Dimm и udimm разница: RDIMM, UDIMM, DIMM — отличия? — Хабр Q&A

8 терминов, которые вам нужно знать при покупке оперативной памяти |

Доброго времени суток дорогие друзья! Представьте следующую ситуацию: ваш верный компьютер, которому едва исполнилось полтора года, работает не так быстро, как вам бы хотелось. Это отличная система, единственной проблемой которой остаётся черепашья скорость. Вы очень хотите узнать, как можно её ускорить и поэтому принимаетесь за чтение.

Вы обнаруживаете огромное количество программ и сайтов, обещающих ускорить ваш компьютер, но понимаете, что они не дают особого эффекта и могут даже повредить системе в долгосрочной перспективе. И это ещё не всё. Вопреки вашим убеждениям, удаление файлов с жёсткого диска тоже не поможет компьютеру работать быстрее.

Авторы некоторых прочитанных вами статьей рекомендуют восстановить систему, вернув её к состоянию, когда всё работало нормально. Возможно, вы решаете попробовать данный метод, но он не приносит желаемого результата.

Наконец, вы находите информацию, предполагающую, что обновление некоторых аппаратных компонентов может решить проблему. Несмотря на не слишком обширные познания в компьютерной сфере, вы понимаете, что заменить оперативную память будет гораздо проще, чем жёсткий диск. Цена нескольких гигабайт оперативной памяти несравнима со стоимостью замены всего компьютера. Чувствуя облегчение, вы решаете остановиться на этом способе.

Но ознакомившись с ассортиментом специализированных магазинов, вы теряетесь в многочисленных типах оперативной памяти и терминах, использующихся для описания разных продуктов. Опыт говорит вам, что случайная покупка с надеждой на лучшее, скорее всего только усугубит ситуацию. Вы всего лишь хотите, чтобы компьютер работал нормально. Так что же делать?

Хотя RAM (память с произвольной выборкой или оперативная память) сравнительно легко найти и установить, у начинающего пользователя могут возникнуть проблемы, связанные с её совместимостью.

Благодаря социальным сетям и крупным СМИ, информация, раскрывающая все тайны компьютера, сейчас широко доступна. Многие начинающие и более опытные пользователи уверены в своих знаниях и могут без особых проблем выбирать компьютеры и ноутбуки. Однако, данные, касающиеся компонентов, всё ещё не столь распространены, поэтому обновление чего-то вроде оперативной памяти может привести среднестатистического пользователя в замешательство.

Конечно, всего можно попросить помощи у специалиста, но, к сожалению, нередки случаи, когда клиента, не разбирающегося в вопросе, обманывают, продавая ему оборудование по завышенной цене или просто ненужные компоненты.

Чтобы убедиться в том, что вы приобретаете верную RAM, вам придётся изучить продукт, которые вы собираетесь купить. Вот 8 терминов, которые нужно знать при покупке оперативной памяти.

SO-DIMM

Маленькие двухсторонние модули памяти или SO-DIMM считаются меньшей по размеру альтернативой для DIMM или двухсторонних модулей памяти. Их обычно можно найти в системах с ограниченным пространством, вроде ноутбуков, нетбуков, компактных компьютеров или даже дорогих принтеров с заменяемыми компонентами.

Модули DDR (с удвоенной скоростью передачи) и DDR2 SODIMM имеют по 200 контактов, но не являются взаимозаменяемыми. К счастью, в каждой версии модулей SO-DIMM имеется проём между контактами, не позволяющий установить их в несовместимую систему. Проём на DDR и DDR2 SODIMM находится на расстоянии одной пятой от всей длины модуля, в то время как на DDR2 он расположен чуть ближе к центру. У модулей DDR3 SO-DIMM имеется 204 контакта, а отверстие находится почти на расстоянии одной трети от длины всей платы. Ну и наконец, как DDR4, так и UniDIMM SO-DIMM имеют по 260 контактов и превышают по размерам модули первых трёх поколений.

UDIMM

UDIMM является типом DIMM, однако, это нерегистровая или небуферизованная память. Модули UDIMM чаще всего используются в настольных и портативных компьютерах. Хотя UDIMM быстрее и дешевле, чем регистровая память, так же известная как RDIMM, она гораздо менее стабильна. Впрочем, модули RDIMM обычно применяются в системах, где любая ошибка или нестабильность может оказаться фатальной. Чуть более высокий риск UDIMM, скорее всего, не станет серьёзной проблемой для рядового пользователя, желающего обновить личный компьютер.

Использующиеся сегодня чипы DDR представляют собой один из типов UDIMM.

GDDR3, 4 и 5

Графическая память с удвоенной скоростью передачи данных (GDDR) — это тип памяти, в основном применяющийся в видеокартах. Хотя технологии GDDR во многом напоминают DDR (память с удвоенной скоростью передачи данных), они отличаются друг от друга. Модули GDDR3, 4 и 5 всё ещё широко используются в наше время, и найти их не составит проблем.

Впервые представленная в 2004 году, вместе с GeForce FX 5700 Ultra от NVIDIA, память GDDR3 была построена на той же технологической базе, что и DDR2. Однако GDDR3 имела более низкие параметры рассеивания тепла и требования к питанию. Это позволило создавать более мощные модули памяти и обходится простыми системами охлаждения. Вдобавок к этому GDDR3 использует внутренние ограничители, что позволяет этому типу памяти лучше соответствовать определённым графическим требованиям.

Основанная на технологии DDR3, память GDDR4 была разработана как замена устаревшей GDDR3. В момент релиза GDDR4 включала в себя технологии DBI (инверсию шины данных) и Multi-Preamble, которые помогали уменьшить задержку при передаче данных. Однако GDDR4 нужно было работать с вдвое меньшей эффективность, чем GDDR3, чтобы достичь той же пропускной способности. После выпуска GDDR4, напряжение питания было уменьшено до 1,5 вольт, что значительно понизило требования к питанию. Максимальная скорость GDDR4 составляет 4 Гбит/с на контакт или 16 Гб/с на модуль.

Как и GDDR4, GDDR5 базируется на памяти DDR3. Начиная с 2007 года, когда компания Hynix Semiconductor выпустила первые модули памяти GDDR5 на 1 Гб класса 60 нм, разработчики старались сделать модули GDDR5 больше и мощнее. Домашняя консоль PlayStation 4 (читайте наш обзор) использует чипы GDDR5 на 512 Мб, а её общий объём памяти составляет 8 Гб. Ранее в этом году компания Samsung объявила о старте массового производства чипов GDDR5 на 256 Гбит/c, чтобы соответствовать требованиям экранов, поддерживающих высокие разрешения, такие как 4K.

EDO DRAM

EDO (память с расширенным выводом) DRAM была разработана для быстрых микропроцессоров, таких как Intel Pentium. Теперь она является устаревшей. EDO RAM должна была значительно уменьшить время, необходимое для чтения памяти. Хотя изначально эта память была оптимизирована для Pentium частотой 66 МГц, она не рекомендуется для более быстрых компьютеров. Вместо этого лучше использовать другие типы SDRAM (синхронной динамической RAM).

В 1994 году, когда EDO RAM только появилась, её максимальная тактовая частота равнялась 40 МГц, а пиковая пропускная способность составляла 320 Мб/с. В отличие от других форм DRAM (динамической памяти с произвольным доступом), которые могли работать только с одним блоком памяти, EDO RAM была способна сразу запрашивать следующий блок во время возвращения процессору предыдущего.

ECC и Не-ECC

Память ECC (код коррекции ошибок) — это особый тип хранилища компьютерных данных, способный обнаруживать и исправлять большую часть обычных форм повреждения данных. Чипы памяти ECC в основном применяются в компьютерах, где исключены любые ошибки, например, финансовых или научных системах, а также файловых серверах. Обычно однобитные ошибки не влияют на память, и система падает гораздо реже, чем такая же система, несовместимая с модулями ECC.

Не-ECC память, с другой стороны, чаще всего не может обнаружить ошибки в коде. Это происходит только при поддержке паритета. Однако даже в этом случае память способна лишь указать на проблему, но не решить её. Большинство персональных компьютеров и ноутбуков используют Не-ECC память, благодаря которой компоненты становятся дешёвыми и доступными. Система с Не-ECC памятью также может работать немного быстрее, поскольку производительность ECC памяти ниже примерно на 3 процента.

Обычно модули ECC DIMM снабжены девятью чипами на обеих сторонах, что на один больше, чем имеется в Не-ECC DIMM.

PCX-XXXXX

Название DDR DIMM не всегда является самым эффективным способом выражением скорости модуля. Благодаря удвоенной скорости передачи, DDR DIMM частотой 100 МГц на самом деле способна выполнять 200 миллионов операций по передаче данных в секунду. Из-за этого DDR DIMM на 100 МГц называют DDR-200, на 133 МГц — DDR-266 и так далее. Однако, байты — гораздо более естественная единица измерения, в сравнении с операциями в секунду, и упрощает вычисления. По этой причине скорости DIMM представляются в виде PC-рейтинга.

PC-рейтинг DDR DIMM можно рассчитать, умножив количество операций в секунду на 8. Таким образом, DDR-200 получит рейтинг PC-1600.

Модули DDR2 DIMM, будучи гораздо быстрее и мощнее своих предшественников, могут достигать скоростей, в два раза превосходящих DDR. В этом случае 100 МГц можно выразить как DDR2-400 или PC-3200. Дорогие модули DDR2 DIMM, достигающие частоты 266 МГц помечаются как DDR2-1066 или PC2-8500. Однако, при таких скоростях использование битов для PC-рейтинга уже не идеально. Вместо этого скорость округляется. В данном случае настоящая скорость PC2-8500 составит около 8500 Мб/с.

Модули DDR3 DIMM работают ещё быстрее. Производительность даже самой базовой модели превосходит показатели DDR DIMM в 4 раза. Это около 800 миллионов операций в секунду. Эти DIMM достигают скорости 6400 Мб/с и называются DDR3-800, а их рейтинг составляет PC3-6400. Мощнейшие модели, одобренные JEDEC (комитет инженеров, специализирующихся в области электронных устройств) имеют скорость 12400 Мб/с и рейтинг PC3-12400.

Небуферизованная и полностью буферизованная

Оперативная память может быть либо небуферизованной, либо полностью буферизованной. Иногда это называют нерегистровой и регистровой памятью. Буферизованная оперативная память обладает дополнительным компонентом под названием регистр. Регистр расположен между памятью и процессором. При работе он хранит или «буферизует» данные перед их отправкой процессору. В системах с большими объёмами памяти или высокой потребностью в надёжности чаще используется буферизованная RAM, иногда даже в сочетании с ECC RAM. Буферизованная RAM также снижает потребность системы, содержащей большое количество модулей памяти, в электроэнергии. А чем больше модулей у вас установлено, тем больше питания им необходимо.

Небуферизованная RAM, с другой стороны, не имеет регистра для буферизации данных. Она не предназначена для серверов или больших система, но вполне подойдёт персональному компьютеру.

Буферизованные или регистровые модули DIMM называются RDIMM, тогда как нерегистровые DIMM помечаются как UDIMM.

CL-X

CL или CAS (строб адреса столбца) латентность — это способ измерения скорости модуля на основании времени задержки между получением команды на доступ к определённой ячейки памяти и временем её реальной доступности. Поэтому, чем ниже CAS-латентность или CL, тем лучше. Интервал времени измеряется в наносекундах или тактах, в зависимости от того, является DRAM синхронной или асинхронной.

В случае синхронной DRAM интервалы сегодня измеряются в циклах, а не реальном времени. Это означает, что CL модуля SDRAM может варьироваться в зависимости от тактовых циклов. По этой причине, при сравнении CL разных модулей, этот параметр нужно переводить в реальное время. Иначе модуль с более высоким показателем CL может на самом деле оказаться быстрее.

Заключение

Учитывая, что потребность в RAM полностью зависит от вашей системы и того, как вы планируете её использовать, очень важно знать, что именно нужно компьютеру для стабильной работы. Часто модули оперативной памяти просто не подойдут к слотам системы, с которой они не совместимы. Но это не всегда верно. Подключение модуля, не предназначенного для вашей системы, может, как привести к незначительным проблемам, так и сильно повредить другие компоненты компьютера.

Иногда недостаток оперативной памяти не имеет ничего общего с медленной работой компьютера. У многих из нас попросту нет средств, необходимых для внезапной замены компьютера, поэтому покупка неверного оборудования исключена.

Перед приобретением RAM, взгляните на свой компьютер и найдите информацию о том, какие чипы памяти для него подходят. Будьте уверены в том, что у вас есть и знайте свои потребности. Как говорил дядя Бен, с великой силой приходит великая ответственность. У вас есть сила, позволяющая обновить систему по своему желанию, но не забывайте и об ответственности, требующей знаний о том, какой именно апгрейд вам необходим.
Вам знакомы другие важные термины, которые стоит принимать во внимание при покупке RAM? Может быть, сами когда-то купили неверный модуль? Расскажите об этом в комментариях!

голосовать

Article Rating

Память DDR3 и процессоры Intel Xeon 5500 (nehalem)

Основные вопросы, на которые нужно ответить при выборе конфигурации памяти DDR3:

1. Нужно получить максимальный объём или максимальную производительность памяти?

2. Какие процессоры будут использоваться?

3. Какое соотношение цена/производительность для нас оптимальна?

Варианты конфигурирования

Для оптимального выбора конфигурации DDR3 необходимо четко понимать, что нам важнее производительность или объем. Ниже представлены конфигурации для этих обоих вариантов и сбалансированный вариант.

Максимальная производительность

Для обеспечения максимальной производительности необходимо использовать память DDR3 с частотой 1333MHz и процессоры серии X5550, т.к. только они способны обеспечить необходимую пропускную способность шины QPI (10,6 GB/s). Такая конфигурация накладывает ограничение на максимальный объем памяти в 48GB, т.к. возможно установить только 1 модуль памяти на 1 канал процессора.

Максимальная производительность

Максимальный объем

В этом случае необходима память с частотой 800MHz и любые процессоры серии X5500. Пропускная способность шины QPI при этом будет 6,4GB/s. При этом можно будет установить до 18 модулей памяти, то есть по 3 модуля на канал, и получить объем в 144GB.

Максимальный объем

Сбалансированный

Оптимальный вариант, межу производительностью и объемом. Необходимо использовать память DDR3 с частотой 1066 MHz, процессоры серии E5520 или старше. В такой конфигурации возможна установка по 2 модуля памяти на канал (всего 12 модулей) и получить общий объем памяти 96GB.

Сбалансированный вариант

Типы памяти

Но это не все. Кроме ранжирования по скорости MHz, есть 3 вида памяти DDR3: Registered DIMMs (RDIMM), Unbuffered ECC DIMMs (UDIMM ECC) и Unbuffered DIMMs (UDIMM). Сразу отмечу что Unbuffered DIMMs (UDIMM) не рекомендуется использовать в серверах. Так же модули памяти бывают разных рангов.

Сравнение UDIMM и RDIMM:

RDIMMs:: Хотя они на несколько процентов медленнее чем UDIMM, они позволяют получить больший общий объем памяти. Поддерживают до 3 DIMMs/канал.

UDIMM ECC: поддерживает все RAS функции RDIMM кроме x4 Single Device Data Correction (SDDC).

Для систем начального уровня с объемом ОЗУ 12Гб или меньше, целесообразно использовать UDIMM ECC, т.к. у них меньше стоимость. Регистровую память имеет смысл использовать в материнских платах, где по 3 слота на канал (на будущее расширение без выбрасывания старой памяти) или модули по 4ГБ.

Относительная стоимость модулей

Ранги (Single, Dual, Quad)

Не будем детально разбирать вопрос рангов. Остановимся на наиболее важных моментах. Итак, на рисунках наглядно показано основные отличия разноранговой памяти. Технологически, при производстве, дешевле размещать большее чипов на одном модуле, то есть изготавливать память типа quad rank.

Физическое устройство разноранговой памяти

Латентность QR модулей меньше, т.к. в них одновременно может быть открыто несколько страниц. Так же есть ограничение в 8 рангов на канал, т.е в один канал можно поставить только 2 QR модуля (у разных производителей, кол-во поддерживаемых рангов может отличаться в зависимости от модели материнской платы). На данный момент Quad Rank бывают только модули RDIMM.

Еще отмечу момент, что при установки памяти с разным количеством рангов, первыми устанавливаются QR модули, потом DR и SR.

Выбор модулей оптимального объема.

Сейчас рассмотрим, какого объема лучше использовать модули, для получения необходимого объема памяти на ядро. Т.к. это позволит сэкономить деньги, и получить оптимальную производительность.

При использовании RDIMM-ов, возможны следующие конфигурации (при использовании 2х 4х ядерных процессоров Nehalem-EP)

В таблице представлены основные конфигурации памяти. Сначала в первой строке выбираем желаемый объем памяти на 1 ядро.
Во второй строчке указа общий объем памяти, который мы получим.
Далее ниже рассмотрены варианты с разным объемом каждого модуля. Красным выделены оптимальные конфигурации.

При использовании UDIMM-ов ECC (при использовании 2х 4х ядерных процессоров Nehalem-EP)

DDR3 UDIMMs ограничены 2 DIMMs на канал, или в общей сложности 12 DIMMs.
Принцип выбора тот же что и при RDIMM.

Баланс памяти по каналам в конфигурации

В таблицах есть не сбалансированные конфигурации. Не сбалансированной конфигурация считается, если не используются все 3 канала памяти на процессор или число модулей не кратно 3 модулям на процессор. Конфигурация, когда используется два канала из трех, можно считать сбалансированной, т.к. interleave работает, но только на 2 канала.

Так же возможна конфигурация, когда вся память находиться у одного процессора. Она возможна при использовании Non-Uniform Memory Access (NUMA).

 
Примеры несбалансированных конфигураций

Сбалансированная конфигурация: задействовано больше каналов, выше пропускная способность памяти.

· Пропускная способность одинакова при использовании 1 модуля памяти на канал и при использовании 2х модулей на канал (как на DDR3 1066)

Несбалансированная конфигурация: уменьшенная пропускная способность (до 17%)

· Не работает Interleave во всех 3х каналах

· Приводит к снижению пропускной способности на 2-1-1 против 1-1-1 конфигурации

Пропускная способность памяти. Сравнение сбалансированной и не сбалансированной конфигурации (DDR3 1066).

Разница в скорости на разных конфигурациях

Очень хорошо видна разница в пропускной способности памяти в разных режимах:

RAS Features

Еще хочется отметить некоторые особенности RAS, они используются редко, поэтому скажу буквально пару слов.

Memory mirroring (Зеркалирование памяти):

• 2 канала памяти, в качестве зеркала (одна информация записывается на обоих каналах одновременно)
• Модули памяти должны быть одинаковые
• Полезный объем памяти равен 50%
• Повышение надежности (память избыточна)

Технология Lockstep

Технология основывается на том, что взаимодополняющие компоненты системы выполняют параллельно одни и те же инструкции. Каждый из компонентов является активной заменой другому. Таким образом, если в одном из них происходит сбой, второй продолжает работу в прежнем режиме, при этом не происходит ни остановки, ни потери данных.

Lockstep mode

• 2 канала, работающих в lockstep (кэш линия разделяется между обоими каналами), 3 канал не используется.
• Модули памяти должны быть одинаковые
• Увеличение надежности, но низкая производительность

Примеры работы RAS features

Технология Intel® x4 Single Device Data Correction (x4 SDDC) обеспечивает обнаружение и исправление ошибок размером 1, 2, 3 или 4 бит данных в одном устройстве и обнаружение ошибок размером до 8 бит данных на двух устройствах.

Материал был сделан, большой частью, Куликовым Дмитрием, за что ему выражается отдельная благодарность!

Для написания статьи использованы материалы Intel:
Xeon 5500 Memory White Paper Intel® Xeon® processor 5500 Series Datasheet: (public)

http://www.intel.com/Assets/PDF/datasheet/321321.pdf (Volume 1)
http://www.intel.com/Assets/PDF/datasheet/321322.pdf (Volume 2)

Что такое UDIMM? Рассказываем про типы оперативной памяти

Наверх

• Рейтинги
• Обзоры
  • Смартфоны и планшеты
  • Компьютеры и ноутбуки
  • Комплектующие
  • Периферия
  • Фото и видео
  • Аксессуары
  • ТВ и аудио
  • Техника для дома
  • Программы и приложения
• Новости
• Советы
  • Покупка
  • Эксплуатация
  • Ремонт
• Подборки
  • Смартфоны и планшеты
  • Компьютеры
  • Аксессуары
  • ТВ и аудио
  • Фото и видео
  • Программы и приложения
  • Техника для дома
• Гейминг
  • Игры
  • Железо
• Еще
  • Важное
  • Технологии
  • Тест скорости

DIMM — что это такое? (а также SO-DIMM)

Смотрите, DIMM — просто форм-фактор планок оперативной памяти.

DIMM расшифровывается как Dual In-line Memory Module, что означает двухсторонний модуль. Да, двухсторонний, потому что раньше был односторонний — SIMM (скорее всего первая буква значит Single).

Другими словами, есть планка памяти, они вообще могут быть разные, каждый тип имеет свое название. Современный тип для обычных компьютеров — DIMM, для ноутбуков и некоторых маленьких материнских плат используется другой формат — SO-DIMM, это те же планки, но только меньшего размера. Могут стоить немного дороже. Немного ошибся, скорее не тип, а все таки форм-фактор, а тип памяти это DDR2, DDR3, DDR4.. в будущем будет DDR5.

На заметку. ОЗУ — оперативка, расшифровывается как оперативное запоминающее устройство, аббревиатура на энглише — RAM. ПЗУ — жесткий диск, SSD, расшифровывается как постоянное запоминающее устройство, на энглише — ROM.

Итак, еще раз, DIMM — это просто название форм-фактора. Также этим названием обозначают слоты на материнской плате для памяти, например.. вы могли видеть в характеристиках платы — 4 DIMM, то есть 4 слота. Либо 2 DIMM, потом еще указывается тип оперативки, например DDR3, DDR4. Кстати в серверных материнках слотов может быть вообще.. 8, 16 штук, потому что серверам нужно много, очень много оперативки..

Дополнительная инфа, возможно будет полезна:

Слоты на материнской плате, которые также могут именоваться как DIMM в характеристиках:

Установка планки DIMM в слот материнской платы:

Перчатки — не шутки, на самом деле очень грамотно их использовать, ведь даже статическое напряжение может спокойно убить чипы..

Пример вставки планки SO-DIMM в ноутбук — стрелочками примерно показал как происходит процесс:

Если простыми словами — там есть защелки, после установки памяти они как бы фиксируют ее. Но это простыми словами — моделей ноутбуков много, нужно обязательно смотреть инструкцию, могут быть тонкости. Повредить легко, а вот отремонтировать очень сложно или нереально.

DIMM и SO-DIMM — разница?

Ребята, как я уже писал разница простая — первый тип для обычных ПК, второй для портативных компов, например ноутбуков, нетбуков, некоторых мини-материнок, которые предназначены для сбора медиа-центров.

При установке/извлечению оперативки будьте предельно аккуратными, чтобы не повредить саму плату, контакты на ней. Ведь оперативка — удовольствие не из дешевых.

Давайте посмотрим на внешний вид планки DIMM:

То есть простая прямоугольная планочка, если у вас компьютер, то у вас стоит почти такая же. Если память дорогая, игровая, так бы сказать разгонная, то ее внешний вид может быть другим:

Все потому что планка одета в радиатор для охлаждения. Если память разгонять — она может сильнее греться. Чтобы лучше рассеивать тепло — ставят такие радиаторы. Подобная оперативка стоит дороже.

Вот пример как выглядит SO-DIMM:

Кстати Samsung — неплохая память, кажется по уровню будет уже как Kingston, Hynix..

Как видите — SO-DIMM меньше, компактнее, то что нужно для ноутов. Кстати нетбуки кажется уже остались в прошлом..

Формат SO-DIMM не помеха для радиатора:

Заключение

Кажется главное — выяснили:

1. DIMM — так называются планки памяти для ПК. Также именуются слоты на современных материнках для памяти.
2. SO-DIMM — ноутбучный формат памяти. Либо для материнок формата ITX.
3. Стоит понимать — это формат. Не тип памяти, только формат. Тип памяти может быть разный, они друг с другом несовместимы, стоит учитывать если желаете увеличить обьем оперативки.

Удачи.

На главную!

19.08.2019

Чем отличается DDR2 от DIMM

Модули оперативной памяти на современных компьютерах могут быть представлены в самых разных модификациях. В числе самых распространенных — DDR2 и DIMM. Что они представляют собой?

Факты о DDR2

DDR2 — это тип оперативной памяти для ПК и компьютерных видеокарт, обладающий главной шиной, которая работает примерно на вдвое более высокой частоте, чем та, что инсталлирована в модулях ОЗУ предыдущего поколения — DDR. В конструкции микросхем ОЗУ DDR2 присутствует 240 контактов.

Модули DDR2 выпускаются в 5 основных модификациях, различающихся по частоте (от 100 мГц, на которой работает наименее производительная версия до 266 мГц, которая установлена для самых быстрых типов ОЗУ DDR2).

Оперативная память DDR2 может дополняться:

• специальными чипами коррекции ошибок;
• модулями дополнительной регистрации адресов ячеек;
• микросхемами для буферизации данных.

Модули DDR2 характеризуются очень высокой полосой пропускания, низким уровнем потребления электроэнергии, эффективной конструкцией (с точки зрения работы системы охлаждения). Вместе с тем в некоторых случаях обращение к данным в модулях DDR2, работающих на высоких частотах, может происходить с задержкой, превышающей таковую в микросхемах предшествующего поколения.

к содержанию ↑

Факты о DIMM

DIMM, в свою очередь, является не типом ОЗУ, а форм-фактором соответствующих модулей. То есть по сути — дизайнерской концепцией, которой придерживаются производители микросхем оперативной памяти с целью достижения взаимной совместимости выпускаемой продукции. Не исключение — бренды, которые поставляют на рынок модули памяти типа DDR2. Стандарту DIMM соответствуют и такие модификации микросхем ОЗУ, как DDR3 и DDR4.

Модули ОЗУ, выполненные в форм-факторе DIMM, представляют собой прямоугольные микросхемы, по обеим сторонам которых расположены контакты, независимые друг от друга. В свою очередь, контакты на оперативной памяти, соответствующей исторически предшествующему DIMM форм-фактору — SIMM, связаны между собой.

Модули DIMM идеально приспособлены для инсталляции в 64-разрядные компьютеры. Собственно, разработку и распространение данного форм-фактора многие IT-специалисты связывают как раз таки с ростом популярности 64-битных ПК. Однако исторически модули памяти DIMM используются довольно давно — с начала 90-х годов. Тогда они инсталлировались на рабочих станциях.

к содержанию ↑

Сравнение

Главное отличие DDR2 от DIMM в том, что DDR2 — это технологический тип модулей оперативной памяти, а DIMM — форм-фактор. При этом DDR2 в современных модификациях в большинстве случаев выполнен именно в стандарте DIMM. В свою очередь, не каждый форм-фактор DIMM представлен в DDR2 — как мы отметили выше, DIMM-модули оперативной памяти используются с начала 90-х, когда ОЗУ в модификации DDR2 еще даже не были выведены на рынок. Возможно — даже и не изобретены.

Определив то, в чем разница между DDR2 и DIMM, отметим ее ключевые критерии в небольшой таблице.

к содержанию ↑

Таблица

Небуферизованная по сравнению с зарегистрированной памятью ECC

Сегодня подавляющее большинство памяти, используемой настольными компьютерами, ноутбуками и мобильными устройствами, представляет собой небуферизованную память DRAM без поддержки ECC (проверки и исправления ошибок). Фактически, если не используется процессор Intel или AMD, который может поддерживать память ECC, небуферизованная память ECC DRAM является единственным выбором для большинства пользователей. Intel Xeon, например, поддерживает память ECC, в то время как даже новый Core i7 не поддерживает. AMD имеет гораздо более широкую поддержку ECC на уровне ЦП, но многие материнские платы AMD не поддерживают функции памяти ECC, поэтому она не универсальна.

Память ECC Назначение

Память

с проверкой и исправлением ошибок (ECC) в наши дни в основном считается важной в корпоративных средах. Проверка и исправление однобитовых ошибок в пределах 8-битного байта позволяет как обнаруживать, так и исправлять однобитовые ошибки, когда они возникают. Достаточно интересно, что способ работы этого однобитового ECC не так уж отличается от RAID 4 и RAID 5, где для генерации битов четности используется алгоритм XOR. Вместо того, чтобы терять полезный объем памяти, производители памяти обычно добавляют дополнительный чип к памяти ECC на каждые восемь микросхем хранения.Когда обнаруживается одиночная битовая ошибка, информация о четности используется для восстановления данных с ошибкой. Опять же, это концептуально похоже на то, как RAID 4 и RAID 5 могут очищать и исправлять ошибки данных в массивах хранения. Более крупные ошибки, чем многобитовые, могут быть обнаружены, но не исправлены однобитовой схемой четности ECC.

Для настольных компьютеров это менее важно, поскольку многие цифры показывают однобитовые ошибки в диапазоне от 1 на 1 ГБ или 1 на 2 ГБ памяти каждый месяц. Для пользователя настольного компьютера это может вызвать сбой программы или, в худшем случае, потребовать перезагрузки.В серверах ECC важен для поддержания целостности данных и времени безотказной работы. При нынешней незначительной разнице в стоимости модулей DIMM с ECC и небуферизованных модулей DIMM без ECC нет особых причин для приобретения памяти без ECC для сервера.

Небуферизованная память ECC по сравнению с зарегистрированной памятью ECC

В дополнение к концепции ECC, существуют две концепции: небуферизованные и зарегистрированные модули памяти ECC. Основное отличие состоит в том, что команды памяти в конфигурациях с небуферизованной памятью идут напрямую от контроллера к модулю памяти, тогда как в конфигурациях зарегистрированной памяти команды сначала отправляются в регистры банков памяти, а затем отправляются в модули.Эта концепция может показаться сложной, но вот очень простой концептуальный взгляд на то, что происходит.

В приведенном выше примере контроллер памяти обращается к банкам памяти напрямую. Вышеупомянутое предполагает, что контроллер памяти находится внутри пакета ЦП, как и в современных архитектурах ЦП. Если смотреть на более старые системы, контроллер памяти находился внутри северного моста ЦП. Сравните это с примером зарегистрированной памяти ниже.

Простая небуферизованная модель ECC DRAM

Здесь ЦП взаимодействует с регистрами для банков памяти на каждом модуле.Оттуда эти регистры связываются с DRAM. Это имеет двоякий смысл. Во-первых, с отрицательной стороны, инструкции занимают примерно на один цикл ЦП дольше из-за посредничества банковского регистра. С другой стороны, такая буферизация снижает нагрузку на контроллер памяти ЦП, поскольку он указывает на выделенный промежуточный регистр, а не на прямой доступ к DRAM. Контроллеру памяти легче справляться с меньшим количеством целей.

Простая зарегистрированная ECC DRAM модель

Эта функция очень важна в серверных сценариях, потому что, например, платформа Intel серии 3400, такая как Supermicro X8SI6-F или Intel S3420GPLC, поддерживает небуферизованную память ECC на 16 ГБ и зарегистрированную память ECC на 32 ГБ.Аналогичным образом, в двухпроцессорных системах, таких как Supermicro X8DTH-6F на базе серии E5600, недавно рассмотренный на ServeTheHome, дельта намного больше: до 48 ГБ незарегистрированной ECC или 192 ГБ зарегистрированной памяти ECC. Для сред виртуализации, в которых память и пропускная способность памяти являются ключевыми для достижения высоких показателей консолидации и плотности, обычно лучше всего использовать зарегистрированную память ECC. Если кто-то покупает сервер с незарегистрированными модулями памяти ECC DIMM, а затем требует дополнительной емкости, тогда операция обновления потребует извлечения и замены всех модулей UDIMM, что делает это предложение дорогостоящим.

Заключение

В этой статье, надеюсь, можно получить концептуальное представление о разнице между небуферизованной памятью ECC и зарегистрированной памятью ECC, чтобы помочь при принятии решения о выборе. Это не была излишне техническая статья, потому что модули памяти, как правило, представляют собой элементы, которые люди заказывают или добавляют в свои системы и над которыми мало работают, пока им не понадобится больше памяти.

.

RAM alırken bilmeniz gereken 8 terim!

Daha geçen sene aldığınız bilgisayarınız ilk günkü gibi hızlı çalışmıyor ve onu hızlandırmak için bir şeyler yapmaya hazırsınız. Yavaşlığın yetersiz RAM ‘den kaynaklandığını düşünüyorsanız, şanslısınız. Çünkü RAM’leri yükseltmek, сабит диск değiştirmekten çok daha kolay.

Ancak internette RAM satın almak için girdiğiniz web siteleri, farklı RAM türleri, terimler ve açıklamalarla kafanızı karıştırmış olabilir.Siz sadece PC’nizin akıcı ve sorunsuz bir biçimde çalışmasını istiyorsunuz; deneme yanılma yoluyla yeni sorunlara sahip olmak gibi bir niyetiniz yok. Пеки, ne yapmalısınız?

RAM gibi bilgisayar donanımlarını yükseltmek, sıradan bir kullanıcının kafasını karıştırabiliyor. Эльбетте иши билен биринден ярдым алабилирсиниз, анджак бу дурумда кандирилманиз вейа истемеден юксек фиятлы, герексиз ürünler сатин алманиз мюмкюн. Sisteminiz için doğru RAM’i satın almak istiyorsanız, araştırma yapmak size düşüyor.İşte RAM alırken bilmeniz gereken 8 terim.

SO-DIMM

«Маленький контурный модуль памяти с двумя линиями» ün kısaltılmışı olan SO-DIMM’ler, DIMM’lerin (Dual In-line Memory Module) çok küçük alternatifleri olarak değerlendiriliyorlar. SO-DIMM’ler genellikle çok dar alana sahip laptop, netbook ve hatta üst seviye yazıcılarda kullanılıyor.

DDR (двойная скорость передачи данных) и DDR2 SODIMM’lerin ее ikisi de 200 pine sahip, ancak üzerlerindeki çentiğin farklı yerde yer alması sayesinde uyumlu olmayan sistemlere takmanız mümkün olmuyor.DDR3 SO-DIMM’lerde ise 204-контактный буфер. Бу RAM’lerde çentik, ortaya daha yakın bir yerde konumlanıyor.

UDIMM

DIMM’lerin bir çeşidi olan UDIMM’ler «незарегистрированный» bellek sınıfına giriyorlar ve bazen «unbuffered» olarak da adlandırılıyorlar. Бу RAM’ler en çok masaüstü ве ноутбук bilgisayarlarda kullanılıyor. UDIMM’ler зарегистрировал RAM’lere göre daha hızlı ve ucuz olmalarıyla tanınsalar da, onlar kadar iyi bir kararlılığa sahip değiller.

Bugünkü DDR yongaları, UDIMM türündeler.

GDDR3, 4 ве 5

Графика с удвоенной скоростью передачи данных (GDDR), общая графическая карта, карта памяти, биржа, карта мира. ГДР, ГДР иле биркок текнолоджийи ортак оларак кулланса да бирбирлеринден фарклылар. GDDR3, 4 ве 5 bugün halen kullanımda ве piyasada bulunmaları oldukça kolay.

EDO RAM

EDO (Extended Data Out), Intel Pentium gibi hızlı mikroişlemciler için tasarlanmıştı. Artık kullanılmayan bu RAM’ler, belleği okurken geçen süreyi önemli ölçüde azaltıyordu.66MHz Pentium işlemci için оптимизирует edilen bu RAM, daha hızlı bilgisayarlar için önerilmiyor. Даха hızlı PC’ler için SDRAM türleri daha uygun.

ECC и без ECC

ECC (Код исправления ошибок), sıkça rastlanan veri bozulmalarını bulup düzeltmeye yönelik bir veri depolama belleğidir. ECC bellek yongaları, çoğunlukla hiçbir hatanın kabul edilmeyeceği bilgisayarlarda (finansal veya bilimsel bilişimde veya dosya sunucularında) kullanılırlar.ECC bellekler, genellikle tek-bit hatalarından etkilenmezler ve sistem kilitlenmesi, bu RAM’lerde çok daha az yaşanır.

Bellekler без ECC ise hataları algılayamaz, bununla birlikte parite desteği sayesinde bazen hataları bulabilirler. Bununla birlikte hataları düzeltme özelliğine sahip değildirler. Birçok kişisel bilgisayar ве ноутбук, fiyatları daha uygun ve biraz daha hızlı olan non-ECC bellekleri kullanır. ECC bellekler, Performansı yüzde 3’e kadar düşürebilir.

ECC DIMM’ler üzerlerinde genellikle 9 bellek yongasına sahiptirler (non-ECC DIMM’lerden bir fazla).

PCX-XXXXX

100MHz’te çalışan bir DDR DIMM, saniyede 200 milyon veri transferi gerçekleştirebilir. Bu yüzden, 100 МГц DDRM DIMM’ler DDR-200 olarak, 133MHz DDR DIMM’ler DDR-266 olarak adlandırılır. Ancak hızı baytla ölçmek çok daha doğal bir yöntem olacağından DIMM RAM’ler, bir PC puanıyla gelirler.

DDR DIMM PC puanı, saniyedeki aktarım sayısını 8 ile çarparak bulunabilir. Яни DDR-200 RAM, PC-1600’dür.

Selefinden oldukça hızlı ve güçlü olan DDR2 DIMM’ler, DDR’nin iki kat hıza ulaşabilir.Модуль DIMM DDR2 с тактовой частотой 100 МГц, модуль DDR2-400 с частотой PC-3200 полностью исчерпывающий. 266MHz’e ulaşan DDR2 DIMM’ler, DDR2-1066 veya PC2-8500 şeklinde ifade edilir. Бу hızlarda PC değerlendirmesi için biti kullanmak ideal olmayacağından hız yuvarlanır. Dolayısıyla PC2-8500’ün gerçek hızı, 8.500MB / sn’ye yakın olacaktır.

Daha da hızlı olan DDR3 DIMM’lerin en temel modeli, DDR DIMM’lerden dört kat hızlı çalışır ve saniyede 800 milyon veri transferi yapabilir. Bu DIMM’ler, 6.400MB / sn hızlara ulaşabilir ve DDR3-800, PC3-6400 olarak etiketlendirilir.

JEDEC (Объединенный технический совет по электронным устройствам) tarafından onaylanan en üst seviye modeller, 12.400MB / sn ve PC3-12400 veri aktarım hızlarına ve değerlerine ulaşabilir.

без буферизации и с полной буферизацией

«Буферизованный» yani ara belleklenmiş RAM’ler, verileri işlemciye göndermeden önce depolarlar (ara belleğe alırlar). Bol miktarda RAM’e sahip bilgisayarlarda veya güvenilirliğe yüksek seviyede ihtiyaç duyulduğunda bu tür RAM’ler daha sık kullanılır (bazen ECC RAM’lerle birlikte).

Unbuffered RAM’ler, verileri işlemciye göndermeden önce depolamazlar. Bu tür RAM’ler, sunucular ve diğer geniş sistemlerden ziyade, kişisel bilgisayarlara tam anlamıyla uygundur.

Буферизованный, зарегистрированный RAM’ler, RDIMM olarak, небуферизованный, veya незарегистрированный RAM’ler ise UDIMM olarak adlandırılır.

CL-X

CL, veya CAS (стробоскоп доступа к колонке) Задержка, belleğin belirli modülüne ulaşan bellek sütununa erişme komutuyla, bellek sütununa gerçekten erişilmesi arasındaki süreyi ölçer.Bu yüzden CAS Latency veya CL ne kadar az ise, o kadar iyidir. Gecikme, наносание veya saat döngüleri yoluyla ölçülür.

Günümüzün eşzamanlı DRAM’lerinde süre, gerçek zaman yerine saat atışlarıyla ölçülür. Bu, SD RAM modülünün CL değerinin saat döngülerine göre değişebileceği anlamına gelmektedir. Бу yüzden farklı modüllerin CL’sini karşılaştırırken CL’yi gerçek zamana dönüştürmeniz gerekir. Акси Халде саат döngüsü Даха хизлы бир модульде юксек CL, Даха Юксек хиз анламина да гелебилир.

Önceki Haber Twitter Windows 10 için yeni bir görünüm aldı

Sonraki Haber … Ve Windows 10 indirmeye sunuldu!

.

Различий между модулями памяти с двойным расположением выводов: RDIMM и LRDIMM

Введение

С момента выпуска процессоров Intel Sandy Bridge серверы получили возможность принимать как зарегистрированные модули DIMM (RDIMM), так и модули DIMM с пониженной нагрузкой (LRDIMM). Был также небуферизованный модуль DIMM (UDIMM), но он больше не используется из-за его меньшей емкости и пропускной способности.

RDIMM имеет меньшую задержку

Зарегистрированные модули DIMM используют регистр на модуле DIMM для буферизации сигналов адреса и команд между модулями динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) на модуле DIMM и контроллером памяти, что позволяет каждому каналу памяти использовать до трех модулей DIMM с двумя рангами.Это улучшает целостность сигнала и увеличивает объем памяти, который может поддерживать сервер.

Чтобы понять количество «рангов» на DIMM, важно понимать, что такое «ранг». Ранг DIMM — это количество 64-битных данных, имеющихся в DIMM. Одноранговые модули DIMM обычно имеют DRAM на одной стороне микросхемы, а двухранговые модули DIMM имеют DRAM с обеих сторон. Можно даже иметь модули DIMM с четырьмя рангами, где на обеих сторонах модуля DIMM установлено по два 64-битных модуля DRAM.

Модули RDIMM

только с одним рангом обычно имеют более высокую задержку загрузки по сравнению с модулями RDIMM и LRDIMM с двумя рангами.Это связано с неспособностью одноранговых модулей распараллеливать запросы памяти от ЦП, как это могут сделать модули с двумя или более рангами. Ниже приведен график с подробным описанием различий в задержке между модулями RIMM и LRDIMM:

Скорость DIMM

DIMM скорости измеряются в мегатрансферах в секунду (MT / s). Более высокие скорости DIMM позволяют снизить задержку загрузки. В загруженных ситуациях увеличенная задержка связана с тем, что запросы к памяти находятся в очереди на выполнение.Чем выше скорость DIMM, тем быстрее контроллер памяти обрабатывает поставленные в очередь команды. Память, работающая со скоростью 2400 МТ / с, имеет почти на 5% меньше загруженной задержки, чем память, работающая со скоростью 2133 МТ / с.

Звания

Если скорость памяти DDR4 и тип DIMM постоянны, большее количество рангов обычно увеличивает задержку загрузки. Большее количество рангов в канале позволяет контроллеру памяти увеличивать емкость для распараллеливания обработки запросов к памяти и уменьшать размер очередей запросов, но это также требует, чтобы контроллер выдавал больше команд обновления.Даже при увеличении количества команд обновления большее распараллеливание приводит к небольшому чистому сокращению загруженных задержек для двух-четырех рангов на канале. Более четырех рангов на канале показывает увеличение задержки загрузки.

Использование

Нет изменений в низкоуровневой задержке чтения на шине памяти при увеличении использования шины памяти. Это действительно вызывает увеличение задержки памяти из-за задержек, накапливающихся в очередях в контроллере памяти.

Пропускная способность памяти остается постоянной до тех пор, пока не будут использованы три модуля DIMM на канал (DPC), пока размер DIMM не увеличится до 128 ГБ LRDIMM.

LRDIMM могут иметь большую емкость

Буферы памяти используются в модулях LRDIMM, чтобы уменьшить электрические нагрузки рядов до единственной нагрузки. Это позволяет использовать до восьми рангов на одном модуле DIMM. Системы, использующие LRDIMM, могут быть сконфигурированы с максимально возможным объемом памяти. Недостатком является повышенное энергопотребление и более высокие задержки по сравнению с RDIMM меньшей емкости.

.Серверная память

: RDIMM против LRDIMM и когда их использовать

• РЕШЕНИЯ
  • Кибербезопасность
    • Сетевая безопасность
    • Безопасность приложений
    • Защита конечных точек
    • Практика предотвращения безопасности
    • Управление безопасностью предприятия
    • Оценка рисков безопасности
    • Индивидуальные решения NAC
    • Узнать больше
  • Сети предприятия
    • Лучшая в своем классе корпоративная сеть
    • Сеть кампуса
    • Сетевая автоматизация
    • Программно-определяемая сеть (SDN)
    • Тестирование сети
    • Управление мобильными устройствами (MDM)
    • Узнать больше
  • Облачные службы
    • Инфраструктура публичного и частного облака
    • Решения гибридного облака
    • Автоматизация облачных сервисов (CSA)
    • Инфраструктура как услуга (IaaS)

.