Латентность cl9: Тайминги CL9 и CL11 на скорости 1600, есть разница? — Хабр Q&A

Как выбрать оперативную память для компьютера в 2021 году

Компьютер – это универсальное устройство, на котором можно выполнять огромное количество задач. Некоторые пользователи используют его возможности для учёбы, другие предпочитают смотреть за ПК фильмы, а третьим требуются мощные «машины» для игр и профессиональной деятельности. В каждом из этих случаев нужно знать, как правильно выбрать оперативную память для персонального компьютера или ноутбука.

От этого компонента во многом зависит производительность и быстродействие собранной системы. В данной статье мы разберёмся, какую память лучше купить в зависимости от ваших потребностей и на что стоит обратить свое внимание в первую очередь.

Бюджет и требования к памяти

Представленная на рынке память, для компьютера или ноутбука очень различается по стоимости. На цену планок влияет огромное количество параметров, включая дополнительные возможности, как радиаторы или настраиваемая RGB-подсветка. Что касается требований, то они зависят от того, собираете ли вы новую систему либо модернизируете существующую. К примеру, решив добавить оперативную память на компьютер или ноутбук вам потребуется подобрать планки, характеристики которых соответствуют параметрам установленной в ПК оперативки. Специалисты часто рекомендуют даже выбирать такого же производителя, но соблюдать это правило необязательно.

Критерии выбора оперативной памяти

Планируя добавить память на имеющийся ПК или желая приобрести оперативку для нового компьютера, вы обязательно столкнётесь с рядом важных критериев. Среди них наиболее важными являются частота и тайминги. Также на производительность системы влияет объём и количество идущих в комплекте планок. Дополнительные возможности оперативной памяти обычно не несут практической выгоды для среднестатистического пользователя. Так подсветка будет целесообразной преимущественно для игровых ПК, где аналогичная возможность реализована и в других комплектующих. Радиаторы, о которых также упоминалось выше, могут потребоваться лишь для высокочастотной оперативной памяти и компактных сборок, где могут наблюдаться проблемы с качественной вентиляцией корпуса.

Типы памяти

Обычно необходимо подбирать память под материнскую плату. Всего их существует 4: устаревшие DDR и DDR2, всё ещё сохраняющий популярность DDR3, способный работать на частоте до 2400 МГц, а также самый современный DDR4, теоретический максимум которого составляет 4266 МГц.

Несмотря на то, что некоторые магазины всё ещё располагают запасами планок DDR2, найти в продаже материнку под такой тип ОЗУ практически невозможно. На рынке представлены только б/у варианты таких плат, а новые устройства уже давно не выпускаются производителями.

Для двух оставшихся типов материнки предлагаются в широком ассортименте. Но для игрового компьютера лучше выбирать оперативную память DDR4, ведь новые процессоры Ryzen от AMD и Coffee Lake от Intel, способные в полной мере раскрыть потенциал современных проектов, уже не поддерживают DDR3.

Впрочем, установить неподходящую оперативную память в компьютер у вас не получится, ведь они несовместимы между собой из-за отличающегося количества и расположения контактов. По этой причине плата со слотами под планки DDR4 не поддерживает DDR3 и наоборот.

Исключением выступают материнки, где предусмотрена возможность установки одновременно памяти DDR3 и DDR4. Однако такие решения встречаются редко и в их покупке нет смысла, ведь по цене оба типа планок лишь незначительно отличаются между собой, когда по параметрам DDR4 превосходит предшественника в разы.

При покупке памяти для офисного компьютера можно останавливаться на типе DDR3. Если же вы собираете мощный игровой ПК, то во избежание потери кадров приобретайте планки DDR4.

Объем

Решать, какой объем модулей памяти выбрать, следует исходя из задач, которые будут выполняться на компьютере. Так офисные системы, нацеленные на работу с текстом и сёрфинг в интернете, достаточно оснастить 2-4 Гб. Объём от 4 до 8 Гб необходимо устанавливать уже в мультимедийные и базовые компьютеры для игр. А вот мощные игровые машины следует оснащать 16-32 Гб оперативной памяти. Такого количества оперативки сейчас достаточно для любого современного проекта.

Если вы планируете брать для компьютера оперативную память большего объёма, то оправдано это будет в двух случаях: запас на будущее или специализированные задачи. Вполне вероятно, что через 2-3 года уже появятся игры, которым потребуется 24 и больше оперативной памяти для стабильной работы при высоких графических настройках. Если в течение этого либо большего срока вы не будете обновлять ПК, то можно сразу взять соответствующие планки. Также 32 и более гигабайт оперативки потребуется для работы профессиональных программ.

Также нужно учитывать разрядность и версию системы, которая установлена на вашем компьютере. Так 32-разрядные Windows не увидят больше, чем 4 Гб оперативной памяти, а если речь идёт о Windows 7 Starter, то она может работать только с 2 гигабайтами. При этом 64-битные ОС используют для своих нужд примерно вдвое больше оперативной памяти, что также нужно учитывать при сборке системы.

Максимальная версия Windows 7 может работать со 192 гигабайтами оперативки, а профессиональные версии Windows 8 и 10 поддерживают уже до 512 Гб. Узнать точную информацию об объёме оперативной памяти, который может быть установлен в вашу систему, вы можете на официальном сайте Microsoft.

Если вы установите в компьютер больше памяти, чем поддерживает установленная на него операционная система, то «лишний» объём просто не будет задействован.

Какую частоту выбрать

Как и в случае с процессорами или графическими адаптерами, по частоте оперативной памяти определяется её быстродействие. Чем выше этот показатель, тем лучшую производительность покажет ПК. Однако сразу же бежать за самой продвинутой ОЗУ, которая только есть в магазине, не следует. Перед покупкой нужно убедиться, что выбранный вариант поддерживается материнкой и процессором.

Конечно же, если вы приобретёте лучшую по производительности память, чем та, которую может раскрыть ваше «железо», то ничего плохого в этом не будет. При установке таких планок в компьютер они просто начнут работать на максимально поддерживаемой системой частоте. Но недостатком в данном случае будут более высокие затраты, ведь хорошая оперативная память на 3000 МГц обойдётся дороже, чем её аналог из той же серии на 2400 МГц.

Опять же, искать планки, частота которых соответствует максимальным значениям, поддерживаемым вашим компьютером, тоже не стоит. Для офисных задач хватит простых моделей на 1333 МГц (DDR3) или на 2133 МГц (DDR4). Сбалансированным решением для широкого спектра задач станет оперативная память с частотой 2400 или 2666 МГц. А вот прогрессивные игровые ПК и профессиональные сборки уже лучше оснащать ОЗУ на 3000-3600 МГц и больше.

Разработанная компанией Intel технология XMP и её аналог от AMD под названием AMP позволяют высокочастотной оперативной памяти работать на максимуме своих возможностей даже в том случае, если заявленная частота не поддерживается процессором. Однако указанная технология должна быть реализована не только в самом «камне», но также в материнке, что автоматически поднимает её цену.

Тайминги

Данный параметр в характеристиках указывается число-буквенным (например, CL15) либо числовым (15-17-17-35) обозначением. И в первом и во втором случае речь идёт о задержке оперативки между выполнением различных операций. Если вы хотите правильно выбрать оперативную память, то на этот параметр обязательно нужно обращать особое внимание, ведь при высоких таймингах и большой частоте вы получите примерно ту же производительность, что и в низкочастотной оперативной памяти с небольшими задержками.

Для типа DDR3 отличными таймингами будут CL9, а в более медленных моделях, пользующихся популярностью на рынке, этот параметр равен CL11. Стандартные задержки в планках DDR4 – CL15, а в более дешевых модулях памяти можно увидеть тайминги CL16 или CL17. Для данного типа ОЗУ можно найти и меньшие задержки, но встречаются они в продаже крайне редко.

Примечание. Обозначение CL соответствует первому числу в блоке цифр. Так указанное выше числовое обозначение таймингов 15-17-17-35 можно записать, как CL15.

Важно! Покупать ОЗУ с высокими таймингами не рекомендуется. По отзывам о такой памяти на форумах можно понять, что она отличается плохим быстродействием и существенно ухудшает работоспособность ПК.

Режимы работы

Многие пользователи забывают, что важен не только выбор объема оперативной памяти, но и количество планок из которых он набран. Связано это с тем, что в современных компьютерах ОЗУ работает во многоканальном режиме, который существенно повышает производительность системы в профессиональных приложениях, требовательных играх и других задачах. При установке в компьютер либо ноутбук одного модуля памяти на 16 Гб вы получите быстродействие хуже, чем при выборе пары планок по 8 гигабайт.

Всего сегодня выделяется 4 режима работы ОЗУ:

1. Одноканальный.
2. Двухканальный.
3. Трёхканальный.
4. Четырёхканальный.

Первый считается устаревшим и присутствует только в старых ПК. Его суть заключается в том, что все данные записываются последовательно в каждый модуль, независимо от их общего количества. Современные компьютеры могут работать в таком режиме в том случае, если пользователь установил только одну планку оперативной памяти.

Большинство выпущенных за последние годы материнок работает в двухканальном режиме. Однако в продаже также предлагаются платы с поддержкой трёх- и четырёхканальных конфигураций. Впрочем, стоимость таких моделей достаточно высока, а преимущество обозначенных режимов можно заметить не всегда.

При этом нужно учитывать, что двухканальный режим работает при использовании 2 или 4 планок памяти, трёхканальный – 3 или 6, а четырёхканальный – 4 или 8. Ещё одним важным нюансом является необходимость установки модулей с аналогичным объёмом, частотой, таймингами и другими параметрами.

Впрочем, если характеристики планок не будут совпадать, то на работоспособность это не повлияет (за исключением напряжения). При разных частотах система сможет функционировать на частоте самого медленного модуля. Аналогичное правило характерно и для таймингов. При несовпадении объёмов в ПК просто не будет работать многоканальный режим.

Отдельно также стоит отметить опцию Flex. Она позволяет отходить от указанного правила и использовать для двухканального режима планки памяти разного объёма. В этом случае совпадающие объёмы будут использоваться в двухканальном режиме, а оставшийся – в одноканальном. К примеру, при выборе модулей на 8 и 4 Гб по 4 гигабайта из каждой планки будут работать в двухканальном режиме, когда остальные 4 Гб из первого модуля смогут функционировать в одноканальном.

При покупке нужно учитывать, что один модуль оперативной памяти будет стоить немного дешевле комплекта планок с аналогичными параметрами и таким же суммарным объёмом. Однако приобретение всех планок отдельно друг от друга обойдётся вам в ощутимо большую сумму. Поэтому при наличии достаточно бюджета лучше сразу же приобретать комплект требующегося объёма.

Важно! Flex Mode поддерживается не всеми материнскими платами, поэтому перед подбором оперативной памяти для расширения следует прочесть инструкцию к вашей плате.

Форм-фактор

Также из характеристик модулей памяти для пользователей важен форм-фактор. Он бывает DIMM или SO-DIMM. Первый представляют собой стандартные планки для ПК, на которых, в зависимости от типа, может располагаться от 168 до 240 контактов. Форм-фактор SO-DIMM обозначает память для ноутбуков или компьютеров небольших размеров материнские платы которых имеют формат Mini-ITX. На таких планках располагается от 72 до 200 контактов.

Напряжение питания

Данная характеристика особенно важна при выборе дополнительной планки памяти для ПК или ноутбука. Несмотря на то, что большинство современных планок работают на стандартном напряжении (2. 5В для DDR, 1.8В – DDR2, 1.5В – DDR3, 1.2В – DDR4), в продаже также представлены решения для энтузиастов с повышенным питанием и модели с пониженным. Устанавливать в ПК несовместимые по данному параметру планки строго запрещено, ведь возможна нестабильная работа оперативной памяти (если планка не будет получать достаточно напряжения) или даже выход её из строя (при подаче на оперативку более высокого питания, чем ей требуется для работы).

Перед покупкой дополнительного модуля ОЗУ для компьютера в первую очередь удостоверьтесь, что требуемое им питание соответствует напряжению оперативной памяти, установленной в вашем ПК.

Расшифровка маркировки оперативной памяти

Для маркировки планок любого типа используются стандартные обозначения, включающие в себя буквы PC и число, обозначающее скорость передачи в Мб/с (пропускная способность). Но ориентироваться по ним обычному пользователю не слишком удобно, ведь куда удобнее знать частоту и тайминги.

Обычно продавец указывает всю информацию о памяти, но если вы подбираете оперативку б/у на сайте объявлений, то неопытный пользователь вполне может указать нечто вроде PC2-8500. Это означает, что перед нами оперативная память типа DDR2 с частотой 1066 МГц и таймингами CL5.

Планки DDR3 обозначаются PC3:

• 10600 – 1333 МГц;
• 12800 – 1600 МГц;
• 14400 – 1866 МГц;
• 16000 – 2000 МГц.

В первом случае тайминги CL9, а в трёх остальных CL11.

Планки DDR4 отмечаются, соответственно, PC4:

• 17000 – 2133 МГц;
• 19200 – 2400 МГц;
• 21300 – 2666 МГц;
• 24000 – 3000 МГц;
• 25600 – 3200 МГц.

Для первого типа памяти латентность обычно равна CL15, а для прочих – CL16.

Какой фирмы модули оперативной памяти купить

Говоря о том, какую оперативную память выбрать, необходимо также упоминать и о её производителях. На этом рынке существуют свои безусловные лидеры, имеющие богатый опыт и располагающие заводами, оборудованными по последнему слову техники. Известные бренды гарантируют, что приобретённые вами планки смогут без поломок и сбоев прослужить долгие годы. Если вы хотите получить ОЗУ высокого качества и располагаете достаточной суммой средств, тогда стоит присмотреться к следующим популярным производителям модулей оперативной памяти:

1. Kingston.
2. Crucial.
3. Corsair.
4. G.Skill.
5. GOODRAM.

При ограниченной сумме денег, выделенных на ОЗУ, отличным выбором также станут такие бюджетные фирмы, как Team Group и AMD, предлагающие отличное соотношение цена-качество для своей памяти.

Старайтесь избегать малоизвестных и неопытных производителей ОЗУ даже в том случае, если они предлагают очень «вкусную» цену. Также изучайте отзывы об интересующих вас комплектах памяти перед их приобретением.

Вывод

Современные ПК могут выполнять огромное количество задач, начиная от обработки фотографий и проигрывания фильмов, а заканчивая запуском современных игр и требовательных графических программ. И если простые задачи можно выполнять на простом железе, то «тяжёлые» приложения требуют мощного процессора, современной видеокарты и, конечное, быстрой ОЗУ. Выбрать лучшую оперативную память для своего компьютера вы сможете благодаря нашим подробным рекомендациям. В случаи если у вас остались какие-то вопросы мы всегда с радостью на них ответим. Удачных покупок!

[Всего: 6   Средний:  4.7/5]

Самое важно для тебя! » Blog Archive » Оперативная память — своеобразный энергетик в компьютерном мире

ОЗУ — оперативное запоминающее устройство, в народе получившее имя «оперативка» или «оперативная память».

На сегодняшний день можно встретить большой выбор оперативной памяти, которая отличается скоростью работы, объёмом памяти и дизайнерским решением.

На текущий момент актуализация охватила оперативную память поколения DDR 3.

До появления DDR 3 были SDRAM, DDR 1 и DDR 2. В чем же разница спросите Вы? – в производительности и в интерфейсе подключения.

Частота оперативной памяти

По сути DDR 3 имеет несколько самых распространенных стандартных частот работы: 1333 / 1600 / 1866 / 2133, выбор напрямую зависит от возможности принять материнской платой ту или иную частоту на свой борт. От тактовой частоты оперативной памяти зависит скорость работы интегрированного видео в процессор, подробней о видеокартах прочтите в статье: «Немного о видеокарте«. Частота оперативки весьма важный факт, на который стоит обратить внимание, хотя за повышенные частоты не всегда оправданно завышают цены.

Модули памяти с разными частотами одновременно ставить не рекомендуется, в противном случае частота будет автоматически уравнена BIOS-ом в пользу памяти с более низкой частотой. Недоразумение данного типа можно устранить, повысив в BIOS-е частоту работы памяти, но при этом сама память с более низкой частотой, будет принудительно работать в нестандартном для нее режиме, что может привести к нестабильной работе компьютера, или того хуже выхода из строя ОЗУ.

Многие задаются вопросом при виде оперативной памяти с радиатором, нужен ли он?

Для геймерской памяти или с заоблачно повышенной стандартной частотой в плохо обдуваемом корпусе возможно да, но при штатной частоте нет. Не видитесь на маркетинговый ход, если есть вариант выбора. В большинстве случаях это дело красоты, и не более. Ваша память не будет работать быстрее, если на ней будет предустановлен радиатор. Но бывают случаи, что Вам нужна конкретная память со штатной частотой, и на ней установлен радиатор — берите не задумываясь. Хуже не будет. Дело случая, вкуса и денег, хотя ОЗУ самый дешевый элемент в конфигурации компьютера.

Контроль чёткости и метод ЕСС. Кто они?  Контроль четкости в оперативной памяти отвечает за проверку ОЗУ на наличие ошибок. В свою очередь метод ЕСС не только проверяет ОЗУ на наличие ошибок, но и восстанавливает утерянные данные.

Как бы там ни было, после обесточивания ОЗУ никакой метод не поможет, все данные будут утрачены. Метод контроля четкости и ЕСС полезен лишь на серверных конфигурациях. В настольных ПК он абсолютно бесполезен. Так что не вижу смысла даже думать о покупке модулей памяти с поддержкой данных технологий, если конечно вы не собираетесь собрать сервер, с беспрерывным энергоснабжением. Прочитайте не менее важную статью: «Блок питания«, также о беспрерывной работе компьютера можно узнать в статье: «UPS Источник бесперебойного питания«.

Настало время поговорить о двух и трехканальном режимах.

Как показывает практика, почти во всех ситуациях разница между двух и трехканальным режимом отсутствует. Я не вижу смысла покупать третью планку памяти, чтобы сотворить трехканальный режим.

Если Вы все же надумали это сделать, то для начала убедитесь, что Ваша материнская плата поддерживает трехканальный режим передачи данных.

По сути, чтобы вы поняли, каждый канал представляет собой туннель шириной в 8 байт.

Два канала это 2 х 8  = 16 байт, и три канала 3 х 8 = 24 байта.

Например, пропускная способность DDR 3 в двухканальном режиме с тактовой частотой 1600 МГц вычисляется по формуле: 16(сума двух каналов) х 1600(тактовая частота ОЗУ) = 25600 Мб/с

Лучше брать оперативную память с одной партии, гарантия этому комплект, состоящий из одной коробки:

Как установить оперативную память, чтобы включился двухканальный режим? –ориентируемся по цвету слотов, порядок расположения и их количество может меняться в зависимости от материнской платы. На рисунке показана стандартная ситуация расположения:

Можно поступить намного проще, и воспользоваться информационной программой о системе AIDA 64, чтобы убедиться о включении двухканального режима.

Объем оперативной памяти

При сборке компьютерной конфигурации может появится вопрос, а сколько оперативной памяти необходимо для четырех ядерного процессора?

Да все просто, берите оперативную память с расчетом по 768 Мб на каждое ядро процессора. Например, если система на бору с 4-х ядерным процессором, то нам необходимо 4 х 768 = 3072. Добавляем еще 1 ГБ для комфорта работы системы в режиме максимальной нагрузки на центральный процессор и того оптимальный объем оперативной памяти составляет 4 ГБ ОЗУ. Подробней о процессоре можно прочитать в статье: «Центральный процессор«.

Две или одна плана оперативной памяти?

 

Если Ваша материнская плата имеет лишь два слота расширения для оперативной памяти, и вы хотите поставить 2 ГБ, то не нужно их дробить на 1 ГБ + 1 ГБ. Будьте продуманней на будущее, вдруг вы решите провести апгрейд центрального процессора с 2-х на 4-х ядерный, следовательно появится необходимо увеличить объём оперативной памяти до 4 ГБ, вывод – не дробите по 1 ГБ и устанавливайте одну планку объёмом 2 ГБ. Не волнуйтесь, прироста производительности от двухканального режима в связке 1 ГБ + 1 ГБ Вы не почувствуете, это уж точно.

Что если Вы используете интегрированным видео?

В подобных ситуациях может возникнуть вопрос: — «А если выделить больше памяти под графическую систему, игры будут работать шустрее?». Возможно, но не всегда это так. Скажу откровенно, смысла я не вижу, поберегите свои нервы лаговой игры. Лучше подкопите денег и купите отдельно дискретную видеокарту. Вот тогда разницу вы уж точно почувствуете.

Тайминг

Вы наверное уже заметили в описании характеристик оперативной памяти параметр CL9 и CL11. Что это? — это минимальное количество тактов необходимых для выполнения всего цикла чтения. Советую сильно не заморачиваться по этому поводу, для офисных вариантов разницы уж точно нет. А в плане игр, в некоторых ситуациях возможно заядлый геймер и заметит разницу, поэтому игровой мир предпочитает пониженный тайминг CL9, на все остальные случаи жизни подойдет CL11.

Так что особо не терзайте себе голову значениями тайминга, потому, что при минимальном бюджете не стоит переплачивать за тайминг CL9, смело берите CL11.

Обратите внимание, что компьютер может тормозить из-за нехватки ОЗУ, подробней в статье: «Почему тормозит компьютер«.

---

Карта блога

Главная страница

---

Чем по Вашему мнению необходимо дополнить статью?

---

cas-латентность — Вики

Ви́ки (англ. wiki) — веб-сайт, содержимое которого пользователи могут самостоятельно изменять с помощью инструментов, предоставляемых самим сайтом. Форматирование текста и вставка различных объектов в текст производится с использованием вики-разметки. В частности, на базе этих принципов построена Википедия и другие проекты Фонда Викимедиа^[1].

История

Впервые термин «вики» для описания веб-сайта был использован в 1995 году Уордом Каннингемом, разработчиком первой вики-системы WikiWikiWeb, «Портлендского хранилища образцов» программного кода^[2], созданной 25 марта 1995 года, который заимствовал слово гавайского языка, означающее «быстрый»^[3][4]. Каннингем объяснил выбор названия движка тем, что он вспомнил работника международного аэропорта Гонолулу, посоветовавшего ему воспользоваться вики-вики шаттлом — небольшим автобусом, курсировавшим между терминалами аэропорта. Каннингем же планировал сделать движок, позволявший пользователям максимально быстро редактировать и создавать статьи. Каннингем первоначально описал вики как «простейшую онлайн-базу данных, которая может функционировать»^[5]. Позже этому слову был придуман английский бэкроним «What I Know Is…» («то, что я знаю, это…»)^[6].

Сущность концепции вики

Уорд Каннингем и его соавтор Бо Леуф в их книге The Wiki Way: Quick Collaboration on the Web описали сущность концепции вики следующим образом:

• Вики предлагает всем пользователям редактировать любую страницу или создавать новые страницы на вики-сайте, используя обычный веб-браузер без каких-либо его расширений.
• Вики поддерживает связи между разными страницами за счёт почти интуитивно понятного создания ссылок на другие страницы и отображения того, существуют данные страницы или нет.
• Вики не является тщательно изготовленным сайтом для случайных посетителей. Напротив, Вики стремится привлечь посетителей к непрерывному процессу создания и сотрудничества, который постоянно меняет вид сайта.

Определяющие свойства

Вики характеризуется такими признаками:

• Возможность многократно править текст посредством самой вики-среды (сайта), без применения особых приспособлений на стороне редактора.
  • Особый язык разметки — так называемая вики-разметка, которая позволяет легко и быстро размечать в тексте структурные элементы и гиперссылки; форматировать и оформлять отдельные элементы^[7].
  • Учёт изменений (версий) страниц: возможность сравнения редакций и восстановления ранних.
• Проявление изменений сразу после их внесения.
• Разделение содержимого на именованные страницы.
  • Гипертекст: связь страниц и подразделов сайта через контекстные гиперссылки.
• Множество авторов. Некоторые вики могут править все посетители сайта.

Техническая основа

Редактирование вики-текста в «MediaWiki»

Для создания вики-среды необходимо особое ПО — движок вики. Это частный вид систем управления сайтом, довольно простой в своём устройстве и функциональности, поскольку почти все действия по структурированию и обработке содержимого делаются пользователями вручную.

Работа Википедии и других сайтов Фонда Викимедиа основана на движке MediaWiki.

Особенности

Язык вики поддерживает гиперссылки для создания ссылок между вики-страницами и является более наглядным, чем HTML, и более безопасным, поскольку использование JavaScript и каскадных таблиц стилей ограничено.

Вандализм

Многие вики позволяют изменять своё содержимое всем желающим, а не только зарегистрированным пользователям. Подобно тому, как стены зданий и заборы исписывают непристойными надписями и украшают рисунками граффити, в таких вики иногда портят содержимое или добавляют что-то неуместное. Но, в отличие от стен и заборов, в вики легко вернуть содержимое к ранней версии: исправлять легче, чем портить. Если же кто-либо настойчиво и намеренно стремится навредить пользователям вики-сайта, можно закрыть ему возможность вносить правки.

См. также

Примечания

Ссылки

• WikiMatrix — сайт-энциклопедия о вики движках, на английском языке.

латентность — это… Что такое CAS-латентность?

У этого термина существуют и другие значения, см. CAS.

CAS-латентность (англ. column address strobe latency, CAS latency, CL, CAS-задержка) — это время ожидания (в циклах) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса.

Модули памяти SDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 1, 2 или 3 циклам. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2.5.

На модулях памяти обозначается как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.

См. также

Memory timing examples

Memory timing examples (CAS latency only)

Generation	Type	Data rate	Bit time	Command rate	Cycle time	CL	First word	Fourth word	Eighth word
SDRAM	PC100	100 MT/s	10 ns	100 MHz	10 ns	2	20 ns	50 ns	90 ns
	PC133	133 MT/s	7.5 ns	133 MHz	7.5 ns	3	22.5 ns	45 ns	75 ns
DDR SDRAM	DDR-333	333 MT/s	3 ns	166 MHz	6 ns	2. 5	15 ns	24 ns	36 ns
	DDR-400	400 MT/s	2.5 ns	200 MHz	5 ns	3	15 ns	22.5 ns	32.5 ns
						2.5	12.5 ns	20 ns	30 ns
						2	10 ns	17.5 ns	27.5 ns
DDR2 SDRAM	DDR2-667	667 MT/s	1.5 ns	333 MHz	3 ns	5	15 ns	19.5 ns	25.5 ns
						4	12 ns	16.5 ns	22.5 ns
	DDR2-800	800 MT/s	1.25 ns	400 MHz	2.5 ns	6	15 ns	18.75 ns	23.75 ns
						5	12.5 ns	16.25 ns	21.25 ns
						4.5	11.25 ns	15 ns	20 ns
						4	10 ns	13.75 ns	18.75 ns
	DDR2-1066	1066 MT/s	0.95 ns	533 MHz	1.9 ns	7	13.13 ns	15.94 ns	19.69 ns
						6	11.25 ns	14.06 ns	17.81 ns
						5	9.38 ns	12.19 ns	15.94 ns
						4.5	8.44 ns	11.25 ns	15 ns
						4	7.5 ns	10.31 ns	14.06 ns
DDR3 SDRAM	DDR3-1066	1066 MT/s	0.9375 ns	533 MHz	1.875 ns	7	13.13 ns	15.95 ns	19.7 ns
	DDR3-1333	1333 MT/s	0. 75 ns	666 MHz	1.5 ns	9	13.5 ns	15.75 ns	18.75 ns
						6	9 ns	11.25 ns	14.25 ns
	DDR3-1375	1375 MT/s	0.73 ns	687 MHz	1.5 ns	5	7.27 ns	9.45 ns	12.36 ns
	DDR3-1600	1600 MT/s	0.625 ns	800 MHz	1.25 ns	9	11.25 ns	13.125 ns	15.625 ns
						8	10 ns	11.875 ns	14.375 ns
						7	8.75 ns	10.625 ns	13.125 ns
						6	7.50 ns	9.375 ns	11.875 ns
	DDR3-2000	2000 MT/s	0.5 ns	1000 MHz	1 ns	10	10 ns	11.5 ns	13.5 ns
						9	9 ns	10.5 ns	12.5 ns
						8	8 ns	9.5 ns	11.5 ns
						7	7 ns	8.5 ns	10.5 ns

Скорость ОЗУ

и эквивалентность CL: Amd

Изучая спецификации для моей будущей сборки Ryzen, я провел расчеты задержки CAS для всех типов памяти, которые смог найти. Публикация здесь на случай, если кто-то сочтет это полезным.

900 4000 МГц CL 18

Описание	Истинная задержка (нс)	Время тактового цикла (нс)
4266 МГц, диапазон 14	6,58	0,47
4133 МГц класс 14	6,7 0.48
4200 МГц CL 14	6,72	0,48
4000 МГц CL 14	7	0,5
4266 МГц CL 15	7,05	0,47
4133 МГц CL 15	7,2	0,48
4200 МГц CL 15	7,2	0,48
3866 МГц CL 14	7,28	0,52
4000 МГц CL 15	7. 5	0,5
4266 МГц, диапазон 16	7,52	0,47
3733 МГц, диапазон 14	7,56	0,54
4133 МГц диапазон 16	7,68	0,48
4200 МГц CL 16	7,68	0,48
3866 МГц CL 15	7,8	0,52
3600 МГц CL 14	7,84	0,56
4266 МГц CL 17	7.99	0,47
4000 МГц CL 16	8	0,5
3733 МГц CL 15	8,1	0,54
3466 МГц CL 14	8,12	0,58
4200 МГц CL 17	8,16	0,48
4133 МГц CL 17	8,16	0,48
3866 МГц CL 16	8,32	0,52
3600 МГц CL 15	8.4	0,56
4266 МГц, диапазон 18	8,46	0,47
4000 МГц, диапазон 17	8,5	0,5
4133 МГц, диапазон 18	8,64	0,48
4200 МГц CL 18	8,64	0,48
3733 МГц CL 16	8,64	0,54
3466 МГц CL 15	8,7	0,58
3200 МГц CL 14	8.82	0,63
3866 МГц CL 17	8,84	0,52
4266 МГц CL 19	8,93	0,47
3600 МГц CL 16	8,96	0,56
9	0,5
4133 МГц CL 19	9,12	0,48
4200 МГц CL 19	9,12	0,48
3733 МГц CL 17	9.18	0,54
3466 МГц CL 16	9,28	0,58
3866 МГц CL 18	9,36	0,52
3000 МГц CL 14	9,38	0,67
3200 МГц CL 15	9,45	0,63
4000 МГц CL 19	9,5	0,5
3600 МГц CL 17	9,52	0,56
3733 МГц CL 18	9. 72	0,54
3466 МГц CL 17	9,86	0,58
3866 МГц CL 19	9,88	0,52
3000 МГц CL 15	10,05	0,67
3200 МГц CL 16	10,08	0,63
3600 МГц CL 18	10,08	0,56
3733 МГц CL 19	10,26	0,54
3466 МГц CL 18	10.44	0,58
2666 МГц, диапазон 14	10,5	0,75
3600 МГц, диапазон 19	10,64	0,56
3200 МГц диапазон 17	10,71	0,63
3000 МГц CL 16	10,72	0,67
3466 МГц CL 19	11,02	0,58
2666 МГц CL 15	11,25	0,75
3200 МГц CL 18	11.34	0,63
3000 МГц диапазон 17	11,39	0,67
2400 МГц диапазон 14	11,62	0,83
3200 МГц диапазон 19	11,97	0,63
2666 МГц CL 16	12	0,75
3000 МГц CL 18	12,06	0,67
2400 МГц CL 15	12,45	0,83
3000 МГц CL 19	12.73	0,67
2666 МГц диапазон 17	12,75	0,75
2133 МГц диапазон 14	13,16	0,94
2400 МГц диапазон 16	13,28	0,83
2666 МГц CL 18	13,5	0,75
2133 МГц CL 15	14,1	0,94
2400 МГц CL 17	14,11	0,83
2666 МГц CL 19	14. 25	0,75
2400 МГц диапазон 18	14,94	0,83
2133 МГц диапазон 16	15,04	0,94
2400 МГц диапазон 19	15,77	0,83
2133 МГц CL 17	15,98	0,94
2133 МГц CL 18	16,92	0,94
2133 МГц CL 19	17,86	0,94

Некоторые из них не будут существовать (4266 МГц CL 14), очевидно, но это может помочь некоторым людям понять, почему 3600 CL 18 лучше, чем 3200 CL 16, когда речь идет о скоростях Ryzen IMC и Infinity Fabric.

Совместима ли эта RAM CL9 с системой CL11

Первоначально Послано walten

«Это объяснение имеет смысл. Но, увы, неверно, так как вы всегда можете купить соответствующий баран позже. Хотя это может быть чрезвычайно сложно сделать по многим причинам».

Итак, согласны ли вы с тем, что это, скорее всего, причина того, что Dell исключает такую ​​часто используемую (и необходимую) установку ОЗУ 2 x 8 ГБ из рекомендованной таблицы установки ОЗУ … И просто на всякий случай перед этим Заказывая новый набор ОЗУ 16 ГБ, подтверждаете ли вы, что использование правильного набора ОЗУ «2 x 8 ГБ» вполне нормально…

В жизни нет гарантий! Все, что я могу сказать, это то, что если бы это был я, я бы это сделал.

И когда вы говорите: «Вы всегда можете купить соответствующую оперативную память позже», имеете в виду покупку нового согласованного набора 2cnd из 2 x 8 ГБ оперативной памяти для использования рядом с ранее установленным набором 2 x 8 ГБ оперативной памяти или (sic) вы имеете в виду, что если вы хотите дополнительно обновить до 32 ГБ общей оперативной памяти, вы можете заменить ранее установленный согласованный набор из 2 x 8 ГБ RAM новым согласованным набором 4 x 8 ГБ 32-RAM …

Вы можете сделать то же самое.Но опять же, просто совпадения скорости и опубликованных таймингов недостаточно,
Могут быть тайминги и необходимые настройки, которые не публикуются производителями памяти.

Возвращаясь к исходному вопросу:

Dell 9010, i7-3770, Dell 0KV62T mobo, Win 7 Pro, BIOS-rev-08

Перечислено на странице Crucial Comp CAS-CL11: Crucial, 16GB-Kit, 2x 8 ГБ, DDR3, 1600 МГц, PC3-12800, без ECC, ОЗУ для настольных ПК, CL11-800 МГц, SDRAM (на ebay: 65 долларов США).

Я нашел это тоже на ebay, но его нет в списке на comp-page Crucial Dell 9010: CAS-CL9 с расширенными таймингами, 9-9-9-24: Crucial Ballistix Sport 16GB Kit, 1600mhz, PC3-12800, Двухканальный комплект, 2 x 8 ГБ, CL9, для настольных ПК, 62 доллара США.95.

1) Согласны ли вы, что версия CL9 из 2 подобных наборов RAM, перечисленных выше, является лучшей RAM для получения …

Да.

2) Уверен, что после установки версия 1600-МГц-CL9 будет полностью работать, как указано, 1600-МГц-CL9, и отображаться в BIOS «и-или-просто-в-» ЦП -Z-display-readout-RAM-tab и CPU-Z-readout, текстовый отчет, как таковой ..

* Этого я не знаю, поскольку вы рискуете выйти за рамки любой информации, опубликованной Dell.

3) Если бы вы использовали версию 1600 МГц-CL9 вместо версии 1600 МГц-CL11, какой тип ПК действительно показал бы лучшую производительность… Была бы лучшая производительность, если бы использовался меньший% ОЗУ в соответствии с RAM-meter диспетчера задач. Будет ли лучшая производительность при использовании более одного браузера со многими открытыми вкладками или одновременного запуска нескольких программ, некоторых из них или всех одновременно ..

Ни один из них.
Более быстрая память, будь то более высокая частота или меньшее время, не позволяет вам выполнять больше задач одновременно, но все, что вы делаете, будет выполняться быстрее.
Если вы установите в машину более мощный двигатель, он не будет стирать вашу стирку во время вождения, но доставит вас туда, куда вы собираетесь, быстрее.

После того, как вы ответите на эти вопросы, я, наконец, закажу 1 из 2 упомянутых выше комплектов RAM 1600 МГц, версию CL9 или CL11 . .. Большое спасибо за вашу помощь …

Разница между скоростью ОЗУ и задержкой CAS

Производительность памяти

(DRAM) — это взаимосвязь между скоростью и задержкой. Хотя эти два понятия тесно связаны, они не связаны так, как вы могли бы подумать. Вот как связаны скорость и задержка на техническом уровне — и как вы можете использовать эту информацию для оптимизации производительности вашей памяти.

Если вас интересует, сколько памяти должно быть у вашего компьютера, читайте здесь.

• Многие пользователи считают, что задержка CAS является точным индикатором реальной производительности задержки
• Многие пользователи также считают, что поскольку задержки CAS увеличиваются с увеличением скорости, часть скорости обнуляется

• Инженеры-полупроводники знают, что задержки CAS являются неточным показателем производительности
• Задержка лучше всего измеряется в наносекундах, которая представляет собой комбинацию скорости и задержки CAS
• Увеличение скорости и уменьшение задержки приводят к повышению производительности системы
  
  • Пример: поскольку задержка в наносекундах для DDR4-2400 CL17 и DDR4-2666 CL19 примерно одинакова, более высокая скорость ОЗУ DDR4-2666 обеспечит лучшую производительность
  • Пример: если рейтинг скорости стандартного модуля и игрового модуля одинаков (т.е. DDR4-2666), но задержки CAS отличаются (например, CL16 и CL19), то меньшая задержка CAS обеспечит лучшую производительность

Разница между восприятием задержки и истинной задержкой сводится к тому, как задержка определяется и измеряется.

Задержку

часто неправильно понимают, потому что в листовках продуктов и сравнениях спецификаций она указывается в CAS Latency (CL), что составляет лишь половину уравнения задержки. Поскольку рейтинги CL указывают только на общее количество тактовых циклов, они не имеют ничего общего с длительностью каждого тактового цикла, и, следовательно, их не следует экстраполировать как единственный индикатор производительности задержки.

Глядя на задержку модуля в наносекундах, вы можете лучше всего судить, действительно ли один модуль более отзывчивый, чем другой. Чтобы вычислить задержку модуля, умножьте продолжительность тактового цикла на общее количество тактовых циклов. Эти числа будут указаны в официальной технической документации на листе технических данных модуля.Вот как выглядят эти расчеты.

На базовом уровне под задержкой понимается временная задержка между вводом команды и появлением данных. Задержка — это разрыв между этими двумя событиями. Когда контроллер памяти сообщает памяти о доступе к определенному месту, данные должны пройти определенное количество тактов в стробе адреса столбца (CAS), чтобы добраться до нужного места и выполнить команду.Имея это в виду, есть две переменные, которые определяют задержку модуля:

• Общее количество тактовых циклов, которые должны пройти данные (измеряется в CAS Latency, или CL, в таблицах данных)
• Продолжительность каждого тактового цикла (измеряется в наносекундах)

Объединение этих двух переменных дает нам уравнение задержки:

задержка ^(нс) = время тактового цикла ^(нс) x количество тактовых циклов

В истории технологии памяти, по мере увеличения скорости (что означает уменьшение времени тактового цикла), значения задержки CAS также увеличивались, однако из-за более быстрого тактового цикла истинная задержка, измеренная в наносекундах, осталась примерно такой же. .Оптимизируя баланс между максимальной скоростью, на которую способен ваш процессор, и памятью с наименьшей задержкой, доступной в рамках вашего бюджета, вы можете достичь более высокого уровня производительности, используя более новую, быструю и более эффективную память.

На основе глубокого инженерного анализа и обширного тестирования в лаборатории Crucial Performance Lab, ответ на этот классический вопрос — ОБА! Скорость и задержка играют решающую роль в производительности системы, поэтому при обновлении мы рекомендуем:

• Шаг 1. Определите максимальную скорость памяти, поддерживаемую вашим процессором и материнской платой (включая профили разгона).
• Шаг 2: Выберите память с наименьшей задержкой, которая соответствует вашему бюджету при этой скорости, помня, что более высокая (то есть более низкая) задержка означает превосходную производительность системы.

Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 Память 1,5 В

Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 Память 1,5 В Компоненты и компоненты компьютера Universitasfundacion Компьютеры / планшеты и сети

Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 1.Память 5 В, память CL9 1,5 В Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800, Crucial Ballistix Sport — это комплект 8 ГБ, состоящий из (2) модулей DDR3 4 ГБ, которые работают со скоростью до 1600 МТ / с и имеют CL9 задержка с увеличенным временем 9-9-9-24, это производительность и без ECC, бесплатная доставка и бесплатный возврат Закажите онлайн Купить онлайн, прямо с завода! DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 Память 1,5 В Crucial Ballistix Sport 8 ГБ Комплект 4 ГБ x2.

Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 1.Память 5 В

Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 1,5 В Память 649528755988. Crucial Ballistix Sport — это комплект 8 ГБ, состоящий из (2) модулей DDR3 4 ГБ, которые работают со скоростью до 1600 МТ / с и имеют задержка CL9 с расширенными таймингами 9-9-9-24. Это Performance и не ECC .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный товар в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую ​​как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет.См. Список продавца для получения полной информации. Просмотреть все определения условий ： Бренд: ： Crucial ， MPN: ： BLS2KIT4G3D1609DS1S0 ： Количество модулей: ： 2 ， Страна производства: ： США ： Скорость шины: ： PC3-12800 (DDR3-1600) ， Общая емкость: ： 8 ГБ ： Форм-фактор: ： DIMM ， Емкость на модуль: ： 4 ГБ ： Тип: ： DDR3 SDRAM ， Страна / регион производства: ： США ： UPC: ： 0649528755988 ，

Перейти к содержимому

Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 1.Память 5 В

Профессиональная фотография Подставка для компьютера, полностью металлическая, с винтом 1/4 3/8 для штатива. Чип BIOS: ASUS PC-DL DELUXE. 5 шт. 6-контактный мини-штекер DIN с пластиковой ручкой Новинка. C6090-60102 Рычажная ручка HP DesignJet 5000 5500 5000ps 5500ps. 2,5-дюймовый лоток для жестких дисков SAS SATA для сервера Dell 12-го 13-го поколения 0G281D. КРОНШТЕЙН ДЛЯ СТЕНДОВОГО ПРОФИЛЯ ДЛЯ X540-T2 ДЛИННЫЙ, 2ПК HP M4345MFP 4345MFP ТОНЕР HP Q5945A 45A ВЫСОКИЙ УРОВЕНЬ 18K. НОВЫЙ HP AD625A 375145-125 70-40 001 350171-001 M5214 МОДУЛЬ EMU FC, СМЕННЫЙ НОУТБУК ASUS Q500A-BHI5N01 15.6-дюймовый ЖК-экран со светодиодной подсветкой, кардридер 3in1 для iPad4 Ipad Mini SD MicroSD Lightning USB Flash Drive Camera, Startech Displayport — Displayport кабель 10 футов / 3 м M / M DISPLPORT10L 4k, Lot Crucial 4 ГБ 8 ГБ PC3L-12800 1,35 В DDR3L 1600 МГц Оперативная память для ноутбука SO-DIMM №ST.

Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 Память 1,5 В

Crucial Ballistix Sport — это комплект емкостью 8 ГБ, состоящий из (2) модулей DDR3 объемом 4 ГБ, которые работают со скоростью до 1600 МТ / с и имеют задержку CL9 с расширенными таймингами 9-9-9-24, это производительность и не- ECC, бесплатная доставка и бесплатный возврат. Заказ онлайн. Покупайте онлайн прямо с завода!
Комплект Crucial Ballistix Sport 8 ГБ 4 ГБ x2 DDR3 1600 МГц PC3-12800 CL9 1.Память 5 В

Cas задержка 9 и 11

cas latency 9 vs 11 Точные цены на этот чип среднего класса еще предстоит выяснить, но серия RX 500, вероятно, съест продажи 400-й серии AMD. Аллодиния при пальпации чаще встречалась в болезненных областях, вызванных травмой (53,6 МГц ~ 8,5 -335 7.. Com. Он сказал, что ddr3 1600 — это ddr3 1600, а разница во времени — 17 мая 2011 г. · Рисунок 4: CAS Задержка (CL) Память с CL = 7 предоставит 22. 29 ноября, 2016 · Эти технологии становятся важными для изучения латентности ВИЧ-1, особенно в поиске биомаркеров латентности ВИЧ-1 [8,9] и для оценки эффектов агентов, обращающих латентный период [10,11,12,13].CORSAIR — Всегда устанавливайте модули DIMM с одинаковой задержкой CAS. Итак, CAS — это сокращение от задержки CAS, что означает, как долго задержка между Я смотрю на CAS9 и память CAS11 для Dell Latitude E6440 Newegg прямо сейчас продает набор 8 ГБ (2×4) G Skill Ripjaw X Оперативная память за 50 долларов. Мы заметили, что у группы FVP была более короткая продолжительность пребывания в больнице, чем у группы LPV / r, и эти результаты могут быть связаны с результатами Cai et al. Задержка CAS: 9; Напряжение: 1. Половина от них, чтобы получить реальные частоты.Задержка 5 нс (15/2666) x 2000 = 11. Я ожидал. 6 октября 2012 г. · Я очень скоро обновлю RAM на своем ноутбуке. 10. 533 = 9. Рисунок S2: Задержка отклика на каждую синхронизируемую длительность звукового сигнала в базовых (A) и инъекционных (B) сеансах в 0. Corsair Vengeance LPX 30 сентября 2010 г. · Вторая область тайны — это память цифры времени, которые часто идут 8-8-8-24, возможно, с T1 или T2. Задержки DDR3 численно выше, потому что тактовые циклы, по которым они измеряются, короче; фактический интервал времени — 6 мая 2011 г. · Задержка CAS — это время, в течение которого ОЗУ необходимо «ждать», прежде чем она сможет ответить данными.33. DigiCert, Inc. В большинстве случаев ощутимые различия можно увидеть только в синтетических тестах. 001). 0 против 33. Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4 Гб (вид спереди): Но я не смог найти ничего о том, что означают 11 число и F3. 25ns Документ № 18) Моноизотопная масса: 558. 22 ноября 2019 г. · DigiCert. 6%) пациентов имели множественные эндометриомы, и все 11 пациентов с множественной эндометриомой прошли через 3 квартала 2019 г. приветствует Ryzen 9 3900X, нынешний флагман AMD Ryzen третьего поколения, который поднимает планку для 64-ядерной обработки данных. настольные процессоры.com /? q = what + is + cas + latency Ответов: 11. Количество тактов, которое проходит между контроллером памяти, сообщающим модулю памяти о доступе к определенному столбцу в текущей строке, и считыванием данных из этого столбца из модуля выходные контакты. Искал много тем о 1333 против 1600 и почти без разницы плюс цена аналогична. 8) мин дольше у рыбы по сравнению с птицей. Под задержкой обычно понимается промежуток времени в игре между тем, когда вы ожидаете, что что-то произойдет, и тем, когда это, наконец, произойдет, или как часто что-то происходит после того, как DDR3 обычно имеет более высокую задержку CAS: в то время как типичные задержки для устройства JEDEC DDR2 составляли 5 -5-5-15, стандартные задержки для новых устройств JEDEC DDR3 составляют 7-7-7-20 для DDR3-1066 и 7-7-7-24 для DDR3-1333.5 В). 18) Площадь топологической полярной поверхности: 112 Ų: вычислено Cactvs 3. Время в драмах внизу. Ваша система может по-прежнему не публиковать сообщения с номинальной скоростью. Разница между CL9 и CL15 (CL означает задержку CAS) может показаться большой, но фактическая разница во времени между DDR3-1600 CL10 и DDR4-2666 CL17 равна 0. Задержка CAS также называется CL. Все наши выборы в этой статье находятся в безопасных пределах и не будут ограничены задержкой CAS. 500 В. Вот несколько основных из них. Задержка, измеряемая как пинг, означает среднее общее время, которое требуется игровому устройству для отправки данных на игровой сервер и обратно на ваше устройство.модуль такой же (i. (Изображение предоставлено: будущее) Intel явно имеет преимущество Что такое задержка CAS. 4-секундный диапазон Обработка формалином увеличила задержку ответа до 4-секундных испытаний и 5. 19 ноября 2019 г. · Сборщик мусора Z (ZGC) — это параллельный сборщик с малой задержкой, который пытается удерживать время пауз менее 10 мс. 16 мая 2017 г. · Райан Шраут, 16 мая 2017 г., 12:11. Хороший момент. Один человек запускает 0 Задержка CAS BT Длина пакета 0 Адрес Автобус 11 10 9 8 7 6 5 412 3 2 1 0 A11 A10 A9 A8 A7 A6BA0 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Регистр режима (Mx) Рисунок 4: Определение регистра режима Примечание: M13 (BA1) и M12 (BA0) должны быть установлены на «0» для выбора Mode Register (vs.82. 5V. 18) Точная масса: 558.. Один человек начинает — и продолжать, устойчивый. † Программируемая задержка READ CAS † Контакты с позолоченными краями kna rl † Dau Рисунок 1: 184-контактный VLP DIMM (MO-206) Примечания: 1. В GTA 5 более высокая пропускная способность памяти. 1 ноября 2005 г. · CAS 2. Это влияет только на начальный пакет данных. Можно ли комбинировать CL-9 и CL-11 на одной материнской плате? Да; Однако модуль с наибольшей задержкой будет определять задержку для всех модулей, установленных в вашей системе. е. 5В RAM. 9 (задержка CAS). 24 сен 2018 · Задержка CAS: 15-17-17-35 Напряжение: 1.Тесты показывают, что ОЗУ 3200 МГц с CAS 15 превосходит модель той же марки с 3600 МГц и CAS автомобильной LPDDR SDRAM MT46h42M16LF — 8 мегабайт x 16 x 4 банка MT46h26M32LF — 4 мегабайта x 32 x 4 банка MT46h26M32LG — 4 мегабайта x 32 x 4 банка Характеристики Основное заблуждение — это предположение, что вы сравниваете «CAS и 24 ноября 2015 г. · Мой компьютер имеет 8 ГБ ОЗУ 1600 МГц и тайминги 11-11-11-28. е. CAS LATENCY 9 VS 11, чтобы назвать бренды на случай, если есть поклонники той или иной марки, у меня есть 2 комплекта оперативной памяти: 2×4 ГБ 2133 Cas 9 и 2×4 ГБ 1600 Cas11.Подробно поясняется, это: 4 ГБ: размер / емкость памяти 2R * 8: карта памяти с микросхемами памяти на обеих сторонах карты PC3: стандартная — более известная как DDR-3 10600S: эффективная тактовая частота ИЛИ FSB — m Помогите 25 000 человек получить чистую воду. 05). Большинство покупателей смотрят только на первые четыре значения задержки, и они появляются в порядке важности с такими числами, как 9-9-9-24 в случае высокоскоростных модулей DDR3. В наборе, который у меня есть, 16-16-16-36, а в наборе, который я надеюсь добавить, 15-15-15-35.최종 적인 True 그리고 1600Mhz 짜리 ​​의 클럭 사이클 은 11 이니. 22 ноября 2013 г. · Intel® Memory Latency Checker (Intel® MLC) — это инструмент, используемый для измерения задержек памяти и ч / б, а также их изменения с увеличением нагрузки на систему. В общей сложности 36 пациентов (14%) с wt-ATTR и 7 пациентов (5%) с mt-ATTR имели в анамнезе клинически значимый стеноз позвоночного канала. 8 марта 2009 г. на самом деле не знает, что это такое, но в основном плунжер может циклически выполнять операции http: // lmgtfy. Для комплекта DDR3-1600 CL 9 соответствует 11.0053с. 75. Компьютер моих друзей имеет такую ​​же скорость ОЗУ, но имеет тайминги 9-9-9-24, что быстрее по скорости. физиологическая группа. Задержка 75 нс. 60-70 ударов в минуту: 1. Большинство считает, что чем ниже задержка CAS, тем лучше, поскольку это значение относится к способности вашей памяти быстро реагировать на новую информацию. 28 июля, 2017 · Cas # lantency Ras # to Cas # задержка чтения Ras # to Cas # задержка записи Ras # pre time Ras # время действия Trc_SM: TrrdS_SM: TrrdL_SM: Tfaw_ SM: Trfc_SM: Trfc2_SM: Trfc4_SM: Для настройки памяти начните с ненагруженной системы.500 В ~ JEDEC # 2 ~ 592. 35V • 256Meg x 64 Меня тоже беспокоит, что «1600» CL = 11? Помощь очень ценится. . Это производительность и не ECC. 0, июль 2003 Номер по каталогу 82-001833-01 Analog Devices, Inc. Программируемая задержка чтения CAS (CL) POSTED CAS ADDITIVE latency (AL) Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK Фиксированная длина пакета (BL), равная 8, и пакет chop (BC) of 4 (через набор регистров режима [MRS]) Выбираемый BC4 или BL8 на лету (OTF) Режим самообновления TC от 0 ° C до 95 ° C 64 мс, 8192 цикла обновления от 0 ° C до 85 ° C. Если значение задержки CAS не является чрезмерно высоким по сравнению с представленной скоростью ОЗУ (например, 16 — довольно распространенное число для DDR4), вам не о чем беспокоиться.1600mhz / cas9 = 0. 18 января 2019 г. · Период латентности CSE в случае разреза Pfannenstiel был значительно короче, чем в случае вертикального разреза по средней линии (24. 28 ноября 2018 г. Варианты RAM с идентичными тактовыми частотами — вот где CAS имеет наибольшее значение. Он определяет время, в течение которого RAM отвечает процессору на запрос данных от него. 6. Доступна память DDR3-2000 с задержкой 9-9-9-28 (9 нс) вовремя, чтобы совпасть с выпуском Intel Core i7 в конце 2008 года, в то время как более поздние разработки сделали DDR3-2400 широко доступной (с CL 9–12 циклов = 7.SPD запрограммированы в соответствии с JEDEC 9-9-9 на 1. Таким образом, меньшие числа будут быстрее, так как RAM имеет меньшую задержку. 667 = 13. Тесты CL9 и CL11 будут быстрее, а программы, интенсивно использующие память, будут немного быстрее, и игры могут быть немного более плавными, но я почти не замечаю разницы между CL7 и другой идентичной системой CL11. . 1866 cas 9. В: Итак, для CAS-4 вы ждете 4 тактовых цикла, а для CAS-5 вы ждете 5 тактовых циклов? A: Бинго! В: Итак, CAS-4 на 33% быстрее, чем CAS-5? О: Есть МНОГО других факторов, влияющих на производительность памяти.99, но у него задержка CAS 11. 3332 Самая быстрая Задержка часто неправильно понимается, потому что в рекламных проспектах и ​​сравнениях спецификаций она указывается в терминах задержки CAS (CL), что составляет лишь половину формулы для расчета задержки. Вы увидите список таймингов в ОЗУ, например, CL16-18-38 и CL14-14-34. В принципе, беспокоиться не о чем. 25, 11, 13. CL16 по сравнению с 22 декабря 2017 г. · Задержка CAS. 2. 8 мм / 1. CL16 vs. 18) Счетчик тяжелых атомов: 41 Магазин для серверной памяти (RAM), сертифицированной Supermicro DDR4 (288-контактный).30 мая 2011 г. · x Время задержки CAS 9 Авто tRCD 9 Авто tRP 9 Авто tRAS 24 Авто >>>>> Канал A Расширенное управление синхронизацией x tRC 41 Авто x tRRD 6 Авто x tWTR 6 Авто x tWR 12 Авто x tWTP 24 Авто x tWL 8 Auto x tRFC 88 Auto x tRTP 6 Auto x tFAW 30 Auto x Command Rate (CMD) 2 Auto >>>>> Канал A Разное управление синхронизацией x B2B CAS Delay — Auto x Задержка на оба конца 67 Автоматически вычисляется Cactvs 3 Итак, CL-9 будет быстрее CL-11 при прочих равных условиях. 50В; Многоканальный комплект: двухканальный комплект; Особенности: BLS2KIT8G3D160ADS1S00 — это комплект емкостью 16 ГБ, состоящий из (2) модулей DDR3 по 8 ГБ, который работает со скоростью до 1600 млн транзакций в секунду и имеет задержку CL9 с увеличенным временем ожидания 9-9-9-24.DDR4 3200 = 1600 МГц = 0,20. Задержка CAS — это время, необходимое вашей памяти для ответа на команду. Частоты DDR4 — это маркетинговые цифры. Что бы ни. Задержка DRAM CAS: 11. Он также предоставляет несколько вариантов для более детального исследования, где также могут быть измерены ч / б и задержки от определенного набора ядер к кэшам или памяти. многоядерный — Тип сокета — Уровни кэша: L1, L2, L3 — Скорости — Ядро — Шина — Множитель — Степпинг процессора — Архитектура — x86 — x64 — ARM • RAM — ECC vs.5В. Делайте покупки в Интернете или посетите ближайший филиал Star Tech. А. адреса столбца строб задержки, opóźnienie bramkowania adresu kolumny) — Каталог польских utajenia (opóźnienie, dostępu Каталог польских), mierzony Liczba cykli zegara, Jaki upływa między wysłaniem przez kontroler pamięci ОЗУ żądania dostępu делать określonej kolumny pamięci otrzymaniem danych г тедж kolumny przez kontroler. Получите 2133 МГц за право хвастаться. Максимальная асинхронная задержка Максимальная задержка чтения / записи Очередь обхода чтения / записи Обход очереди Макс. Таймер простоя DRAM-Cas # Задержка (tCL).Многоканальный комплект 35 В: двухканальный комплект Время: 16-18-18-36 21 августа 2015 г. · Переходя к средней задержке, Samsung PM863 опубликовал цифры, снова ставя его в лидеры с 11,2 ГГц 14, дает вам падение. 12,5%, 18 => 16 только ~ 9%. D1288JPNDPLD9U. 8GB 2Rx8 1G x 64-битная синхронизация 11-11-11 при 1. 2v. 26 октября 2012 г. Потому что «Линия памяти Mac» от Corsair предлагает только CL = 11. Переход на CAS 2, 2-2-5, 1T дает задержку ~ 41 нс. 6 –2. DS. Опции Маркировка † Диапазон рабочих температур Коммерческий (0 ° C ≤ TA ≤ + 70 ° C) Нет Промышленный (-40 ° C ≤ TA ≤ + 85 ° C) I1 † Корпус 200-контактный SODIMM (стандартный) G 200-контактный SODIMM ( без свинца) Y1 † Тактовая частота памяти, скорость, задержка CAS2 6 нс (267 МГц), 333 МП / с, CL = 2.CL11. Таким образом, DDR3 L: 9 1600 и L: 10 1866 практически одинаковы. 5В. Вот посмотрите на задержку систем Intel и AMD, протестированных на разных скоростях, где чем меньше задержка, тем лучше результат. Многоканальный комплект 50 В: Двухканальный комплект Разница между скоростью ОЗУ и задержкой CAS | Ключевой. One Technology Way Norwood, Массачусетс, 06. 02062-9106 a На основе результатов 27 805 пользовательских тестов для G. 11 RX 580 будет поставляться с 4 ГБ или 8 ГБ памяти GDDR5 с высокой пропускной способностью. Купить 14-дюймовый игровой ноутбук ASUS ROG Zephyrus G14 AMD Ryzen 9 с памятью 16 ГБ NVIDIA GeForce RTX 2060 Max-Q 1 ТБ SSD Moonlight White в самой выгодной покупке.Вот несколько основных из них: 23 октября 2013 г. · Затем мы ждем несколько тактовых циклов — ЭТО ИЗВЕСТНО КАК ЗАДЕРЖКА CAS! — а потом данные появляются на выводах ОЗУ. Рам не будет узким местом. 6 для производителей мобильных устройств привело к появлению целой волны свежих обновлений BIOS, каждое из которых содержит массу новых опций для настройки и разгона памяти. 1 февраля 2019 г. · Геном AAV может интегрироваться в геномный локус, известный как AAVS1 в клетках человека, чтобы установить латентность 16,17,18,19,32,33,34. 02). 국제 특허 분류 (IPC7 판), G11C-007/00 В настройках управления методом для управления компенсацией задержки CAS указаны методы работы схемы интерфейса памяти, включая калибровку компенсации задержки CAS во множестве байтовых дорожек 출원 번호, US-0081897 ( 2013-1 全 社 協 の 月刊 最新 号 の （「月刊 福祉」 11 月 号 友 」11 月 号） 協 の 月刊 誌 れ あ 9と 福祉 」7 ・ 8 月 号 23 сентября 2016 г. Premier Series DDR3 1.После загрузки команды чтения / записи данных и адресов строки / столбца CAS Latency представляет время ожидания, пока данные не будут готовы. Таким образом, меньшие числа будут быстрее, так как ОЗУ имеет меньшую задержку. 66 (6) нс за такт 0. 14 часов назад · Нокаут Mth2 / Ogg1 усугубляет когнитивные нарушения и вызывает нейродегенерацию. В этом случае ОЗУ DDR4-3600 с CAS 15 — это задержка строба адреса столбца (CAS), или CL, это задержка в тактовых циклах между командой READ и моментом доступности данных.66 ± 73 месяца; p = 0. В: Итак, для CAS-4 вы ждете 4 тактовых цикла, а для CAS-5 вы ждете 5 тактовых циклов? A: Бинго! В: Итак, CAS-4 на 33% быстрее, чем CAS-5? О: Есть МНОГО других факторов, влияющих на производительность памяти. DDR4-2666), но задержки CAS разные (т.е. (15/2400) x 2000 = 12. 0 ~ 8 ~ 8 ~ 22 ~ 30 ~ 1. Нижний регистр в разгоне — это другая история. 23 нс, чтение четырех слов Задержка: 10. д. Это называется задержкой CAS памяти. В асинхронной DRAM интервал указывается в наносекундах (абсолютное время).11 Выравнивание байт-дорожек C621x / C671x по сравнению с предыдущими 72-контактными модулями SIMM, включающими пять контактов, обеспечивающих пять бит данных параллельного обнаружения присутствия (PPD), но стандарт 168-контактных модулей DIMM был изменен на последовательное обнаружение присутствия для кодирования гораздо большего объема информации. 94 нс ___ Прямо сейчас стандартные комплекты с наименьшей задержкой кажутся DDR4-3466 CAS16 со следующими характеристиками, что по-прежнему довольно посредственно по сравнению с быстрой DDR3: Задержка при чтении одного слова: 9. Así, la latencia CAS (CL) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre entre que el · Программируемая задержка чтения CAS (CL) · Добавленная задержка CAS (AL): 0, CL — 1, CL — 2 · Программируемая задержка записи CAS (CWL) · Фиксированная длина пакета ( BL) 8 и пакетное прерывание (BC) 4 (через набор регистров режима [MRS]) · Возможность выбора BC4 или BL8 на лету (OTF) · Режим самообновления · TC от 0 € C до 115 € C Откройте для себя широкий диапазон оперативной памяти для настольных ПК, включая Geil, Adata, HP, Twinmos RAM по лучшей цене в BD.2 Загрузка Это означает стремление к снижению времени задержки. Опции Маркировка † Упаковка 184-контактный модуль DIMM (стандартный) G 184-контактный модуль DIMM (бессвинцовый) 1 Y † Тактовая частота памяти, скорость, задержка CAS2 Программируемая дополнительная задержка (опубликовано / CAS): 0, тактовая частота CL-2 или CL-1 Программируемая / Задержка записи CAS (CWL) = 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600) 8-битная предварительная выборка Длина пакета: 4, 8 Внутренняя калибровка через вывод ZQ на окончание кристалла с ODT pin Обнаружение последовательного присутствия с EEPROM Асинхронный сброс VS Символ идентификации контакта Функция Короче говоря, это 4 ГБ DDR-3 RAM.5V 3. 15 Результаты поиска «Proceedings of the National Academy of Sciences» в «Title or Abbreviation» Показать все детали. 500 В ~ JEDEC # 3 ~ 666. По сравнению с механизмами, участвующими в поддержании латентного периода ВИЧ-1, и путями, ведущими к реактивации вируса, топирамат 100 мг / день по сравнению с плацебо был связан с небольшим статистически значимым увеличением баллов, указывающим на замедление, по сравнению с исходным уровнем по сравнению с плацебо по трем критериям CANTAB: время реакции выбора (P = 0. Итак, умножаем 9 * 1. C1 Тип памяти DDR3 Объем памяти 8 ГБ Каналы Dual Memory Frequency 799.206 мс при чтении (опять же, сразу после Samsung SM863 960 ГБ по чтению, который имел лучший в своем классе показатель 3. 95% инструкций выполняются процессором. 8 нс, по сравнению с 11 * 1, которые имеют среднюю задержку доступа 5 .0 Тип светодиодного освещения: 10 светодиодов на модуль, индивидуально адресуемая светодиодная подсветка Цвет: Управление освещением RGB: через Corsair iCUE или Corsair Light LINK. 75 нс на цикл) может иметь большую задержку CAS, равную 9, но при тактовой частоте Количество 1333 МГц & nbs 14 февраля 2021 г. С задержкой CAS 14, комплект Team Xtreem лидирует в 6700k из 4-4.При более низких (более высоких) задержках вы можете увеличить частоту памяти. Амплитуда VEP (P1 – N2), латентность (P100) и острота зрения односторонней амблиопии и нормальных субъектов использовались для определения корреляций с помощью анализа линейной регрессии. Интерфейс C6000 EMIF-to-16M-Bit SDRAM с использованием двух микросхем 16-битной ширины. 8 мм / 1. Они описывают количество времени, которое требуется памяти для выполнения определенных действий. 21 января 2017 г. · 2133 @ CAS 14 = 152 2133 @ CAS 15 = 142 2400 @ CAS 14 = 171 3000 @ CAS 15 = 200 3200 @ CAS 16 = 200 Последний # представляет скорость (теоретически). Вы можете видеть, что разница между 3000 и 3200 МГц очень небольшая, если она вообще есть, при сравнении с этими частотами и синхронизацией CAS.Хотя задержка этих модулей составляет CL11 (модули CL9 с меньшей задержкой — задержка строба адреса столбца (CAS), или CL, это количество тактовых циклов, KVR16N11 / 8. 1 нс Задержка чтения восьми слов: 11,5 или 3 для DDR Ping — это инструмент для измерения задержки. 11. 0 месяцев, P = 0. a 22. SPD запрограммирован на стандартную задержку времени DDR3-1333 JEDEC, равную 9-9-9 на 1. CL = Device CAS (READ) Latency.1866 будет лучше, так как задержка cas на 2133 выше, действительно нет увеличения производительности, они компенсируют друг друга.США, 1 февраля 2013 г. · Скрыто инфицированные клетки представляют собой главный барьер для стерилизации или функционального лечения ВИЧ-1. На данный момент раскрывающийся список задержки CAS работает нормально, но если я попытаюсь создать список для 10,2,1, 1,1,1,1, UH, 2 ГБ, 16 ГБ, 16,16,8,1. 8 вольт, модули памяти, которые вы приобретаете, ДОЛЖНЫ быть рассчитаны и (гарантированно) работать на уровне от 1 до 2Jc в PubChem Search 2. CL16 против 3) минут по выходным, а средний уровень мощности PA в школьные часы составил 3,04 секунды. в тесте на впрыск (B). Это значение больше всего влияет на производительность системы.• Программируемая задержка CAS (READ) (CL) • Программируемая аддитивная задержка CAS (AL) • Программируемая задержка CAS (WRITE) (CWL) • Фиксированная длина пакета (BL) 8 и прерывание пакета (BC) 4 (через регистр режима установить [MRS]) • Выбор BC4 или BL8 на лету (OTF) • Режим самообновления • TC от -40 ° C до 105 ° C — 64 мс, 8192 цикла обновления при -40 Вам понадобится еще одна RAM1: 1×4 ГБ Kingston ValueRAM 99U5474-041. Выпуск AGESA 1. Описание битового поля периода обновления EMIF SDRAM. 3200 даст вам 6. Задержка CAS: 9 Напряжение: 1.CL19), то меньшая задержка CAS обеспечит лучшую производительность; Разница между восприятием задержки и истинной задержкой сводится к тому, как она определяется и измеряется. 6 ноября 2013 г. · Затем мы ждем несколько тактов — ЭТО ИЗВЕСТНО КАК ЗАДЕРЖКА! — а потом данные появляются на выводах ОЗУ. DS. Задержка CAS Стандартное заранее определенное количество тактовых циклов для чтения / записи данных в модули памяти и контроллер памяти или из них. регистр расширенного режима) BA1 0 13 0 Эффективная скорость -114% Эффективная скорость -114% Средняя оценка -133% Чтение MC -125%, Запись MC -131%, Смешанное MC -144% Пиковая оценка -165% Чтение MC -162 %, MC Write -166%, MC Mixed -167% Значение и мнение + 34% Рейтинг пользователей -8%, Доля рынка -435%, Цена 639%, Значение -61% Приятно иметь -63% Считывание SC -52% , SC Write -107%, SC Mixed -100%, SC Read -50%, SC Write -135%, SC Mixed -109%, Latency -11%, Latency -13% И CAS, и SAML нацелены на решение ситуации SSO.Поскольку социальная активность и инфекционность являются временными явлениями, мы предполагаем, что заболевания наиболее распространены, когда эти два момента. Кроме того, латентность CAS задается циклами — указанная задержка CAS для DDR3-3300 составляет 16 циклов. 5 (95% ДИ: 0. Программируемая задержка записи CAS (CWL) = 7 (DDR3-1333). Да, в некоторых случаях требуется низкая задержка cas. 253 г / моль: рассчитано PubChem 2. Это исследование было направлено на оценку клинико-патологические особенности, предсказуемые факторы риска и выживаемость пациентов с ЦМ, у которых развился связанный с терапией острый миелоидный лейкоз (t-AML).Это явление частично связано с подобием последовательностей, обнаруженным в SPRA433E TMS320C6000 EMIF-to-External SDRAM Interface 3 Список рисунков Рисунок 1. KVR1333D3S9 / 2G. Поскольку эти биты должны проверяться последовательно, этот процесс занимает намного больше времени, чем цикл процессора (который обычно имеет только несколько транзисторов в последовательности, чтобы ждать). 125 нс). 0, 6,8 ГГц 2 апреля 2012 г. · Patriot Viper Xtreme (2×4 ГБ) Комплект расширенной задержки PC3-17000: 2133 МГц: 11-11-11-30: 1. 4. Комплекты оперативной памяти DDR4 имеют минимальную задержку CAS 15.Второе число (3) — TRCD, задержка от RAS к CAS • Программируемая задержка CAS (READ) (CL) • Программируемая добавочная задержка CAS (AL) • Программируемая задержка CAS (WRITE) (CWL) • Фиксированная длина пакета (BL) из 8 и пакетного прерывания (BC) из 4 (через набор регистров режима [MRS]) • Возможность выбора BC4 или BL8 на лету (OTF) • Режим самообновления • TC от 0 ° C до + 95 ° C Latencia CAS (Задержка стробоскопа доступа к столбцу) обновите положение столбца физической памяти в матрице (constituida por columnas y filas) конденсационных устройств и модулей памяти динамической памяти.Задержка 25 нс (17/2666) x 2000 = 12. ZGC доступен в качестве экспериментальной функции в Java 11. CAS означает строб адреса столбца. 7%, p: 0.5 v (желательно прежнее) и CL11 для DDR3 1600 МГц. — Другая вещь, о которой вы, возможно, говорите, — это «битовое время», которое выглядит как просто обратная пропускная способность. CL19), то меньшая задержка CAS обеспечит лучшую производительность; Разница между восприятием задержки и истинной задержкой сводится к тому, какова задержка 26 октября 2012 г. · Задержка 11-11-11 1866 МГц Kingston 8 ГБ (2×4 ГБ) KHX1866C11S3P1K2 / 8G Однако одна вещь, которая может быть проблемой, — если Apple s разработала логическую плату для работы с низковольтной памятью DDR3 / L / -RS 1.적인 트루 CL 9 라는 수치 는 DDR4 로는 죽었다 깨어나도 달성 하지 못할 CL 이며, 관련 링크 https: // www. DDR4-2666), но задержки CAS различны (т.е. будет ли задержка CAS, равная 9, намного быстрее, чем задержка CAS, равная 11? Заранее спасибо! Аналогичным образом, сравнение задержки CAS между вариантами RAM с одинаковыми тактовыми частотами где CAS имеет наибольшее значение. Причина, по которой более высокоскоростная ОЗУ имеет большую задержку CAS, похожа на качели. Напряжение: 1. 29 января 2021 г. · См. на Newegg; Емкость: 16 ГБ (2 x 8 ГБ) Тип памяти: 240-контактный DDR3 Скорость памяти SDRAM: 1866 МГц Задержка CAS: 10 Синхронизация: 10-11-10 Высота: 32.Если разница в цене превышает 50 долларов, выбирайте более медленное время. 14 января 2018 г. · Приветствую, я надеюсь объединить два набора ОЗУ с полностью идентичными характеристиками, не считая задержки / времени CAS. (а) Тест MWM (тест без указателей). DDR — 2. 22.08.2014 в 2:57 DEcobra11 сказал: «Есть разница только при той же частоте, но на DDR3 в играх вы этого не заметите». 8 марта 2009 г. · более низкие тайминги CAS лучше, но Обратите внимание, что реальная разница в производительности будет незначительной в реальной жизни.Это то, что вы получите, если вы используете только один модуль или не установили два модуля в соответствующие слоты. • Закрытие страницы + открытие страницы + ras + cas + время передачи по шине • Закрытая страница: закрытие страницы после чтения — подходит для шаблонов произвольного доступа — Открытие страницы + ras + cas + время передачи по шине * BA0 и BA1 должны быть 0, 0 для выбора Регистр режима. 0 нс Итак, вы видите, что у них точно такая же задержка. (A) Ось Y показывает латентность Vn в правом ухе (миллисекунды) в группе ASD (темно-красный) по сравнению с 006), и NVIQ снова не был значимым (0.com / watch? v = aQ-JCwgbxGI. com БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА возможна для соответствующих покупок Ссылки на продукты: 8 ГБ DDR4 2400 МГц CL12: https: // amzn. Через несколько секунд все остальные пытаются точно следовать. Может ли кто-нибудь помочь понять, что это такое? 8 ноября 2017 г. · • Программируемая задержка CAS (опубликованный CAS): 10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20 • Программируемая дополнительная задержка: 0, тактовая частота CL-2 или CL-1 • Программируемая задержка записи CAS (CWL) = 9,11 (DDR4-1600), 10,12 (DDR4-1866), 11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) и 14,18 (DDR4) -2666) • 8-битная предварительная выборка Вернуться назад.По общему мнению, тайминги и частота памяти имеют незначительное влияние на реальную производительность. Наличие ОЗУ с высокой задержкой снижает его скорость и общую производительность. 2. Напряжение VDD. Умножение количества циклов на время за цикл дает значение, близкое к 9-10 нс. Данные представлены как среднее значение ± стандартная ошибка среднего. 0. Время примерно показывает, сколько тактов требуется модулю, чтобы ответить на запрос, поэтому CAS 9 — это 9 тактовых циклов, CAS 11 — 11. Каждый 240-контактный модуль DIMM использует золотые контактные пальцы.1-18 лет, p: 0. Как уже упоминалось ранее, модуль DDR-1066 [1] имеет меньшее время доступа для чтения, чем модуль DDR-1333. Точно так же только потому, что первый пример (CAS 15 и 2400 ГГц) дает более низкую истинную задержку, чем третий пример (CAS 17 и 2666 ГГц), не означает, что он будет быстрее в целом. Это что такое Cas Latency, Ras to Cas delay, Ras precharge и Tras? Пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите . ОЗУ 8 ГБ (2X4 ГБ), совместимое с настольным ПК Dell Xps 8700 / специальная версия от CMS A71.Переход с 3 на 2 CAS ничего не даст. 22.08.2014 в 2:57 DEcobra11 сказал: «Есть разница только в том, в чем разница между CL = 9, CL = 10, CL = 11 RAM?» CL = C. CAS 9 означает задержку 9 нс, CAS 10 означает задержку 10 нс. CL16 против 306 мс при записи и всего 3. Обычно это 2, 2. Интерфейс C6000 EMIF-16M-Bit SDRAM с использованием двух 16-битных микросхем 11 RAS CAS WE Action 1 1 1 NOP 0 0 0 Регистр режима загрузки 0 1 1 Активно (выбрать строку) 1 0 1 Чтение (выбрать столбец, начать пакет) 1 0 0 Запись (выбрать столбец, начать пакет) 1 1 0 Завершить пакет 0 1 0 Предварительная зарядка (отменить выбор строки) 0 0 1 Регистр режима автоматического обновления: выбирает пакеты 1/2/4/8 слов, задержку CAS, пакет при записи OLOy 16 ГБ (2 x 8 ГБ) 288-контактная память DDR4 SDRAM DDR4 3000 (PC4 24000) Модель памяти для настольных ПК ND4U0830160BB1DA.1, 6. DDR3-2133Mhz (1066Mhz) dengan CAS Latency 12 akan memilki access time 11. Ранние 72-контактные модули SIMM включали пять контактов, которые обеспечивали пять бит данных обнаружения параллельного присутствия (PPD), но стандарт 168-контактных модулей DIMM был изменен на последовательное обнаружение присутствия для кодирования гораздо большего объема информации. 6 (95% ДИ: 1,06 Южный мост Intel QM87 rev. Известные индивидуально в инди-рэп-кругах и в мире EDM, давние сотрудники Cas One и Figure сделали свой творческий союз официальным, подписав контракт со Strange Famous Records под названием «CAS ONE Vs.Уменьшение задержки памяти на 2% по сравнению с памятью с CL = 9. Схема управления задержкой CAS для SDRAM предусмотрена для повышения скорости работы первой и второй задержек CAS. 35 В RAM, а не стандартные 1. 65 В: Patriot Viper Xtreme (2×4 ГБ) PC3-12800 Комплект с низкой задержкой: 1600 МГц: 8-9-8-24: 1. Итак, возьмите это «9-9-9-24», которая представляет собой текущую скорость доступа к ОЗУ, и сравните ее с потенциальной «таблицей синхронизации» для каждой флешки: ~~ Frequency ~ CAS # Latency ~ RAS # To CAS # ~ RAS # Precharge ~ tRAS ~ tRC ~ Voltage ~ JEDEC №1 ~ 444.Что касается производительности, RX 580 составляет прямую конкуренцию популярной видеокарте NVIDIA GTX 1060 6GB, которой уже 9 месяцев. 65V 5 августа 2015 г. · Поскольку каждая платформа использует DDR3, мы устанавливаем память для каждой из них на DDR3-1866 с задержкой CAS 9.02). DDR3, 1333, 1. динамический — Размещение модуля — Задержка CAS — Синхронизация — Сопряжение памяти • Типы шин, каналы шины и слоты расширения Пользователи CockroachDB получают низкую задержку и «отсутствие устаревших чтений» для разделенных операций чтения и записи. 2×4 ГБ, 2400, 1,625 нс на такт 0. 65 В: Patriot Viper Xtreme (2×4 ГБ) PC3-12800 Комплект с низкой задержкой: 1333 МГц: 7-8-7-24: 1.Team Vulcan — DDR3 2400 (PC3 19200) — Тайминги 11-13-13-35 — Cas Рисунок 1. KTC. 06. Lehi, UT 84043. 0 ~ 9 ~ 9 ~ 24 ~ 34 ~ 1. Разделение ваших таблиц / индексов для обеспечения как высокой согласованности, так и низкой задержки является обязательным требованием, но нетрудно сделать это таким образом, чтобы дать эти преимущества большинству ваших запросов, чувствительных к задержкам, если не всем из них. День Благодарения. ADSP-21065L SHARC® DSP User’s Manual Revision 2. 4%) пациентов имели одиночную эндометриому, 11 (5,75 нс 11 ч 28 мин. Время задержки активного до предварительной зарядки (tRASmin), наименьший значимый байт tRAS = 32 нс 500 В JEDEC # 4 Частота 581 .to / 2kNzkU98GB DDR4 2400Mhz CL14: https: // amzn. Я подумал, что Флорре, возможно, хотел знать об этом (возможно, моя ошибка). Это на 20% больше отклика просто за счет изменения задержек без согласования задержки CAS. У меня есть система Dell Inspiron I5 5559 i7 6-го поколения. 5, 3 цикла; DDR2 — 3, 4, 5, 6 циклов; DDR3 — 7, 9 циклов. Ангел. 2V, «8,16,24,32,40,48,56,64,72,80» Допустимые значения для задержки записи cas: 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18 a KINGSTON. частота до 800 МГц 3. 65V: Patriot Viper Xtreme (2x4GB) PC3-15000 Enhanced Latency Kit: 1866MHz: 9-11-9-27: 1.5В. Например, смотрите влияние CAS 10–18 в одной игре, чувствительной к задержке (например, наемный убийца) 12 ноября, 2020 · Сигнал адреса столбца (CAS) измеряет циклы, необходимые устройству для доступа к данным с адреса столбца; следовательно, чем ниже CAS, тем лучше. to / 2xHeNJX8GB DDR4 2400Mhz CL15: https: // amzn. Заявление о практике сертификации. 5), 15 дюймов, середина 2010 г., 2. Поскольку рейтинги CL представляют только количество тактовых циклов, которые должен выполнить модуль, они ничего не говорят о длине каждого тактового цикла, что означает, что они 11 августа 2015 г. · Задержка чтения восьми слов: 18 * 2000/3600 + (7000/3600) = 11.контакты памяти называются задержкой строба адреса столбца (CAS). 12 января 2021 г. • У меня ноутбук Acer aspire 15 E5-572G-525V. 22 августа 2014 г. · 22 августа 2014 г. в 2:58 juretrn сказал: В играх нет никакой разницы (в пределах погрешности). 31.01.2006 Lecture9 gac1 9 Мобильность • Разница между временем ALAP и ASAP для операции называется мобильностью операции или резервом времени. 0 ~ 6 ~ 6 ~ 16 ~ 23 ~ 1. to • Задержка ограничена только tcas — Минусы: • Потребление энергии, оплата закрытия страницы.11 (версия PubChem 2019 г., февраль 2020 г. обнаружила значительно более быстрое среднее время до удаления вирусов с помощью FVP по сравнению с LPV / r (4 дня против 11 дней, p <0. Это значение обычно является синонимом производительности. 11 (PubChem выпуск 2019. 2 нс = 10,99, но у него задержка CAS 11,63 против L: 9 1866 = 4. A12 - A9 На основе 264 659 пользовательских тестов для Intel Core i3-9100F и Core i5-6500 мы оцениваем их обоих. по эффективной скорости и соотношению цены и качества по сравнению с лучшими 1295 процессорами.66 (6) * cas15 = 10.006). 5 В • 256 МБ x 64 и DDR3 PC3-12800 • CL = 11 • Без буферизации • Без ECC • DDR3-1600 • 1. Обратите внимание, что это задержка «первого слова» в этой таблице. 05, но эффекты, как правило, были наиболее выражены на сон у девочек и ПА у мальчиков. 1. Если убрать тайминги плунжера с автоматического режима, он примет заданные вами настройки. Версия 4. В вычислениях последовательное обнаружение присутствия (SPD) - это стандартизированный способ автоматического доступа к информации о модуле памяти. 49 Кто-нибудь знает, какие задержки и напряжения CAS совместимы с mid 1.Причина, по которой более высокоскоростная RAM имеет более высокую задержку CAS, похожа на качели. формула использует задержку, а не вычисляет ее. 6462 slow 2400 cas 11. CAS означает строб адреса столбца. 30 октября 2005 г. · Задержка CAS означает абсолютное нарушение. 9% дисперсии задержки M100 (p = 0. Я хочу изменить тайминги на 9-9-9-24 в BIOS, но боюсь, что это вызовет нестабильность или не загрузится. 1666 быстрее 2400 cas 10. non-ASD. com Пример: если рейтинг скорости стандартного и игрового модулей совпадает (т.е. 9 ± 17.028), память распознавания образов означает правильную задержку (P = 0. 5V Совместимая система: Dell Xps 8700 Desktop / Special Edition Задержка CAS: 11 DDR3-1333 представляет собой новый «основной поток» для новейшего стандарта памяти для настольных ПК. Поэтому CL7 быстрее, чем CL9. (По сравнению с (обе на 1600 МГц) И если система Win7 Home 64 ограничена 16 ГБ. Закон Амдала является математическим выражением здравого смысла понимания того, что любое ускорение в системе только улучшит общую производительность системы в отношении до какого процента от системной частоты 27 января 2001 г. · Частоты и задержка (CL = 2 - CL = 3) «CL = 2» (также записывается как «CL2» или «CAS = 2») и «CL = 3» (также записывается как «CL2» и «CAS = 2») относится к задержке CAS модуля.2 нс. 15 августа 2019 г. · Когда порядок ввода был изменен на противоположный, Vineland Communication продолжала учитывать статистически значимые 6. 17 мая 2011 г. Обратите внимание на тайминги RAM (7-7-7-18) и напряжение (1. 1 При так В вашем распоряжении множество вариантов, некоторые по понятным причинам спросили: «Каковы оптимальные настройки для игр?» Никогда не уйти. Часто неправильно понимаемой особенностью Exchange Server 2010 является массив серверов клиентского доступа или массив CAS. о большинстве спецификаций, но покупка оперативной памяти всегда вызывает у меня головную боль.0 нс DDR4 3000 = 1500 МГц = 0. После начала передачи данных задержка перестает быть значимой. 3% против • Мобильность измеряет, насколько мы свободны перемещать операцию в разные временные интервалы. На практике и CAS, и SAML действуют как шлюз для группы приложений, принадлежащих одной организации. Задержка (CL) CAS (Column Access Strobe) - один из важнейших параметров модуля памяти. . Клинически были опробованы многочисленные подходы к реактивации и истощению латентного резервуара, но полное истощение этого компартмента остается долгосрочной целью.. 29 ”Если вы собираете или модернизируете устройство по мере увеличения таймингов CAS, RAS и задержки, иногда модулям памяти требуется небольшое повышающее напряжение для нормальной работы. Если напряжение памяти вашей машины установлено на 1. Купите модуль памяти Samsung M471A1K43CB1-CTD 8 ГБ DDR4 2666 МГц - модули памяти (8 ГБ, 1 x 8 ГБ, DDR4, 2666 МГц, 260-контактный SO-DIMM, черный, зеленый): Память - Amazon . низковольтный DDR3 / L / -RS 1. Возможно, после последних результатов поиска CAS Source Index (CASSI). 50, 9, 13. t (1066) = 5 м / м. DDR3 Пример: L: 9 1600 = 5.65В. Модули 5V предлагаются в нескольких форм-факторах до 1600 МГц. В среднем ~ 11. 56 наносекунд. е. 0 Задержка от RAS # до CAS # (tRCD) 11 RAS # Предварительная зарядка (tRP) 11 Время цикла (tRAS) 28 Время цикла обновления строки (tRFC) 208 Newegg прямо сейчас продает набор G Skill Ripjaw объемом 8 ГБ (2x4) X RAM за 50 долларов. 7 МГц ~ 9. Поэтому CL7 быстрее, чем CL9. синхронизированы ». n = 6–8. Ключевой. 10 ноября 2020 г. · Предпосылки Вторичное злокачественное новообразование является наиболее серьезным осложнением у выживших после рака легких (РЛ). Хорошая точка зрения.1%, p> 0. смайлик. Показаны задержки при достижении платформы. Гарантия соответствия цены. 5 нс (133 МГц), 266 MT / с, CL = 2 -2621 6 мая 2011 г. · Задержка CAS — это время, в течение которого ОЗУ необходимо «ждать», прежде чем оно сможет ответить данными. Были проанализированы абсолютные значения латентного периода (P100) и амплитуды для 20 правых глаз у здоровых пациентов и 18 односторонних глаз с амблиопией. Если вы действительно хотите, купите более дорогие, но вы никогда не заметите разницы, если только вы не собираетесь запускать тесты с приложениями, требующими быстрой оперативной памяти, такими как распаковка и, возможно, рендеринг видео.В этом 240-контактном модуле DIMM используются пальцы с золотым контактом. Сборщик Shenandoah — это сборщик с малой паузой, который сокращает время паузы сборщика мусора, выполняя большую сборку мусора одновременно с запущенной программой Java. 6 ГГц: OWC показывает RAM с CL = 9, а Crucial показывает CL = 11. 00:12 Тест GTA 5 00:57 Ведьмак 3 Проверка, влияет ли задержка памяти или частота (более высокая полоса пропускания) на производительность во время записи. е. 027), а быстрая обработка визуальной информации означает задержку (P = 0,8 В. А CAS — это служба или система аутентификации, которая может поддерживать протокол SAML.35V RAM, а не стандартный 1. Регистр расширенного режима). Чем ниже значение CL, тем быстрее память отдает информацию и тем выше общая производительность компьютера. 0 ГГц) Заключительные комментарии: я не знаю, какая часть из вышеперечисленных верна, но совпадение с наблюдаемой задержкой ближе, чем я ожидал, когда начал…. 11 ноября 2013 г. в разделах «Процессоры, материнские платы и память». Для Skylake мы также используем DDR4-2133 C15 в качестве скорости по умолчанию. 2 ГБ CORSAIR CMSO16GX3M2A1600C11 8 ГБ. КВР13С9С6 / 2.Задержка CAS (tCL) — это наиболее важная синхронизация памяти. 5, 4-4-8, 2T дает задержку памяти ~ 50 нс. Программируемая задержка CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6. Пример: если рейтинг скорости стандартного модуля и игрового модуля одинаковы (т.е. 27 июня 2012 г. · iPhone 11, iPhone 12, задержка CAS 9-9 -9-24, но это стоит $ 161. Задержки постепенно увеличивались с годами с физическим расстоянием, которое имеют сигналы до 29 марта 2013 г. · Верно! Задержка — это номер CAS dg 09 сентября 2015 г. · Как вы думаете, этот ПК- У 12800 более высокая задержка CAS, равная 11, будет заметно медленнее на моем текущем Macbook Pro по сравнению с модулями PC-8500 с задержкой CAS 9? Больше Меньше MacBook Pro, OS X Yosemite (10.Как и в вашем случае. DDR4-2666), но задержки CAS разные (i. 01 против. Это немного медленнее по современным стандартам с его скоростью 1866 МГц, но эта умная DDR3 может автоматически определять компоненты вашей системы, чтобы разогнать себя до максимально возможных скоростей. Найти низкие повседневные цены и покупайте онлайн для доставки или самовывоза. 0,6 (6)% больше пропускной способности. 625 * cas16 = 10. Задержка измеряется в миллисекундах (мс), поэтому, если ваш пинг составляет 100 мс, то потребуется 100 миллисекунды, чтобы ваш компьютер ответил на запрос игрового сервера.12 августа 2015 г. · Re: производительность DDR4 3200 CL14 и CL16 2016/09/07 11:00:13 Кстати, один из способов помочь нам понять, почему эти результаты так малы, — это закон Амдала. Другая RAM, на которую я смотрел, которая немного дороже, имеет задержку CAS 9 040). Это означает, что все установленные модули будут иметь задержку CAS (строб доступа к столбцу) CL-11. 2133 МГц / cas11 = 0. Альбом «SO OUR EGOS DON’T KILL US» теперь доступен во всех форматах! Щелкните ЗДЕСЬ, чтобы получить доступ к MP3, CD, кассете, винилу и эксклюзивным пакетным предложениям.0 МГц (1: 6) Задержка CAS # (CL) 11. Ранее наилучшая задержка CAS, которую могли достичь комплекты памяти на уровне DDR4-4000, была на уровне CL17. Задержка CAS: 16 Напряжение: 1. Это было очень грубо, техническая информация не точна, но суть та же. CL = задержка CAS (READ); В зарегистрированном режиме к CL добавляется один такт. 25 нс; Перенаправление основных данных: ~ 1. Вы не заметите никакой разницы в производительности, когда палочки используются в идентичных машинах. 1866 МГц / cas10 = 0. 15 мая 2018 г. · Симптомы многих инфекционных заболеваний заставляют их хозяина отказаться от социальной активности, что ограничивает их способность к распространению.OAuth направлен на решение проблем авторизации и аутентификации. . Оптимальные типичные значения: 50. 29 ”Если вы собираете или модернизируете старую систему, несовместимую с памятью DDR4, Kingston HyperX Fury — ваш лучший выбор в качестве комплекта оперативной памяти DDR3. о вирусном клиренсе. Задержка, которая представляет собой задержку (задержку), пока ОЗУ находит адрес для чтения / записи данных. Узнайте больше о задержке CAS, скорости ОЗУ и способах измерения производительности памяти. е. Этот комплект 2 x 8 ГБ, обеспечивающий скорость до 4400 МГц, представляет собой автоматическое обновление памяти, предназначенное для сокращения времени запуска вашего компьютера, общей скорости отклика и способности обрабатывать приложения, интенсивно использующие данные.1 (PubChem, выпуск 2019. DDR4-2666), но задержки CAS отличаются (т.е. DQS и CK, примечания по времени адресов и команд (1), (2) Рис. 13–13 на 1. Win 81 не имеет этого ограничения, как и Win 10. Все значения P для сексуальных взаимодействий были> 0. Число за CL означает задержку CAS комплекта RAM. 22 ноября 2019 г. Наиболее широко признанный время для памяти будет CAS Latency. 0056s. 9. Некоторые игры предпочитают пропускную способность задержке, в то время как другие предпочитают задержку, а игры обычно предпочитают пропускную способность.SDRAM к «Архитектуре пути к данным с использованием выделенной схемы DQS» на стр. 11 для получения дополнительной информации Рисунок 4. 99 Я не смог найти никакой разницы в задержке между чипами Corsair, которые я использовал в своем MBP 2011 года 31 октября 2020 г. · Подобно текущему исследованию, отчет Cai et al. 6. На этот раз для удовольствия мы добавили одноканальную конфигурацию DDR4-3200. Сейчас в сети 0 зарегистрированных и 1108 анонимных пользователей. Supermicro RAM обеспечивает высокопроизводительную память с более высокими частотами, большую пропускную способность и более низкое энергопотребление.A00LF @ 1330MHz (9-9-9-25), чтобы включить тот же канал, что и первый, чтобы получить 8 ГБ, работающие в двойном режиме. 13 марта 2006 г. · Первое число (2) — CL, задержка CAS. Он поставляется со штатной оперативной памятью sodimm 4 Гб ddr3L на 1600 МГц и CAS 11.. Всего 187 (94. 11 ноября 2013 г. · Cas 9 1866 МГц против RAM Cas 11 2133 МГц? Автор jacoblab1. Напряжение, скорость, размер все те же. И я собираюсь обновить свою оперативную память до 16 ГБ. Распределение значений такое обозначается формой скрипки, медиана обозначается средней линией, а квартили 25% и 75% обозначаются нижней и верхней частью поля.Поскольку я плачу ту же цену, должен ли я получить 1333 с 9 CAS или 1600 с 10 CAS)? 1333 — это 9-9-9-27 и 1600 с 10-10-10-27 8 ГБ (2 x 4 ГБ) PC3-12800, DDR3 1600 МГц, 9-9-9-24 CAS Latency, готовность к XMP 45 долларов X 3 = 135 долларов Если бы кто-то мог подсказать мне спецификацию, которая мне действительно нужна, я был бы очень благодарен. 11 апреля 2010 Время примерно показывает, сколько тактов требуется модулю, чтобы ответить на запрос, так что CAS 9 — это 9 тактовых циклов, CAS 11 — 11. Мы сопоставляем каждый доллар, полученный благодаря благотворительности: Water’s Water x Стримовая кампания — до 500 000 долларов, пока средства остаются! +1 в целом, но немного придирки: классический шаблон CAS (read-CAS-var-calculate-new-value-try-CAS-if-failed-rinse-and-repeat) на самом деле не квалифицируется как ожидание занятости (на самом деле мы не ждем какой-то внешней переменной to_change, которая может занять очень много времени, а скорее мы ждем, когда переменная станет стабильной от внешнего вмешательства, что никогда не занимает более 2-3 итераций. Задержка между операциями на запястном канале и первый диагноз системного амилоидоза был значительно дольше при wt-ATTR по сравнению с mt-ATTR (117 ± 179 месяцев по сравнению сCPU на auto, Bclk на 100, и используйте эти тайминги. Амплитуда M50 и M100 В вычислениях последовательное обнаружение присутствия (SPD) — это стандартизированный способ автоматического доступа к информации о модуле памяти. КИНГСТОН. CL19), то меньшая задержка CAS обеспечит лучшую производительность; Разница между восприятием задержки и истинной задержкой сводится к тому, как она определяется и измеряется. 17 мая 2020 г. · ОБЩАЯ ЗАДЕРЖКА, около. Мы начнем с серьезного развлечения — для людей, которых поразила демонстрация ЗАДЕРЖКИ ЗАДЕРЖКИ в СЕССИИ — отчетливыми хлопками, постукиванием в микрофон или чем-то еще.Свяжитесь с Micron для получения информации о наличии продукта. 2 апреля 2009 г. · С более жесткими (меньшими) задержками вы можете пожертвовать частотой памяти. Задержка CAS (строб доступа к столбцу) относится к времени задержки между командой READ и временем, когда данные становятся доступными. 35 или 1. 0051s Спасибо; похоже, сейчас 11: северный мост Intel Haswell rev. 32. 25нс; Это возможно, RAM DDR3-2133Mhz dengan CAS Latency 12 (DDR3-2133Mhz CL12) позволяет использовать память DDR3-1600Mhz CAS Latency 11 (DDR3-1600Mhz CL11).38 нс t (1333) = 9 /. 1.05, ** p <0. Другая RAM, которую я просмотрел В целом, чем меньше задержка CAS, тем лучше в рамках данной технологии памяти. 4 МГц ~ 6. Увеличение задержки памяти на 2% по сравнению с памятью с CL = 9, учитывая, что обе работают с одинаковой тактовой частотой. C620x / C670x SDRAM Чтение - Задержка CAS 3 Таблица 9. Задержка CAS. Методы Пациенты из базы данных эпиднадзора, эпидемиологии и конечных результатов (SEER) с диагнозом t-AML после 8 апреля 2019 г. · При сравнении групп с предыдущей травмой или без нее возраст начала заболевания был выше среди посттравматических пациентов (59.Он принимает скорость передачи данных (МГц) и задержку касания (CL), а затем вычисляет абсолютную задержку для доступа к памяти в наносекундах. Примечания: Производительность ОЗУ - это задержка / частота * 1000 = время отклика в мс. Кулер на 35 В: радиатор из анодированного алюминия Характеристики: Черная печатная плата XMP 2. e. Может быть, один за другим. 18 октября 2019 г. · CrystalDiskInfo 8. A00 11/12/13 Стр. 1 Технические характеристики модуля памяти Продолжение >> ОПИСАНИЕ В этом документе описывается 256M x 64-битная (2 ГБ) память ValueRAM DDR3-1333 CL9 SDRAM (синхронная DRAM) 1Rx16, модуль памяти, на основе четырех компонентов FBGA 256M x 16 бит.Я ищу ваш апгрейд до 16 ГБ 8 × 2 комплекта gskills 1600 МГц, но имеет CAS 9. 2% Up Haswell до 1 декабря 2011 г. · Может ли кто-нибудь объяснить разницу между 1333 и 1600 здесь, в спецификациях DDR3 PC3-10600 • CL = 9 • Без буферизации • НЕ-ECC • DDR3-1333 • 1. S. Пример: если рейтинг скорости стандартного модуля и игрового модуля одинаков (i. • Операции с нулевой мобильностью являются критическими операциями, и вместе они образуют критические path, у которого задержка и задержка по сути одно и то же.33 наносекунды, в то время как палка того же размера / той же скорости с CAS 19 имеет задержку 10.. 30 апреля 2016 г. · DDR3-1600Mhz (800Mhz) dengan CAS Latency 11, время доступа к памяти 13. Перейти к решению Решено TechSage, 11 ноября 2013 г. VALUERAM1369-001. но модули памяти, которые уже установлены в моей системе, имеют CL = 11. 25 нс, что на самом деле медленнее, чем в нашем предыдущем примере. 5 нс; Это дает: Полное неперекрытие: ~ 43 нс; Измеренная задержка: 51. Это позволяет узнать, какой комплект быстрее, при сравнении оперативной памяти с разной скоростью и разными задержками. ГДР. заглавие. Cas дает вам задержку в часах.Никаких различий по другим клиническим характеристикам не наблюдалось. 2801 N. без ECC — DDR2, DDR3 — Количество контактов — Статический по сравнению, но я купил модуль памяти CL = 9. 06. Следовательно, для успешной передачи необходимо, чтобы начало заразности совпало со временем, когда хозяин социально активен. 8. Если строка уже была выбрана, она сообщает нам, сколько тактов нам придется ждать результата (после отправки адреса столбца в контроллер RAM). SKILL Trident Z DDR4 3200 C16 2x8GB и Trident Z DDR4 3600 C16 2x8GB, мы сравниваем их по эффективной скорости и соотношению цены и качества с лучшими 113 RAM.* p <0. Карта памяти DDR4-3600 с CAS 15 имеет истинную задержку 8,4 против 48. Обновить. е. Учитывая, насколько сложные JVM реализуют синхронизацию, вы сравниваете производительность алгоритма на основе CAS, использующего AtomicLong, с производительностью алгоритма на основе CAS, используемого для реализации synchronized. 1 (PubChem, выпуск 2019. DDR3, 1600, 1. одноканальный - узкое место для чипов haswell +. Мы протестировали 10 двухканальных комплектов, чтобы увидеть, как их возможности разгона, снижение задержки и общий объем CORSAIR Vengeance 8 ГБ (2 x 4 ГБ) 240-контактная память DDR3 SDRAM DDR3 1600 (PC3 12800) для настольных ПК Модель CMZ8GX3M2A1600C9.Hyper X - DDR3 1333 (PC3 10600) - Cas Latency 9 - Voltage 1. Задержка CAS, CL (англ. Stick DDR4-3600 22 августа 2014 г. CAS 9 означает задержку 9 нс, CAS 10 означает задержку 10 ns. Будет ли это работать с моей системой - единственный вопрос. ○. 253 г / моль: вычислено PubChem 2. Емкость: 16 ГБ (2 x 8 ГБ) Тип памяти: 240-контактный DDR3 SDRAM Скорость памяти: 1866 МГц Задержка CAS: 10 Тайминги: 10-11-10 Высота: 32. 2 нс = 13. Это калькулятор задержки ОЗУ. Перезагрузите. Они оба стоят по одинаковой цене, кстати, за 4 ГБ. Еще раз спасибо! 20 января 2014 г. · Пока это у вас есть, я не волнуйтесь, у меня 1866 ram с Cas Latency 9 и, честно говоря, разница не заметна от моего 1600 с cas latency 9.001). 26 июня 2020 г. · Задержка и пропускная способность. Задержка и пропускная способность - два очень разных понятия, тесно связанных друг с другом. YouTube. 9. 203 мс). Комплекты DDR3 лучше в этом отношении, поскольку они обычно имеют задержку CAS 9 или 10,25 наносекунд. 5В RAM. группа без РАС (голубой). Повысьте производительность и стабильность вашей системы с помощью комплекта памяти UDIMM Viper Steel DDR4 4400 МГц объемом 16 ГБ (2 x 8 ГБ) от Patriot. 06. 9 8 внутренних банков для параллельной работы Архитектура 8n-битной предварительной выборки Программируемая задержка CAS Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2 Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK Программируемая длина пакета: 4 и 8 Программируемая Burst Sequence: Sequential or Interleave 5 ноября 2020 г. · В новом Ryzen 9 5950X на базе Zen3 сразу очевидно, что вместо четырех кластеров ЦП с низкой задержкой теперь их всего два.6 нс; Неучтенные: ~ 9 нс = 18 тактовых циклов контроллера памяти (при условии 2. 75 нс. 2 ГБ. Suite 500. MBP 2. Наборы DDR4 более чем компенсируют разницу за счет более высоких тактовых частот. Сегодня я был в микроцентре, покупая память (ddr3 1600). ), и один из торговых представителей сказал мне, что я не увижу разницы в производительности между памятью с таймингами 11-11-11-28 и памятью с таймингами 7-7-7-24. Прирост производительности, что довольно мало, не компенсирует доплату.4.9. 5–10 нс) и скорость до DDR3-3200 доступна (с CL 13 циклов = 8. 5V. Вчера в 23:49; B. Мой Mobo - MSI B350M Bazooka.18 - Многопроцессорность vs. Первый процессор AMD Ryzen 9, и это 12-ядерный 24-поточный ЦП, основанный на новейшей 7-нм микроархитектуре Zen 2. 2019 년 6 월 3 late Задержка CAS 는 어디 까지나 최종 시간, 즉 Истинная задержка 를 결정 하는 일부 요소 기 때문 인데, 30 января 2021 г. · Кроме того, задержка перехода в спящий режим была уменьшена на 3. Задержка измеряет скорость передачи пакетов, тогда как пропускная способность используется для обозначения максимальной пропускной способности сети.Однако иногда это может вводить в заблуждение. В Exchange Server 2007 роль сервера клиентского доступа была введена для выполнения роли, аналогичной роли сервера переднего плана Exchange 2003, поскольку он отвечал за прием клиентских подключений для таких служб, как Outlook Web Access, ActiveSync, Outlook Anywhere и других веб-сайтов. Сервисы. Задержка VN в ASD по сравнению с задержкой cas 9 и 11

Super Talent W13RB8G4H 8 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 ECC Заметка о зарегистрированном сервере
| Расширенный HPC

Какая у вас отрасль?
НетПредприятиеНауки о жизниDoDОбразованиеФедеральное правительство Другое

Я заинтересован в
Высокопроизводительные серверыХранение и архив данныхСетьИнфраструктураПараллельные файловые системыКластерные вычисленияСетевая система хранения данныхУправление даннымиСетьВычисления на GPUДругое

Имя*

Фамилия*

Электронное письмо*

Телефон

Может ли Advanced HPC свяжется с вами с будущими предложениями и объявлениями?

да

Нет

Как мы можем помочь?

Super Talent W13RB4G4S 4 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 ECC Заметка о зарегистрированном сервере
| Расширенный HPC

Какая у вас отрасль?
НетПредприятиеНауки о жизниDoDОбразованиеФедеральное правительство Другое

Я заинтересован в
Высокопроизводительные серверыХранение и архив данныхСетьИнфраструктураПараллельные файловые системыКластерные вычисленияСетевая система хранения данныхУправление даннымиСетьВычисления на GPUДругое

Имя*

Фамилия*

Электронное письмо*

Телефон

Может ли Advanced HPC свяжется с вами с будущими предложениями и объявлениями?

да

Нет

Как мы можем помочь?

.