JEDEC уже утвердила все необходимые стандарты и спецификации, дело осталось за производителями. Как водится в индустрии, характеристики будут варьироваться в каждом конкретном случае.

Дата выхода DDR5 – когда выйдет и какие характеристики?

Около двух недель назад компания SK Hynix представила первый модуль Double Data Rate, адаптированный под серверную инфраструктуру с высокой степенью нагрузки. Плотность микросхем составляет 16 Гбит, а максимальная вместимость каждой платы – 256 GB.

Понятно, что нынешним геймерам столько не требуется, да и профессиональный видеомонтаж в Adobe Premier в разы менее требователен. Исключение составляет только Pro-графический рендеринг 3D-графики, где вес объектов действительно может исчисляться десятками гигабайт. Но там основная нагрузка приходится на видеокарту.

Ориентировочная скорость передачи информации – от 5200 МТ/с и выше, причём рост будет наблюдаться в серверном сегменте на 400-600 МТ/с ежегодно. Известна заинтересованность компании AMD, намеревающейся добавить совместимость с семейством ЦПУ EPYC Genoa, да и Intel с их Xeon Scalable отставать не намерена. Для чего эти CPU? Правильно, для серверов.

Как и бывает с новыми девайсами на рынке, первое время стоимость покажется заоблачной, превышая аналогичные объёмы DDR4 в 2-4 раза. Нужна ли вам такая оперативная память? Напишите в комментариях.

Подписывайтесь на наши каналы в Яндекс.Дзене и на YouTube! Копирование текстов с сайта GameNewsBlog.ru запрещено.

Когда выйдет DDR5 и характеристики

Стандарт DDR5 (Double Data Rate – удвоенная скорость передачи данных) представляет собой стандарт нового поколения для памяти с произвольным доступом (Random Access Memory — RAM). Новая спецификация обещает появление чипов, обладающих более высокой производительностью, чем существующие модули памяти DDR4. Кроме того, они будут потреблять меньше энергии.

Но что это значит для настольных компьютеров? Давайте взглянем на то, что нам известно сегодня, а также попытаемся разобраться когда выйдет DDR5 и мы сможем применять её в своих компьютерах.

Содержание статьи:

Зачем нам нужна RAM на DDR5

С появлением первого поколения процессоров Ryzen от AMD началась новая «ядерная» война. AMD предложила 4-ядерные, 8-потоковые процессоры для компьютеров среднего класса, и 8-ядерные, 16-потоковые процессоры для пользователей высокопроизводительных компьютеров. Это почти удвоило характеристики процессоров по сравнению с теми, что Intel годами предлагала для этих сегментов рынка.

В третьем поколении процессоров Ryzen компания AMD увеличила число ядер еще на 50%, предложив чипы с шестью ядрами для компьютеров среднего класса, и 12-ядерные процессоры для высокопроизводительных компьютеров. Intel была вынуждена отреагировать на это увеличением числа ядер своих процессоров, хотя и сделала это не столь агрессивно, как AMD.

Менее чем за три года мы прошли от четырех ядер, которые были почти наивысшим показателем, появления которого большинство игроков и обычных пользователей могли ожидать в своих компьютерах, до величины в три раза большей. Все это означает то, что нам теперь необходимо резко увеличить пропускную способность памяти для одного ядра, если мы хотим, чтобы наши компьютеры не отставали от «ядерной» гонки между AMD и Intel.

Как видно из приведенных графиков, пропускная способность на одно ядро оставалась относительно стабильной с начала 200-х годов. Однако, начиная с прошлого года, пропускная способность на одно ядро начала снижаться.

Производительность DDR5

Стандарт DDR5 обещает появление на рынке памяти с удвоенной плотностью, и с удвоенной производительностью по сравнению с модулями DDR4 первого поколения. По сравнению с DDR4-3200, RAM на базе DDR5-3200 будет иметь пропускную способность в 1.36 раз выше.

Однако ожидается, что чипы DRAM будут поставляться с пропускной способностью в 4800 MT/s, что в 1.87 раз превышает пропускную способность RAM на DDR4-3200. Официальный верхний порог скорости RAM стандарта DDR5 составляет 6400 MT/s, но некоторые модели могут перейти его при помощи разгона.

Тип памяти

Год выпуска Пропускная способность Число контактов Напряжение (В) Упреждающая выборка
SDR 1993 1.6 GB/s 168 3.3 1n
DDR 2000 3.2 GB/s 184 2.5/2.6 2n
DDR2 2003 8.5 GB/s 240 1.8 4n
DDR3 2007 17 GB/s 240 1.35/1.5 8n
DDR4 2014 25.6 GB/s 380 1.2 8n
DDR5 2019 32GB/s 380 1.1 8/16n
HBM2 2016 307 GB/s 2860 1.25/1.35 16n
GDDR6 2016 72 GB/s 180 1.35 16n

Компания SK Hynix вела работы по созданию модулей DDR5, которые могли бы иметь емкость 16Gb (2GB на каждый чип). Компания понизила напряжение с 1.2 до 1.1 вольта, что вместе с использованием техпроцесса 1Ynm позволяет снизить потребление мощности по сравнению с её же модулями памяти DDR4. Оперативная память DDR5 предлагает пропускную способность 6.4 Gb/s на каждый контакт.

Другие преимущества RAM стандарта DDR5 заключаются в двух независимых 40-битных каналах в каждом модуле, улучшением эффективности команд шины, улучшенной схеме обновления, и увеличенной группе банков для дальнейшего увеличения производительности.

Характеристики DDR5

По данным Micron, оперативка DDR5 будет иметь полностью переработанную архитектуру по сравнению с DDR4, с основным уклоном в сторону увеличения пропускной способности. Увеличить пропускную способность позволят ряд ключевых характеристик, наиболее важной из которых является возможность увеличения в DDR5 скорости передачи данных с 3200 MT/s до 6400 MT/s. Одно это увеличение скорости передачи данных должно позволить идти в ногу с будущими процессорами, которые могут содержать еще больше ядер.

Новый стандарт DDR5 также включает в себя и ряд новых элементов протокола, которые напрямую не связаны со скоростью передачи данных, но могут увеличить общую пропускную способность. Например, DIMM стандарт DDR5 будет поддерживать два 40-битовых (32 бита + ECC) независимых канала.

Новая длина пакета по умолчанию, равная 16 (BL16) в RAM на DDR5 позволит одному пакету иметь доступ к 64Б данных (что совпадает с размером кэша типичного процессора), используя при этом два независимых канала. Эта характеристика должна обеспечить значительное улучшение одновременности выполнения операций, и фактически, позволить нам перейти от 8-канальной памяти, которой мы пользуемся сегодня, к 16-канальной системе.

В DDR5, по сравнению с DDR4, также удвоено количество групп банков (BG), при этом количество банков а одной группе осталось тем же. Это значит, что общее число банков будет вдвое больше, чем у DDR4. В результате контроллеры смогут избегать снижения производительности, связанной с последовательным доступом к памяти в пределах одного банка. Все эти, и другие возможности указывают на то, насколько значительным будет переход с DDR4 на DDR5.

Дата выхода DDR5

В марте 2017 года, JEDEC (группа, разрабатывающая стандарт DDR и другие стандарты памяти и методы хранения информации) сообщила, что спецификация DDR5 должна выйти в 2018 году. В ноябре 2018 компания SK Hynix объявила о первом в мире модуле RAM, который соответствует стандарту DDR5, и выход которого намечен на 2020 год.

Но после этого SK Hynix сообщила, что выпустит модуль DDR5 в конце 2019 года. Компании Samsung и Micron также ранее заявляли, что они собираются выпускать модули DDR5, которые, однако, могут не полностью соответствовать стандарту.

По прогнозам компании SK Hynix, продажи модулей DDR5 должны составить 25% рынка RAM к 2020 году, и 44% – к 2021 году. Использование РАМ на базе DDR5 может развиваться еще быстрее, особенно на рынках мобильных устройств и центров обработки данных. Производители смартфонов (в том числе и Samsung) будут стремиться выиграть от использования более быстрых LPDRAM на основе DDR5, в то время как клиентам центров обработки данных необходимо удовлетворять свои растущие потребности в пропускной способности.

А пока, мы ждем когда станет известна точная дата выхода DDR5 для настольных компьютеров, но это, будет зависеть от предложений AMD и Intel по материнским платам. К сожалению, ни одна из этих компаний пока не раскрыла информацию по DDR5.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

DDR5? Да мы и с DDR4-то едва познакомились / Хабр

В январе 2020 на выставке CES представили память с максимальной скоростью DDR5 от SK Hynix. По слухам, Micron и другие производители тестируют похожие устройства. Пока их нельзя достать по обычным каналам, однако поскольку и материнских плат для них ещё нет, это не проблема. Насколько мы знаем, среди первых плат, которые смогут воспользоваться преимуществами новой технологии, будет Xeon Sapphire Rapids от Intel. Однако возникает вопрос: что это за технология?

Основы SDRAM

В целом для системы, требующей RAM, есть два основных конкурирующих варианта: статическая и динамическая память. Существуют и новые технологии, например, FeRAM и MRAM, однако классический выбор стоит между статической и динамической. Статическая RAM – это куча переключателей, по одному на бит. Настроили и забыли. А потом прочитали. А ещё она может работать очень быстро. Проблема в том, что на такой переключатель уходит обычно не менее четырёх транзисторов, а часто и шесть, поэтому в определённую область их можно запихнуть ограниченное количество. Энергопотребление часто оказывается тоже слишком высоким, хотя современные устройства могут неплохо справляться с этим.

Так что пока статическая память популярна у одноплатных компьютеров и небольших устройств, ПК или сервер не сможет разместить гигабайты статической памяти. Динамическая память использует для хранения каждого бита маленький конденсатор. Для соединения конденсатора с общей шиной всё равно нужен транзистор, но упаковать их можно плотненько. К сожалению, тут есть большая проблема: конденсаторы довольно быстро разряжаются. Нужно разработать некий способ периодического обновления памяти, или же она будет забывать. К примеру, типичный модуль DDR4 нужно обновлять каждые 64 мс.

Реальные устройства используют строки и столбцы конденсаторов для максимизации пространства и возможности обновления целого ряда за раз. Это означает, что устройство из 4096 рядов нужно обновлять каждые 15,6 мс, чтобы каждый ряд сохранял свои данные. Само обновление занимает всего несколько наносекунд.

В типичном массиве есть шина для строк и столбцов. Конденсатор соединяется с FET, который может подключать и отключать его от шины столбца. Вентиль FET соединён с шиной строки. Сигнал строки выбирает всю строку FET. У длинной шины столбцов есть своя ёмкость и сопротивление, поэтому на стабилизацию сигнала уходит какое-то время предзаряда, после чего мультиплексор считывает бит с нужного столбца. Запись проходит в обратном порядке. Если хотите, можете поиграться с симулятором памяти в браузере.

Так работает динамическая память, или DRAM. Что насчёт SDRAM? SDRAM — это динамическая память с синхронным интерфейсом с контроллером памяти. Контроллер позволяет вам собирать несколько команд сразу и обрабатывает всю логику работы со строками и столбцами, и даже умеет автоматически делать обновление памяти. Контроллер буферизует как команды, так и данные, что увеличивает пропускную способность по сравнению с многими другими технологиями.

История

История SDRAM началась в 1992, и к 2000-му году она вытеснила с рынка практически все иные разновидности DRAM. Индустриальная группа JEDEC стандартизировала интерфейс для SDRAM в 1993, поэтому при использовании памяти от разных производителей проблем обычно не бывает.

Обычная SDRAM может принимать одну команду и передавать одно слово данных за один такт. Со временем JEDEC определила стандарт двойной скорости данных, или DDR. Он всё равно принимает одну команду за цикл, однако записывает или считывает два слова за один такт. Он умеет делать это, передавая одно слово на восходящем фронте тактового сигнала, а другое на нисходящем. На практике это означает, что внутри на одну команду он читает два слова, что позволяет внутреннему таймеру работать медленнее, чем I/O. Так что если тактовая частота I/O будет 200 МГц, то внутренний таймер может работать на 100 МГц, и при этом при передаче данных всё равно будет передаваться по два слова на каждый такт I/O.

Всё это так хорошо работало, что в итоге изобрели стандарт DDR2, реорганизующий память так, чтобы внутри она работала с четырьмя словами, а потом отправляла или принимала по четыре слова сразу. Конечно, тактовая частота не менялась, поэтому увеличивалась задержка. DDR3 вновь удвоил внутренний размер данных, соответственно увеличив и задержку.

DDR4 пошёл по другому пути. Он не удвоил внутреннюю шину памяти, а сделал перемежающийся доступ к внутренним банкам памяти для увеличения пропускной способности. Уменьшение напряжения также позволяет увеличивать тактовую частоту. DDR4 появилась в 2012, хотя критическую массу набрала только в 2015.

Есть ощущение роста пропускной способности памяти? Ну практически. Рост пропускной способности примерно совпадал с ростом количества ядер в процессорах. Так что, хотя чистая пропускная способность и росла, пропускная способность в пересчёте на одно ядро на типичной машине уже довольно давно не менялась. На самом деле, с учётом быстрого роста количества ядер на типичном CPU, средняя её величина падает. Поэтому пришло время для нового стандарта.

DDR5

И вот у нас есть DDR5, определённый в 2017. Судя по отчётам, пропускная способность у DDR5-3200 SDRAM будет в 1,36 больше, чем DDR4-3200, а может быть, и ещё больше. Также мы слышим о том что размер предварительной выборки снова удвоится, по крайней мере, опционально.

Как видно из таблицы, за 26 лет пропускная способность по сравнению с оригинальной памятью SDR выросла в 20 раз. Неплохо. Предварительная выборка 16 слов выглядит особенно интересно, поскольку она позволит чипу заполнять типичный кэш ПК за один раз.

Есть и другие преимущества. К примеру, если вы когда-нибудь пробовали связать SDRAM с собственной схемой или FPGA, вам понравится режим контура обратной связи [loopback mode]. Если вы очень любите большие объёмы памяти, то максимальным объёмом памяти теперь будет 64 ГБ.

Кстати, есть ещё спецификация LP-DDR5 для варианта памяти с низким энергопотреблением для таких устройств, как смартфоны. Эту спецификацию выпустили в прошлом году, и пока мы не видим большой гонки производства подобных продуктов. LP-DDR4 позволяла выбрать из двух вариантов частоты, чтобы можно было жертвовать скоростью ради энергопотребления. У LP-DDR5 есть три разных варианта настройки. А есть ещё стандарты GDDR – уже до GDDR6 – для обработки графики и других высокоскоростных приложений. В перспективе, LP-DDR5 сможет работать с пропускной способностью в 6,4 Гб/с на бит I/O, а GGDR6 может похвастаться сотнями ГБ/с в зависимости от ширины слова.

И что теперь?

Если только у вас не загруженный сервер или что-то ещё, полностью загружающее все ядра вашего CPU, вы не почувствуете особой разницы между DDR4 и DDR5. Но, опять-таки, кто же не любит хороших результатов в тестах на скорость?

Кроме того, с точки зрения типичной рабочей станции, главный фокус состоит в том, чтобы иметь достаточно RAM, чтобы не слишком часто обращаться к диску. Особенно если у вас стоит диск с вращающимися пластинами, печально известными малой скоростью работы. Время на запись и чтение RAM оказывается не таким уж и существенным фактором в реальной работе. С твердотельными дисками ситуация уже не такая плохая, как раньше, однако пропускная способность типичного твердотельного диска лишь немногим больше, чем у DDR3, хотя на горизонте уже маячат более быстрые диски. Так что, если только вы не занимаетесь очень интенсивной нагрузкой множества ядер, вам лучше иметь 32 ГБ DDR3, чем 4 ГБ DDR5, поскольку больший объём памяти сэкономит вам время на более медленных операциях.

Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5


, Текст: Дмитрий Степанов


SK hynix представила «первые в мире» чипы DDR5. Новая энергозависимая память, как утверждают в южнокорейской компании, почти вдвое производительнее DDR4 и на 20% более энергоэффективна. Емкость модулей может достигать 256 ГБ.

Первая память стандарта DDR5

Южнокорейская компания SK hynix начала производство первой в мире оперативной памяти нового поколения DDR5 DRAM, говорится в пресс-релизе, опубликованном на официальном сайте компании. Продукт, по заявлению производителя, оптимизирован для решения задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.

Новинка поддерживает скорость передачи данных в диапазоне от 4800 до 5600 Мбит/сек на контакт, что в 1,8 раз выше показателя изделий стандарта предыдущего поколения – DDR4. Для сравнения: модуль памяти с такими характеристиками мог бы обеспечить передачу девяти фильмов в высоком разрешении (FullHD, примерно 5 ГБ каждый) в секунду.

Рабочее напряжение микросхемы было понижено с 1,2 до 1,1 В, благодаря чему уровень энергопотребления также снизился на 20%.

В DDR5-памяти SK hynix реализована функция коррекции ошибок (ECC, Error Correcting Code), которая по оценке производителя, повышает надежность работы приложений в 20 раз. Микросхемы DDR5 DRAM могут быть скомпонованы с максимальной плотностью при помощи технологии TSV, что позволяет получить модуль памяти емкостью до 256 ГБ.

Когда появятся продукты с поддержкой новой памяти

SK hynix объявила о создании первой в мире микросхемы 16-гигабитной памяти DDR5 DRAM в ноябре 2018 г. Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC опубликовал последнюю версию стандарта DDR5 в июле 2020 г.

Микросхемы памяти DDR5 SK hynix, а также 32- и 64-гигабайтные RDIMM-модули на ее основе

Если верить утечкам, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 может быть реализована в будущих серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids, которые должны выйти в 2021 г. CPU и APU компании AMD на базе архитектур Zen 4 и Zen 3+ соответственно могут обзавестись поддержкой DDR5 и выйти на рынок в 2022 г.

Согласно прогнозу исследовательской компании Omdia, спрос на DDR5 начнет расти в 2021 г., в 2022 г. достигнет 10% от рынка DRAM, а к 2024 г. превысит 40%.

До мобильной электроники «пятое поколение» уже добралось

В отличие от DDR5, оперативная память пятого поколения LPDDR5 (Low-Power DDR), ориентированная на сегмент мобильных устройств – смартфонов, планшетов и ноутбуков, появилась на рынке достаточно давно. Память данного типа применяется, к примеру, во флагманских смартфонах Samsung Galaxy S20 и Xiaomi Mi 10, выпущенные в феврале 2020 г.

Samsung стала первой компанией в мире, запустившей массовое производство 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5. Конвейер, как сообщал CNews, заработал в июне 2019 г., и первые чипы имели объем 6 Гбит. Первые 12-гигабитные модули были выпущены в сентябре 2019 г. Они обеспечивали скорость передачи данных 5500 Мбит/cек при на 30% меньшем уровне потребления энергии по сравнению с предшественником (LPDDR4x).

В конце февраля 2020 г. Samsung запустила в серию 16-гигабайтные модули памяти на базе ранее представленных 12-гигабитных чипов с пропускной способностью 5500 Мбит/сек.

В августе 2020 г. Samsung приступила к массовому производству первых в отрасли мобильных чипов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5 емкостью 16 Гбит. Помимо рекордной вместительности, производителем была заявлена самая высокая производительность изделия в своем классе.

При заявленной скорости в 6400 Мбит/сек новинка примерно на 16% быстрее 12-гигабитных LPDDR5 (5500 Мбит/сек), которые применяются в большинстве современных «флагманов». В упаковке 16 ГБ такая память, как отмечают в Samsung, может обеспечить передачу 51,2 ГБ информации (эквивалент 10 фильмов формата Full HD размером 5 ГБ) за одну секунду.

На первенство в освоении стандарта также претендует и другой крупный производитель памяти – американская компания Micron. В первых числах февраля 2020 г. она начала поставки своим клиентам модулей LPDDR5 объемом 6, 8 и 12 ГБ с пропускной способностью 5500 Мбит/сек и 6400 Мбит/сек.

Micron также заявляла о планах до конца II квартала 2020 г. начать поставки мультичипового пакета uMCP5, который состоит из оперативной памяти LPDDR5 и флеш-памяти UFS, для использования в смартфонах среднего и флагманского уровня. Применение такого решения, по оценке компании, должно благотворно повлиять на производительность гаджетов и время их работы на одном заряде.

DDR5, PCI-Express Gen 5.0 и USB 4.0 станут массовыми к 2022 году

©

Согласно просочившемуся слайду и отчету, опубликованному MyDrivers, похоже, что AMD будет поддерживать стандарт PCI-Express Gen 5.0 следующего поколения и DDR5 к 2022 году.

AMD будет поддерживать этот стандарт с помощью своей новой микроархитектуры ZEN4 следующего поколения, которая станет доступна к 2022 году, если все пойдет хорошо в соответствии с внутренней «дорожной картой». Но INTEL будет первым, кто продаст стандарт DDR5 с их линейкой процессоров Xeon Sapphire Rapids .

Стандарт DDR5 еще не вышел на потребительский уровень, но мы можем ожидать, что устройства DDR4 станут массовыми к концу этого года. Ожидайте много DDR4-совместимых устройств для потребительского игрового сегмента, а также материнских плат, графических процессоров, SSD. Ожидается , что будущая микроархитектура AMD «ZEN 3», намеченная на 2020 год, с выходом на рынок в 2021 году, будет придерживаться стандартов DDR4 , LPDDR4x и PCI-Express gen 4.0.

Таким образом, к 2022 году GEN 5.0 должен выйти на основной рынок. DDR5 заменит 5-летний стандарт памяти DDR4. AMD планирует использовать DDR5 к 2022 году вместе с поддержкой стандарта USB 4.0. Обратите внимание, что PCI-Express обратно совместим, что означает, что если у вас есть видеокарта PCIe 4.0, вы можете использовать ее на материнской плате, предназначенной для интерфейса PCIe 3.0; однако доступная пропускная способность карты будет ограничена возможностями PCIe 3.0.

Точно так же карта PCIe 3.0 поместится в слот PCIe 4.0, но опять же пропускная способность будет ограничена PCIe 3.0. AMD перейдет на DDR5 к 2022 году с ZEN 4, что принесет с собой множество устройств для потребителей и корпоративного рынка. Процессоры ZEN 4 — не единственные, кто получает поддержку для DDR5, так как чипы для ноутбуков с LPDDR4x и APU ZEN 3+ также будут поддерживать этот стандарт.

Ведущий производитель DRAM, такой как SK HYNIX, уже намекал на массовое производство памяти DDR5 следующего поколения к 2020 году. Скорости памяти DDR5 могут достигать до 8400 Мбит/с (8400 МГц), а один DIMM может поддерживать 128 ГБ, потребляя при этом меньше энергии.

Помимо удвоения пропускной способности поколений с PCI-E GEN 5.0, ожидается, что стандарт представит несколько новых функций, которые помогут с корпоративным и потребительским сегментом, выигрывая от вычислительных и масштабируемых процессоров, таких как AMD CDNA2. INTEL уже представила некоторые из этих функций с помощью собственной CXL interconnect. Что касается USB4, то это фактически просто вариант Thunderbolt 3 со скоростью 40 Гбит/с.

DDR5 также обеспечит скорость передачи данных в диапазоне от 3200 до 8400 МГц, а также плотности, такие как UDIMM 32 ГБ одного ранга, и новую функцию физического уровня, такую ​​как «same-bank refresh». Ожидайте увеличение пропускной способности по сравнению с будущим стандартом DDR4.0 .

ждём DDR5-4800, DDR5-6400 и далее

Комитет JEDEC, отвечающий за разработку и стандартизацию компьютерной памяти, объявил о готовности финальной версии спецификации DDR5 SDRAM. Новый тип памяти обещает стать причиной серьёзных изменений привычных платформ: стандарт предусматривает как минимум двукратное увеличение пиковых скоростей вместе с кратным ростом ёмкости модулей.

Утверждение спецификации DDR5 профильным отраслевым комитетом открывает новому стандарту путь на рынок, и можно ожидать, что первые системы с DDR5 SDRAM появятся уже в следующем году. Но внедрение, очевидно, начнётся с серверного сегмента, в то время как в клиентских устройствах новая память обоснуется несколько позднее. Тем не менее, ввод в обиход модулей DDR5 SDRAM должен достаточно сильно изменить привычные вычислительные системы.

Основное внимание при разработке DDR5 SDRAM было уделено вопросам повышения производительности памяти, которая очевидным образом не поспевает за растущими потребностями многоядерных процессоров. Поэтому ожидается, что первые модули новой памяти со старта возьмут рубеж в 4,8 Гбит/с на контакт, то есть DDR5-4800. А впоследствии скорости будут прогрессировать до 6,4 Гбит/с. При этом стоит иметь в виду, что производители памяти для настольных систем часто выходят за рамки спецификаций, поэтому не стоит удивляться, если рано или поздно на рынке появятся в том числе и модули DDR5-8400 или им подобные.

В основе роста скоростей лежит не рост тактовой частоты ядер памяти, которая масштабируются с большим трудом. Вместо этого разработчики традиционно занимаются увеличением параллелизма. Ключевой идеей, внедрённой в стандарте DDR5, выступает разделение одного модуля на два независимых канала. Иными словами, в то время как в DDR4 данные передаются по шине шириной 64 бит, в DDR5 используется две независимые шины по 32 бит (или 40 бит с ECC). Попутно длина пакета (Burst Length) для каждого канала увеличена с 8 до 16, что выливается в пересылку по 64 байт за такт по каждому каналу одного модуля. Это значит, что при одинаковой частоте ядра технология DDR5 предлагает удвоение пропускной способности по сравнению с DDR4.

Отдельно стоит подчеркнуть, что реализованная в DDR5 передача данных порциями по 64 байт позволяет синхронизировать работу оперативной памяти с функционированием типичной процессорной кеш-памяти, где также используются строки по 64 байт.

Вместе с другими изменениями, такими как раздельное обновление содержимого банков вместе с увеличением числа групп банков, всё это позволяет достичь дополнительного прироста реальной производительности благодаря снижению накладных расходов. Результаты моделирования показывают, что даже при сравнении модулей памяти DDR4 и DDR5 с формально одинаковой скоростью (например, 3,2 Гбит/с), новая память обеспечивает в 1,36 раза более высокую эффективную пропускную способность. При сравнении же DDR5-4800 и DDR4-3200 оценочная производительность первой оказывается выше в 1,87 раз.

Ещё одним важным шагом вперёд стало увеличение предельной ёмкости одного чипа до 64 Гбит, что в 4 раза превышает ёмкость чипов DDR4. Таким образом, при штабелировании по 8 чипов в микросхеме и использовании 32 чипов на модуле (это возможно в случае LRDIMM) ёмкость одного модуля может быть доведена до внушительных 2 Тбайт. Впрочем, если говорить о небуферизованных DIMM для потребительских систем, то стандарт DDR5 делает возможным создание модулей объёмом по 128 Гбайт, что тоже довольно неплохо.

Спецификация DDR5 предполагает, что новые модули памяти будут требовать напряжения 1,1 В и улучшат свою энергоэффективность. При этом DIMM нового стандарта продолжат использовать 288-контактный форм-фактор. Впрочем, другое назначение выводов и изменённое расположение ключей в слоте не позволит по ошибке установить DDR5 DIMM в слоты для DDR4 SDRAM.

Стоит понимать, что сегодня речь идёт только о появлении стандарта, в то время как широкого распространения DDR5 SDRAM придётся подождать ещё как минимум год или полтора. AMD планирует внедрить работу с DDR5 лишь в архитектуре Zen 4, которая выйдет в 2022 году. Intel же начнёт поддерживать DDR5 SDRAM с серверных процессоров Sapphire Rapids, которые, вероятно, выйдут в следующем году.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

ждём DDR5-4800, DDR5-6400 и далее

Комитет JEDEC, отвечающий за формат и стандартизацию компьютерной памяти, объявил о готовности финальной версии спецификации DDR5 SDRAM. Новый тип памяти обещает стать причиной серьёзных изменений привычных моделей: стандарт предусматривает как минимум двукратное увеличение пиковых скоростей вместе с кратным ростом ёмкости модулей.

Утверждение спецификации DDR5 профильным отраслевым комитетом открывает новому стандарту путь на рынок, и можно ожидать, что системы с DDR5 SDRAM появятся уже в следующем году.Новое внедрение, очевидно, начнётся с серверного сегмента, в то время как в клиентских устройствах новая память обоснуется несколько позднее. Тем не менее, ввод в обиход модули DDR5 SDRAM должен достаточно сильно изменить привычные вычислительные системы.

Основное внимание при разработке DDR5 SDRAM было уделено вопросам повышения производительности памяти, очевидным не поспевает за растущими потребностями многоядерных процессоров. Поэтому ожидается что первые модули новой памяти со стартам рубеж в 4,8 Гбит / с на контакт, то есть DDR5-4800.А скорости будут увеличиваться до 6,4 Гбит / с. При этом стоит иметь в виду, что производители памяти для настольных систем часто выходят за рамки спецификаций, поэтому не стоит удивляться, если рано или поздно на рынке появятся в том числе и модули DDR5-8400 или им подобных.

В основе скорости роста лежит не рост тактовой частоты ядер памяти, которая масштабируется с большим трудом. Вместо этого разработчики занимаются традиционными формами поведения. Ключевой идеей, внедрениеённой в стандарте DDR5, представляет разделение одного модуля на два независимых канала.Иными словами, в то время как в DDR4 данные передаются по шине шириной 64 бит, в DDR5 используются две независимые шины по 32 бит (или 40 бит с ECC). Попутно длина пакета (длина пакета) для каждого канала увеличена с 8 до 16, что выливается в пересылку по 64 байт за такт по каждому каналу одного модуля. Это значит, что при одинаковой частоте технология DDR5 предлагает удвоение пропускной способности по сравнению с DDR4.

Отдельно стоит подчеркнуть, что реализованная в DDR5 передача данных порциями по 64 байт позволяет синхронизировать работу оперативной памяти с функционированием типичной процессорной кеш-памяти, где также используются строки по 64 байт.

Вместе с другими изменениями, как такими раздельными объемами системы вместе с другими группами банков, всё это позволяет достичь дополнительного прироста производительности через снижение накладных расходов. Результаты моделирования показывают, что даже при использовании модулей памяти DDR4 и DDR5 с формально одинаковой скоростью (например, 3,2 Гбит / с), новая память обеспечивает в 1,36 раза более эффективную пропускную способность. При сравнении же DDR5-4800 и DDR4-3200 оценочная производительность первой оказывается в 1,87 раз.

Ещё одним важным шагом вперёд стало увеличение предельной ёмкости одного чипа до 64 Гбит, что в 4 раза больше ёмкости чипов DDR4. Таким образом, при штабелировании по 8 чипов в микросхеме и использовании 32 чипов на модуле (это возможно в случае LRDIMM) Объем одного модуля может быть доведена до внушительных 2 Тбайт. Впрочем, если говорить о небуферизованных DIMM для потребительских систем, то стандартный DDR5 делает возможным создание модулей объёмом по 128 Гбайт, что тоже довольно неплохо.

Спецификация DDR5 предполагает, что новые модули памяти будут требовать напряжения 1,1 В и улучшат свою энергоэффективность. При этом DIMM нового стандарта продолжат использовать 288-контактный форм-фактор. Впрочем, другое назначение выводов и изменённое расположение ключей в слоте не позволит по ошибке установить DDR5 DIMM в слоты для DDR4 SDRAM.

Стоит понимать, что сегодня идет только о появлении стандарта, в то время как распространение речи DDR5 SDRAM придётся подождать ещё как минимум год или полтора.AMD предлагает внедрить работу с DDR5 лишь в электрической энергии Zen 4, которая выйдет в 2022 году. Intel же начнёт поддерживать DDR5 SDRAM с серверных процессоров Sapphire Rapids, вероятно, выйдут в следующем году.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL + ENTER.

.

DDR5, PCI-Express Gen 5.0 и USB 4.0 станут массовыми к 2022 году

©

Согласно просочився слайду и отчету опубликованному MyDrivers, похоже, что AMD будет поддерживать стандарт PCI-Express Gen 5.0 следующего поколения и DDR5 к 2022 году.

AMD будет поддерживать этот стандарт с помощью микроархитектуры ZEN4 следующего поколения, которая станет доступной к 2022 году, если все пойдет в соответствии с внутренней «дорожной картой».Но INTEL будет первым, кто продаст стандарт DDR5 с их линейкой процессоров Xeon Sapphire Rapids .

Стандарт DDR5 еще не вышел на потребительский уровень, но мы ожидаем, что устройство DDR4 станет массовыми к концу этого года. Ожидайте много DDR4-совместимых устройств для потребительского игрового сегмента, а также материнских плат, графических процессоров, SSD. Ожидается, что будущая микроархитектура AMD «ZEN 3 », намеченная на 2020 год, с выходом на рынок в 2021 году, будет придерживаться стандартов DDR4 , LPDDR4x и PCI-Express gen 4.0.

Таким образом, к 2022 году GEN 5.0 должен выйти на основной рынок. DDR5 заменит 5-летний стандарт памяти DDR4. AMD здесь использовать DDR5 к 2022 году вместе с поддержкой стандарта USB 4.0. Обратите внимание, что PCI-Express совместима с , что означает, что если у вас есть видеокарта PCIe 4.0, вы можете использовать ее на материнской плате, предназначенной для интерфейса PCIe 3.0; однако доступная пропускная способность карты будет ограничена возможностями PCIe 3.0.

Точно так же карта PCIe 3.0 поместится в слот PCIe 4.0, но опять же пропускная способность будет ограничена PCIe 3.0. AMD перейдет на DDR5 к 2022 году с ZEN 4 , что принесет собой множество устройств для потребителей и корпоративного рынка. Процессоры ZEN 4 — не единственные, кто поддерживает DDR5, так как чипы для ноутбуков с LPDDR4x и APU ZEN 3+ также будут поддерживать этот стандарт.

Ведущий производитель DRAM, такой как SK HYNIX , уже намекал на массовое производство памяти DDR5 следующего поколения к 2020 году.Скорости памяти DDR5 может достигать до 8400 Мбит / с (8400 МГц), один DIMM может поддерживать 128 ГБ, потребляя при этом меньше энергии.

Помимо удвоения пропускной способности поколений с PCI-E GEN 5.0, ожидается, что стандартно представит несколько новых функций, которые помогут с корпоративным и потребительским сегментом выигрывая от вычислительных и масштабируемых процессоров, таких как AMD CDNA2. INTEL уже представила некоторые из этих функций с помощью собственных межсоединений CXL. Что касается USB4, это фактически просто вариант Thunderbolt 3 со скоростью 40 Гбит / с.

DDR5 также обеспечивает скорость передачи данных в диапазоне от 3200 до 8400 МГц, а также плотность, такую ​​как UDIMM 32 ГБ одного ранга, и новую функцию физического уровня, такую ​​как « same-bank refresh ». Ожидайте увеличение пропускной способности по сравнению с будущим стандартом DDR4.0 .

.

Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5


, Текст: Дмитрий Степанов


SK hynix представила «первые в мире» чипы DDR5. Новая энергозависимая память, как утверждают в южнокорейской компании, почти вдвое производительнее DDR4 и на 20% более энергоэффективна. Емкость модуля может достигать 256 ГБ.

Первая память стандарта DDR5

Южнокорейская компания SK hynix начала производства оперативной памяти нового поколения DDR5 DRAM, говорится в опубликованном на официальном сайте компании.Продукт, по заявлению производителя, оптимизирован для решения задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.

Новинка поддерживает скорость передачи данных в диапазоне от 4800 до 5600 Мбит / сек на контакт, что в 1,8 раз выше показателя изделий стандарта предыдущего поколения — DDR4. Для сравнения: модуль памяти с такими характеристиками мог бы предоставить передачу девяти фильмов в высоком разрешении (FullHD, примерно 5 ГБ каждый) в секунду.

Рабочее напряжение микросхемы было понижено с 1,2 до 1,1, благодаря уровню энергопотребления также снизился на 20%.

В DDR5-памяти SK hynix реализована функция коррекции ошибок (ECC, Error Correcting Code), которая по оценке производителя, повышает надежность работы приложений в 20 раз. Микросхемы DDR5 DRAM могут быть скомпонованы с максимальной плотностью при помощи технологии TSV, что позволяет получить модуль памяти емкостью до 256 ГБ.

Когда появились продукты с поддержкой памяти

SK hynix объявила о создании первой в мире микросхемы 16-гигабитной памяти DDR5 DRAM в ноябре 2018 г.Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC опубликовал последнюю версию стандарта DDR5 в июле 2020 г.

Микросхемы памяти DDR5 SK hynix, а также 32- и 64-гигабайтные RDIMM-модули на ее основе

Если в утечкам, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 может быть реализована в будущих серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids, которые должны выйти в 2021 г. ЦП и APU компании AMD на базе архитектуры Zen 4 и Zen 3+ соответственно обзавестись поддержкой DDR5 и выйти на рынок в 2022 г.

Согласно прогнозу исследовательской компании Omdia, спрос на DDR5 будет расти в 2021 г., в 2022 г. достиг 10% от рынка DRAM, а к 2024 г. превысит 40%.

До мобильной электроники «пятое поколение» уже добралось

В отличие от DDR5, оперативная память пятого поколения LPDDR5 (Low-Power DDR), ориентированная на сегмент мобильных устройств — смартфонов, планшетов и ноутбуков, появилась на рынке достаточно давно. Память данного типа используется, к примеру, во флагманских смартфонах Samsung Galaxy S20 и Xiaomi Mi 10, выпущенные в феврале 2020 г.

Samsung стала первой компанией в мире, запустившей массовое производство 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5. Конвейер, как сообщил CNews, заработал в июне 2019 г., и первые чипы имели объем 6 Гбит. Первые 12-гигабитные модули были выпущены в сентябре 2019 г. Они обеспечили скорость передачи данных 5500 Мбит / сек при на 30% меньшем уровне потребления энергии по сравнению с предшественником (LPDDR4x).

В конце февраля 2020 г. Samsung запустила в серию 16-гигабайтные модули памяти на базе ранее представленных 12-гигабитных чипов с пропускной способностью 5500 Мбит / сек.

В августе 2020 г. Samsung приступила к массовому производству первых мобильных чипов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5 емкостью 16 Гбит. Помимо рекордной вместимости, была заявлена ​​самая высокая производительность в своем классе.

При заявленной скорости в 6400 Мбит / сек новинка примерно на 16% 12-гигабитных LPDDR5 (5500 Мбит / сек), которые применяются в большинстве современных «флагманов». В упаковке 16 ГБ такая память, как отмечают в Samsung, может обеспечить передачу 51,2 ГБ информации (эквивалент 10 фильмов формата Full HD размером 5 ГБ) за одну секунду.

На первенство в освоении рейтинга претендует и другой крупный производитель памяти — американская компания Micron. В первых числах февраля 2020 г. она начала поставки своим модулям LPDDR5 объемом 6, 8 и 12 ГБ с пропускной способностью 5500 Мбит / сек и 6400 Мбит / сек.

Micron также заявляет о планах до конца II квартала 2020 г. начать поставки мультичипового пакета uMCP5, который состоит из оперативной памяти LPDDR5 и флеш-памяти UFS, для использования в смартфонах среднего уровня и флагманского уровня.Применение такого решения по оценке компании, должно быть благотворно повлиять на производительность гаджетов и время их работы на одном заряде.

.

DDR5? Да мы и с DDR4-то удивились / Хабр

В январе 2020 года на выставке CES представили память с максимальной скоростью DDR5 от SK Hynix. По слухам, Micron и другие производители тестируют похожие устройства. Пока их нельзя достать по обычному каналу, однако, поскольку и материнских плат для них ещё нет, это не проблема. Насколько мы знаем, среди платных пользователей, которые используют преимущества новой технологии, будет Xeon Sapphire Rapids от Intel. Однако возникает вопрос: что это за технология?

Основы SDRAM

В целом для системы, требуемой RAM, есть два основных конкурирующих варианта: статическая и динамическая память.Существуют и новые технологии, например, FeRAM и MRAM, однако классический выбор стоит между статической и динамической. Статическая RAM — это куча переключателей, по одному на бит. Настроили и забыли. А потом прочитали. А ещё она может работать очень быстро. Проблема в том, что на такой переключатель уходит обычно не четырёх транзисторов, поэтому в определенную область их можно запихнуть ограниченное количество. Энергопотребление часто оказывается слишком высоким, хотя современные устройства могут справляться с этим.

Так что пока статическая память популярна у одноплатных компьютеров и небольших устройств, ПК или сервер не поддерживает link гигабайты статической памяти. Динамическая использует для хранения каждого бита маленький конденсатор. Для соединения конденсатора с общей шиной всё равно нужен транзистор, но упаковать их можно плотненько. К сожалению, тут есть большая проблема: конденсаторы довольно быстро разряжаются. Нужно разработать некий способ периодического обновления памяти, или же она будет забывать.К примеру, типичный модуль DDR4 нужно обновлять каждые 64 мс.

Реальные возможности использования строк и столбцы конденсаторов для максимизации пространства и обновления целого ряда за раз. Это означает, что устройство из 4096 нужно обновлять каждые 15,6 мс, чтобы каждый ряд сохранял свои данные. Само обновление занимает всего несколько наносекунд.

В типичном массиве есть шина для строк и столбцов. Конденсатор соединяется с полевым транзистором, который может подключать и отключать его от шины столбца.Вентиль FET соединён с шиной строки. Сигнал строки выбирает всю строку FET. У длинной шины столбцов есть своя ём и сопротивление, поэтому на стабилизацию сигнала уходит какое-то время предзаряда, после чего мультиплексор считывает бит с нужного столбца. Запись проходит в обратном порядке. Если хотите, можете поиграться с симулятором памяти в браузере.

Так работает динамическая память, или DRAM. Что насчёт SDRAM? SDRAM — это динамическая память с синхронным интерфейсом с контроллером памяти.Контроллер позволяет вам собирать несколько команд сразу и обрабатывать всю логику работы со строками и столбцами, и даже умеет автоматически делать обновление памяти. Контроллер буферизует как команды, так и данные, увеличивает пропускную способность по системе с другими технологиями.

История

История SDRAM началась в 1992 году и к 2000-му году она вытеснила с рынка практически все разновидности DRAM. Индустриальная группа JEDEC стандартизировала интерфейс для SDRAM в 1993, поэтому при использовании памяти от разных производителей проблем обычно не бывает.

Обычная SDRAM может принимать одно слово одно слово за один такт. Со временем JEDEC определила стандарт двойной скорости данных, или DDR. Он всё равно принимает одну команду за цикл, однако записывает или считывает два слова за один такт. Он умеет делать это, передавая одно слово на восходящем фронте тактового сигнала, а другое на нисходящем. На практике это означает, что внутри одной команды он читает два слова, что позволяет внутреннему таймеру работать медленнее, чем ввод-вывод.Так что если тактовая частота ввода-вывода будет 200 МГц, то внутренний таймер может работать на 100 МГц, и при этом при передаче данных будет передаваться по два слова на каждый такт ввода-вывода.

Всё это так хорошо работало, что в итоге изобрели стандарт DDR2, реорганизующий память так, чтобы она работала с четырьмя словами, а потом отправляла или принимала по четыре слова сразу. Конечно, так частота не менялась, поэтому увеличивалась задержка. DDR3 вновь удвоил внутренний размер данных, увеличив и задержку.

DDR4 пошёл по другому пути. Он не удвоил внутреннюю шину память, сделал перемежающийся доступ к внутренней банкам памяти для увеличения пропускной способности. Уменьшение напряжения также позволяет увеличивать тактовую частоту. DDR4 появилась в 2012 году, хотя критическая масса набрала только в 2015 году.

Есть ощущение роста пропускной способности памяти? Ну практически. Рост пропускной способности примерно совпадение с ростом количества ядер в процессорах. Так что, хотя чистая пропускная способность и росла, пропускная способность в пересчёте на одно ядро ​​на типичной машине уже довольно давно не менялась.На самом деле, с учётом быстрого роста количества ядер на типичном процессоре, средняя её величина падает. Поэтому пришло время для нового стандарта.

DDR5

И вот у нас есть DDR5, установленный в 2017. Судя по отчётам, пропускная способность у DDR5-3200 SDRAM будет в 1,36 больше, чем DDR4-3200, а может быть, и ещё больше. Также мы слышим о том что размер предварительной выборки снова удвоится, по крайней, опционально.

Как видно из таблицы, за 26 лет пропускная способность по сравнению с оригинальной памятью SDR выросла в 20 раз.Неплохо. Предварительная выборка 16 слов выглядит особенно интересно, поскольку она позволяет чипу заполнять типичный кэш ПК за один раз.

Есть и другие преимущества. К примеру, если вы когда-нибудь пробовали связать SDRAM с собственной схемой или FPGA, вам понравится режим контура обратной связи [режим обратной связи]. Если вы очень любите большие объёмы памяти, то максимальным объёмом памяти теперь будет 64 ГБ.

Кстати, есть ещё спецификация LP-DDR5 для вариантов памяти с низким энергопотреблением для таких устройств, как смартфоны.Эту спецификацию выпустили в прошлом году, и пока мы не видим большой гонки производства подобных продуктов. LP-DDR4 позволяет выбрать из двух вариантов частоты, чтобы можно было жертвовать скоростью ради энергопотребления. У LP-DDR5 есть три разных варианта настройки. А есть ещё стандарты GDDR — уже до GDDR6 — для обработки графики и других высокоскоростных приложений. В перспективе LP-DDR5 сможет работать с пропускной способностью в 6,4 Гб / с на битах ввода / вывода, а GGDR6 может похвастаться сотнями ГБ / с зависимостью от ширины слова.

И что теперь?

Если только у вас не загруженный сервер или что-то ещё, вы не почувствуете особой разницы между DDR4 и DDR5. Но, опять-таки, кто же не любит хороших результатов в тестах на скорость?

, чтобы иметь доступ к RAM, чтобы не слишком часто обращаться к диску. Особенно если у вас стоит диск с вращающимися пластинами, печально известными малой скоростью работы.Время на запись и чтение RAM оказывается не таким уж и существенным фактором в реальной работе. С твердотельными дисками ситуация уже не такая плохая, как раньше, однако пропускная способность типичного твердотельного диска лишь немногим больше, чем у DDR3, хотя на горизонте уже маячат более быстрые диски. Так что, если только вы не занимаетесь очень интенсивной нагрузкой множества ядер, вам лучше иметь 32 ГБ DDR3, чем 4 ГБ DDR5, поскольку больший объём памяти сэкономит вам время на более медленных операциях.

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

2021 © Все права защищены. Карта сайта