Sdram dimm: Ошибка 404. Страница не найдена — Объявления на сайте Авито

Как выбрать память, советы по выбору и отзывы

Тип

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – устаревший тип памяти, на сегодняшний день мало где используется. Стоит дорого именно из-за своей раритетности.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – более быстрый тип памяти, но также устаревший.

DDR2 SDRAM – поколение памяти, следующее за DDR. Принцип работы аналогичен типу DDR, снижено энергопотребление. Также постепенно уходит с рынка, в новых компьютерах уже не используется.

DDR3 SDRAM – самый популярный тип памяти, увеличена скорость работы, уменьшено энергопотребление, следовательно, меньше греется.

• DDR3L или LPDDR3 – DDR3 с меньшим энергопотреблением.

DDR4 SDRAM – новое поколение памяти. Обладает большей производительностью и скоростью, чем DDR3, а также пониженным энергопотреблением. Самая дорогая память на сегодня.

Каждый тип памяти должен обязательно соответствовать типу, который поддерживает материнская плата. Это можно посмотреть в ее характеристиках.

У всех типов памяти DDR разные разъемы для подключения – невозможно вставить память DDR3, например, в ячейку для памяти DDR.

• Модуль памяти
• Комплект из 2-х модулей
• Модуль памяти с радиатором

Форм-фактор

Форм-фактор – это по сути конструкция планки памяти. Включает в себя размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.

DIMM (Dual in Line Memory Module) – наиболее популярная память для персональных компьютеров. В названии присутствует число (например, DIMM 240-контактный) – оно обозначает количество контактов, расположенных на модуле памяти.

FB-DIMM – форм-фактор памяти для серверов.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – память для ноутбуков и планшетов. Чаще всего имеют 144 и 200 контактов.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) – один из вариантов DIMM памяти, еще меньший по размерам.

Форм-фактор модуля памяти также определяется характеристиками материнской платы.

Объем

Объем модулей памяти должен подбираться в соответствии с назначением компьютера. Таким образом, для работы с офисными программами, Интернетом, просмотра фильмов вполне хватит 4 Гб памяти.

Если память покупается в игровой компьютер или для работы с мультимедийными программами, то следует выбирать объем от 8 Гб.

Характеристики

Частота – чем выше данная характеристика, тем больше операций может производить компьютер в единицу времени. В каждой модели материнской платы указывается поддерживаемая частота памяти. Рекомендуется подключать модуль памяти именно такой частоты.

На данный момент наиболее распространенными являются частоты 1333 МГц, 1600 МГц и 1866 МГц для DDR3, 2133 МГц и 2400 МГц для DDR4.

Пропускная способность – характеристика, определяющая скорость работы памяти в целом. Чем выше – тем лучше. Измеряется в Мегабайтах за секунду (Мб/с).

Низкопрофильная память – профили меньшей высоты. Чаще всего применяются для серверных корпусов небольшой высоты.

Поддержка ЕСС – специальный алгоритм для устранения ошибок памяти. Обычно присутствует в памяти для серверов. Память с поддержкой ЕСС стоит дороже обычной.

Буферизованная память – вид памяти, используемый в серверах. Реализована максимальная надежность за счет незначительного снижения скорости работы. Цена на такую память выше. Использовать буферизованную и небуферизованную память в одной системе нельзя.

Временные задержки – одни из важнейших характеристик скорости работы памяти. Измеряются в наносекундах (нс), чем меньше задержки – тем быстрей работает не только память, но и вся система в целом.

В маркировке оперативной памяти обычно указывают CAS Latency (CL, время рабочего цикла). Минимальная задержка в типах памяти DDR3 – 7 нс.

Чем выше тактовая частота памяти, тем выше задержки. Следовательно, при выборе необходимо определить оптимальное соотношение между этими двумя величинами. Существует память с пометкой «Low Latency» – это означает, что при более высокой частоте время задержек уменьшено, но это отражается на цене. Стоят такие модули значительно дороже.

Охлаждение – память, работающая на повышенной частоте, потребляет больше энергии, следовательно, сильнее греется. Чтобы избежать перегрева планки, устанавливают дополнительные радиаторы.

Режимы работы

Все режимы работы памяти, кроме одноканального, обязательно должны поддерживаться материнской платой.

Одноканальный режим – используется, когда установлена одна планка памяти или несколько разных (по объему, частоте или производителю). Самый медленный режим работы.

Двухканальный режим – используется при установке комплекта модулей памяти для повышения производительности системы. Комплекты состоят из четного количества планок. Может быть от 2-х до 16-ти модулей в одном комплекте. Наиболее растпространенный режим работы.

Существует еще трехканальный режим работы – модули памяти также должны быть одинаковые. Теоретически производительность системы должна увеличиваться, однако, на практике этот режим зачастую оказывается не быстрей двухканального.

Четырехканальный режим – обязательное наличие четырех модулей памяти для реализации максимальной производительности процессора (встречается на платформе Intel с типом памяти DDR4).

Гибкий режим – позволяет устанавливать модули различных объемов, но одинаковых по частоте. Например, имеется две планки памяти: одна 512 Мб, вторая 1 Гб. Они будут работать как три модуля по 512 Мб. Два из них будут работать в двухканальном режиме, третий – в одноканальном.

Sdram Dimm — OLX.ua

SDRAM DIMM (168 pin, Unbuffered) распиновка и описание @ pinouts.ru

Front Side (left side 1-42, right side 43-84)
Back Side (left side 85-126, right side 127-168)

Front, Left

Pin	Non-Parity	72 ECC	80 ECC	Description
1	VSS	VSS	VSS	Ground
2	DQ0	DQ0	DQ0	Data 0
3	DQ1	DQ1	DQ1	Data 1
4	DQ2	DQ2	DQ2	Data 2
5	DQ3	DQ3	DQ3	Data 3
6	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
7	DQ4	DQ4	DQ4	Data 4
8	DQ5	DQ5	DQ5	Data 5
9	DQ6	DQ6	DQ6	Data 6
10	DQ7	DQ7	DQ7	Data 7
11	DQ8	DQ8	DQ8	Data 8
12	VSS	VSS	VSS	Ground
13	DQ9	DQ9	DQ9	Data 9
14	DQ10	DQ10	DQ10	Data 10
15	DQ11	DQ11	DQ11	Data 11
16	DQ12	DQ12	DQ12	Data 12
17	DQ13	DQ13	DQ13	Data 13
18	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
19	DQ14	DQ14	DQ14	Data 14
20	DQ15	DQ15	DQ15	Data 15
21	n/c	CB0	CB0	Parity/Check Bit Input/Output 0
22	n/c	CB1	CB1	Parity/Check Bit Input/Output 01
23	VSS	VSS	VSS	Ground
24	n/c	n/c	CB8	Parity/Check Bit Input/Output 8
25	n/c	n/c	CB9	Parity/Check Bit Input/Output 9
26	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
27	/WE	/WE	/WE	Read/Write
28	DQMB0	DQMB0	DQMB0	Byte Mask signal 0
29	DQMB1	DQMB1	DQMB1	Byte Mask signal 1
30	/S0	/S0	/S0	Chip Select 0
31	DU	DU	DU	Don»t Use
32	VSS	VSS	VSS	Ground
33	A0	A0	A0	Address 0
34	A2	A2	A2	Address 2
35	A4	A4	A4	Address 4
36	A6	A6	A6	Address 6
37	A8	A8	A8	Address 8
38	A10/AP	A10/AP	A10/AP	Address 10
39	BA1	BA1	BA1	Bank Address 1
40	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
41	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3.3 VDC
42	CK0	CK0	CK0	Clock signal 0

Front, Right

Pin	Non-Parity	72 ECC	80 ECC	Description
43	VSS	VSS	VSS	Ground
44	DU	DU	DU	Don»t Use
45	/S2	/S2	/S2	Chip Select 2
46	DQMB2	DQMB2	DQMB2	Byte Mask signal 2
47	DQMB3	DQMB3	DQMB3	Byte Mask signal 3
48	DU	DU	DU	Don»t Use
49	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
50	n/c	n/c	CB10	Parity/Check Bit Input/Output 10
51	n/c	n/c	CB11	Parity/Check Bit Input/Output 11
52	n/c	CB2	CB2	Parity/Check Bit Input/Output 2
53	n/c	CB3	CB3	Parity/Check Bit Input/Output 3
54	VSS	VSS	VSS	Ground
55	DQ16	DQ16	DQ16	Data 16
56	DQ17	DQ17	DQ17	Data 17
57	DQ18	DQ18	DQ18	Data 18
58	DQ19	DQ19	DQ19	Data 19
59	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
60	DQ20	DQ20	DQ20	Data 20
61	n/c	n/c	n/c	Not connected
62	Vref,NC	Vref,NC	Vref,NC
63	CKE1	CKE1	CKE1	Clock Enable Signal 1
64	VSS	VSS	VSS	Ground
65	DQ21	DQ21	DQ21	Data 21
66	DQ22	DQ22	DQ22	Data 22
67	DQ23	DQ23	DQ23	Data 23
68	VSS	VSS	VSS	Ground
69	DQ24	DQ24	DQ24	Data 24
70	DQ25	DQ25	DQ25	Data 25
71	DQ26	DQ26	DQ26	Data 26
72	DQ27	DQ27	DQ27	Data 27
73	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
74	DQ28	DQ28	DQ28	Data 28
75	DQ29	DQ29	DQ29	Data 29
76	DQ30	DQ30	DQ30	Data 30
77	DQ31	DQ31	DQ31	Data 31
78	VSS	VSS	VSS	Ground
79	CK2	CK2	CK2	Clock signal 2
80	n/c	n/c	n/c	Not connected
81	n/c	n/c	n/c	Not connected
82	SDA	SDA	SDA	Serial Data
83	SCL	SCL	SCL	Serial Clock
84	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC

Back, Left

Pin	Non-Parity	72 ECC	80 ECC	Description
85	VSS	VSS	VSS	Ground
86	DQ32	DQ32	DQ32	Data 32
87	DQ33	DQ33	DQ33	Data 33
88	DQ34	DQ34	DQ34	Data 34
89	DQ35	DQ35	DQ35	Data 35
90	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
91	DQ36	DQ36	DQ36	Data 36
92	DQ37	DQ37	DQ37	Data 37
93	DQ38	DQ38	DQ38	Data 38
94	DQ39	DQ39	DQ39	Data 39
95	DQ40	DQ40	DQ40	Data 40
96	VSS	VSS	VSS	Ground
97	DQ41	DQ41	DQ41	Data 41
98	DQ42	DQ42	DQ42	Data 42
99	DQ43	DQ43	DQ43	Data 43
100	DQ44	DQ44	DQ44	Data 44
101	DQ45	DQ45	DQ45	Data 45
102	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
103	DQ46	DQ46	DQ46	Data 46
104	DQ47	DQ47	DQ47	Data 47
105	n/c	CB4	CB4	Parity/Check Bit Input/Output 4
106	n/c	CB5	CB5	Parity/Check Bit Input/Output 5
107	VSS	VSS	VSS	Ground
108	n/c	n/c	CB12	Parity/Check Bit Input/Output 12
109	n/c	n/c	CB13	Parity/Check Bit Input/Output 13
110	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
111	/CAS	/CAS	/CAS	Column Address Strobe
112	DQMB4	DQMB4	DQMB4	Byte Mask signal 4
113	DQMB5	DQMB5	DQMB5	Byte Mask signal 5
114	/S1	/S1	/S1	Chip Select 1
115	/RAS	/RAS	/RAS	Row Address Strobe
116	VSS	VSS	VSS	Ground
117	A1	A1	A1	Address 1
118	A3	A3	A3	Address 3
119	A5	A5	A5	Address 5
120	A7	A7	A7	Address 7
121	A9	A9	A9	Address 9
122	BA0	BA0	BA0	Bank Address 0
123	A11	A11	A11	Address 11
124	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
125	CK1	CK1	CK1	Clock signal 1
126	A12	A12	A12	Address 12

Back, Right

Pin	Non-Parity	72 ECC	80 ECC	Description
127	VSS	VSS	VSS	Ground
128	CKE0	CKE0	CKE0	Clock Enable Signal 0
129	/S3	/S3	/S3	Chip Select 3
130	DQMB6	DQMB6	DQMB6	Byte Mask signal 6
131	DQMB7	DQMB7	DQMB7	Byte Mask signal 7
132	A13	A13	A13	Address 13
133	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
134	n/c	n/c	CB14	Parity/Check Bit Input/Output 14
135	n/c	n/c	CB15	Parity/Check Bit Input/Output 15
136	n/c	CB6	CB6	Parity/Check Bit Input/Output 6
137	n/c	CB7	CB7	Parity/Check Bit Input/Output 7
138	VSS	VSS	VSS	Ground
139	DQ48	DQ48	DQ48	Data 48
140	DQ49	DQ49	DQ49	Data 49
141	DQ50	DQ50	DQ50	Data 50
142	DQ51	DQ51	DQ51	Data 51
143	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
144	DQ52	DQ52	DQ52	Data 52
145	n/c	n/c	n/c	Not connected
146	Vref,NC	Vref,NC	Vref,NC
147	n/c	n/c	n/c	Not connected
148	VSS	VSS	VSS	Ground
149	DQ53	DQ53	DQ53	Data 53
150	DQ54	DQ54	DQ54	Data 54
151	DQ55	DQ55	DQ55	Data 55
152	VSS	VSS	VSS	Ground
153	DQ56	DQ56	DQ56	Data 56
154	DQ57	DQ57	DQ57	Data 57
155	DQ58	DQ58	DQ58	Data 58
156	DQ59	DQ59	DQ59	Data 59
157	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC
158	DQ60	DQ60	DQ60	Data 60
159	DQ61	DQ61	DQ61	Data 61
160	DQ62	DQ62	DQ62	Data 62
161	DQ63	DQ63	DQ63	Data 63
162	VSS	VSS	VSS	Ground
163	CK3	CK3	CK3	Clock signal 3
164	n/c	n/c	n/c	Not connected
165	SA0	SA0	SA0	Serial address 0
166	SA1	SA1	SA1	Serial address 1
167	SA2	SA2	SA2	Serial address 2
168	VDD	VDD	VDD	+5 VDC or +3. 3 VDC

Кафедра РКС | Технический раздел

DRAM (dynamic random access memory) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом (RAM), также запоминающее устройство, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров.

Физически память DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале, в каждой из которых можно хранить определённый объём данных, строку от 1 до 4 бит. Совокупность ячеек такой памяти образуют условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.

Как запоминающее устройство, DRAM-память представляет собой модуль различных конструктивов, состоящий из электрической платы, на которой расположены микросхемы памяти и разъём, необходимый для подключения модуля к материнской плате.

Память типа DRAM конструктивно выполняют и в виде отдельных микросхем в корпусах типа DIP и в виде модулей памяти типа SIPP, SIMM, DIMM, RIMM.

Вентиляционные системы: Aireng

Микросхемы памяти в DIP-корпусе

Первоначально микросхемы памяти выпускались в корпусах типа DIP (Dual In-line Package), далее они стали производиться в более технологичных для применения в модулях корпусах.

Модуль памяти DIP

Модули SIPP

Модули типа SIPP (Single In-line Pin Package) представляют собой прямоугольные платы с контактами в виде ряда маленьких штырьков. Этот тип конструктивного исполнения уже практически не используется, так как он далее был вытеснен модулями типа SIMM.

Модуль памяти SIPP

Модули SIMM

Модули типа SIMM (Single In-line Memory Module) представляют собой длинные прямоугольные платы с рядом контактных площадок вдоль одной из её сторон. Модули фиксируются в разъёме (сокете) подключения с помощью защёлок, путём установки платы под некоторым углом и нажатия на неё до приведения в вертикальное положение. Выпускались модули на 4, 8, 16, 32, 64, 128 Мбайт.

Модули SIMM для соединения с системной платой имеют не штырьки, а позолоченные полоски (так называемые pin, пины).

Наиболее распространены были 30- и 72-пиновые модули SIMM.

Модуль памяти SIMM FPM DRAM (30pin)

Модуль памяти SIMM EDO DRAM (72pin)

Модули DIMM

Модули типа DIMM (Dual In-line Memory Module) представляют собой длинные прямоугольные платы с рядами контактных площадок вдоль обеих её сторон, устанавливаемые в разъём подключения вертикально и фиксируемые по обоим торцам защёлками. Микросхемы памяти на них могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы.

Модули памяти типа SDRAM наиболее распространены в виде 168-пиновых DIMM-модулей, памяти типа DDR SDRAM — в виде 184-пиновых, а модули типа DDR2, DDR3 — 240-пиновых модулей.

Модуль памяти DIMM SDR SDRAM (168pin)

Модуль памяти DIMM DDR SDRAM (184pin)

Модуль памяти DIMM DDR2 SDRAM (240pin)

Модуль памяти DIMM DDR3 SDRAM (240pin)

Модули SO-DIMM

Для портативных и компактных устройств (материнских плат форм-фактора Mini-ITX, лэптопов, ноутбуков, таблетов и т. п.), а также принтеров, сетевой и телекоммуникационной техники и пр. широко применяются конструктивно уменьшенные модули DRAM (как SDR SDRAM, так и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM) — SO-DIMM (Small outline DIMM) — аналоги модулей DIMM в компактном исполнении для экономии места.

Модули SO-DIMM существуют в 72-, 144-, 200- и 204-пиновом исполнении.

Модуль памяти SO-DIMM EDO DRAM (72pin)

Модуль памяти SO-DIMM SDRAM (144pin)

Модуль памяти SO-DIMM DDR (200pin)

Модуль памяти SO-DIMM DDR2 (200pin)

Модуль памяти SO-DIMM DDR3 (204pin)

Модули RIMM

Модули типа RIMM (Rambus In-line Memory Module) менее распространены, в них выпускается память типа RDRAM. Они представлены 168- и 184-контактными разновидностями, причём на материнской плате такие модули обязательно должны устанавливаться только в парах, в противном случае в пустые разъёмы устанавливаются специальные модули-заглушки (это связано с особенностями конструкции таких модулей). Также существуют 242-контактные PC1066 RDRAM модули RIMM 4200, не совместимые с 184-контактными разъёмами, и уменьшенная версия RIMM — SO-RIMM, которые применяются в портативных устройствах.

Появился этот тип памяти на рынке в 1999 году. Он основан на традиционной DRAM, но с кардинально измененной архитектурой. В персональных компьютерах этот тип оперативки не прижился и применялся очень редко. Такие модули применялись еще в игровых приставках Sony Playstation 2 и Nintendo 64.

Модуль памяти RIMM RDRAM (184pin)

Модули памяти RIMM RDRAM (242pin)

Рубрика: Технический раздел

Авторы: Коваленко Н.А.
Опубликовано: 18.08.11 09:51

Сдесь должны появиться кнопки социальных сетей

Комментарии могут оставлять только зарегистрированные пользователи.
Войдите под своим логином, чтобы оставить комментарий.

Модернизация памяти ноутбука | Мир ПК

фирменного сервисного центра, но порой и просто пломбируют отсек модулей памяти гарантийными наклейками. С чем же это связано? С желанием изготовителя получить дополнительную прибыль или с заботой о потребителе? Попробуем разобраться, какие подводные камни подстерегают пользователя ноутбука при самостоятельной модернизации ОЗУ.

Большинство проблем, как правило, возникают в самом начале — при выборе модуля памяти. Дело в том, что в портативных компьютерах используются микросхемы памяти, созданные по той же технологии, что и микросхемы настольных ПК, однако по форме они различаются. Вместо стандартных модулей SIMM (Single Inline Memory Module) или DIMM (Dual Inline Memory Module), предназначенных для настольных ПК, в ноутбуках устанавливаются микросхемы меньшего размера — SO-SIMM и SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module). И если первые сейчас уже не применяются, то вторые широко используются практически во всех моделях современных (и не очень) мобильных компьютеров. Но и этого мало. Аббревиатура SO-DIMM обозначает лишь то, что модуль памяти имеет небольшие размеры и может быть установлен в ноутбуке. А вот в каком именно? Чтобы ответить на этот вопрос, нужно разобраться в многочисленных типах микросхем памяти и их маркировках.

Нестандартные модули памяти

На заре компьютеростроения в настольных ПК на основе 286, 386 и 486-го процессоров применялись стандартные 36- и 72-контактные модули SIMM, и потому никаких проблем с их модернизацией обычно не возникало. С ноутбуками же ситуация складывалась значительно сложнее. Дело в том, что портативные ПК в то время были не столько инструментом для работы, сколько предметом роскоши — они не были широко распространены, а по стоимости порой превосходили аналогичные конфигурации настольных машин в 5 раз и более. Естественно, производители не были заинтересованы в какой-либо стандартизации: зачем терять дополнительную прибыль, полученную от модернизации портативного компьютера? Поэтому каждый изготовитель применял свои модули памяти, несовместимые с другими моделями. Как правило, различие заключалось лишь в размерах и форме; электрически, так или иначе, данные модули были совместимы со стандартом SIMM, что обусловливалось принципом открытой архитектуры. Из-за этого модули памяти для ноутбуков приходилось заказывать непосредственно у производителя, причем после того, как модель ноутбука снималась с производства, подобрать нужную память становилось весьма проблематично. Так что если вы являетесь «счастливым» обладателем подобного аппарата, о какой-либо модернизации памяти можно забыть.

72-контактные модули SO-SIMM

Эти модули также устарели — они применялись только в портативных компьютерах на базе процессоров 486 и Pentium, хотя до сих пор еще доступны в продаже для модернизации старых систем. Правда, их цена значительно выше стоимости современных модулей и зачастую сравнима с ценой самого ноутбука. Большинство таких модулей оснащены микросхемами памяти FPM/EDO со временем доступа 60 нс и рабочим напряжением 3,3 В. Используемая в 72-контактных модулях 32-разрядная шина данных накладывает ограничение на максимальный объем памяти, составляющий 64 Мбайт.

Все выводы контактов и разъемов системной платы обычно покрываются золотом, что обеспечивает более надежную работу модулей. Однако порой встречаются модули, на контакты которых нанесен обычный припой. С такими лучше не связываться — взаимодействие разных металлов может привести к коррозии контактов, из-за чего портативный компьютер потеряет работоспособность.

144-контактные модули SO-DIMM

Данные модули предназначены для установки в ноутбуки, построенные на базе процессоров Intel Pentium II, III и AMD Athlon ранних модификаций. Они комплектуются микросхемами памяти (SDRAM) PC 66, РС 100 и РС 133 — динамическим ОЗУ (DRAM), работа которого синхронизируется с шиной памяти. SDRAM позволяет сократить число циклов ожидания, необходимых для асинхронной DRAM, поскольку память такого типа функционирует по сигналам, синхронизированным с тактовым генератором системной платы.

По сравнению с оперативной памятью FPM или EDO, применяемой в компьютерах ранних годов выпуска, эффективность SDRAM значительно выше. Поскольку SDRAM — оперативная память динамического типа, то у нее начальное время ожидания такое же, как у памяти FPM или EDO, а вот общее время цикла гораздо короче. Схема синхронизации пакетного доступа SDRAM выглядит как 5-1-1-1, т.е. четыре операции чтения завершаются всего лишь за восемь циклов системной шины.

Кроме того, SDRAM может работать с частотой 133 МГц (микросхемы с временем доступа 7,5 нс) и выше, что с 1998 г. фактически стало новым стандартом системного быстродействия. Это привело к тому, что все персональные компьютеры, продававшиеся в 1998—2001 гг., были оснащены памятью именно такого типа.

Хотя по стандарту и допускается использование модулей с напряжением 5 В, современные 144-контактные модули SO-DIMM рассчитаны на напряжение питания 3,3 В, что способствует снижению энергопотребления и тепловыделения.

Максимальный объемом памяти для этих модулей составляет 512 Мбайт, а рабочая частота варьирует от 66 до 133 МГц.

200-контактные модули SO-DIMM

Такие модули по праву можно назвать сегодняшним днем компьютерной индустрии. Они построены на базе микросхем памяти типов DDR и DDR2 SDRAM.

Память типа DDR (Double Data Rate — двойная скорость передачи данных) — это еще более усовершенствованный стандарт SDRAM, при использовании которого скорость передачи данных удваивается не за счет увеличения тактовой частоты, а в результате того, что данные передаются дважды за один цикл: первый раз — в начале, второй — в конце. Сначала стандарт DDR получил распространение на рынке графических плат, потом же стал основным для современных ПК. В настоящее время SDRAM типа DDR поддерживается основными производителями процессоров, наборов микросхем системной логики и оперативной памяти.

Модули SO-DIMM DDR SDRAM обычно работают при напряжении питания 2,5 В, что позволяет более эффективно использовать энергию батареи. Они имеют шину данных шириной 64 бит и не требуют парной установки. Сейчас уже доступны модули стандарта РС1600 (200 МГц), РС2100 (266 МГц) и РС2700 (333 МГц) с максимальным объемом памяти 1 Гбайт. Кроме того, в некоторых моделях ноутбуков встречаются модули, поддерживающие коррекцию ошибок с помощью кода ЕСС и способные сохранить целостность данных при сбое системы. Объем памяти у них может достигать 2 Гбайт.

Сравнительно недавно, в середине 2003 г., появились SO-DIMM типа DDR2, а наборы микросхем системной логики и соответствующие системные платы стали доступны лишь в первой половине 2004 г. Память типа DDR2 представляет собой более быстродействующую версию стандартной памяти типа DDR SDRAM — ее высокая пропускная способность достигается за счет использования дифференциальных пар сигнальных контактов, обеспечивающих улучшенную передачу сигналов и устранение проблем с сигнальными шумами/интерференцией. Предполагалось, что применение DDR2 даст учетверенную скорость передачи данных, однако финальные образцы предоставляют лишь удвоенную скорость, хотя модифицированный метод передачи сигналов позволяет достичь еще более высокой производительности. Частоты работы памяти типа DDR2 начинаются с 400 МГц и доходят до 1024 МГц, а ее максимальный объем составляет 2 Гбайт.

Кроме высокого быстродействия и пропускной способности память типа DDR2 обладает и другими достоинствами. Одно из них — уменьшенное (по сравнению с памятью типа DDR) напряжение питания (1,8 вместо 2,5 В), в результате чего эти модули потребляют меньше энергии и выделяют меньше тепла. Так как микросхемы типа DDR2 обладают большим количеством контактных выводов, они изготавливаются в корпусе FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) и соединяются с платой модуля плотно нанесенными шариками припоя, которые находятся на поверхности корпуса.

Хотя размер 200-контактных модулей и соответствует размеру 144-контактных, выводы расположены ближе друг к другу, а ключевой паз смещен немного левее, что препятствует установке 200-контактных модулей в разъемы для 144-контактных модулей и наоборот.

144- и 172-контактные модули micro-DIMM

По своим характеристикам 144-контактные модули полностью аналогичны 144-контактным SDRAM SO-DIMM, однако имеют вдвое меньший размер (38Ё30 мм), что допускает их установку в небольшие корпуса тонких ноутбуков. Они построены на базе микросхем SDRAM РС 100 или РС 133. Максимальный объем памяти составляет 256 Мбайт, а частота варьирует от 100 до 133 МГц.

По своим спецификациям 172-контактные модули идентичны 200-контактным SO-DIMM типа DDR SDRAM, но имеют вдвое меньший размер, благодаря чему их можно устанавливать в портативные ноутбуки. Правда, в отличие от SO-DIMM micro-DIMM не имеют пазов в контактной области, однако в левой части модуля есть вырез, обеспечивающий его правильную установку в разъем системной платы. Кроме того, данные модули не поддерживают функции коррекции ошибок.

Модули micro-DIMM типа DDR SDRAM комплектуются микросхемами РС1600, РС2100 и РС2700. Их объем может достигать 1 Гбайт, а тактовая частота принимать значения 100 (200), 133 (266) и 166 (333) МГц.

Особенности подбора модулей памяти

При подборе модуля в первую очередь необходимо удостовериться в его совместимости с системной платой ноутбука. Помимо перечисленных выше отличий существует несколько ограничений, которые также необходимо учитывать. Так, вместо медленного модуля допускается установка ОЗУ с большей тактовой частотой, однако тип примененных микросхем памяти должен совпадать. Например, даже если система поддерживает только 66- или 100-МГц модули, вполне можно установить ОЗУ стандарта PC 133, однако модули типа SDRAM нельзя использовать для системной платы с поддержкой EDO и наоборот.

Еще одной важной характеристикой является CAS Latency (Column Address Strobe), или CL (иногда эта характеристика называется задержкой чтения (Read Latency), причем меньшее значение параметра означает б?ольшую производительность. Обычно модули SDRAM имеют CL, равный 2, 2,5 или 3. При модернизации желательно выбирать модули с более низким значением этого параметра, так как набор микросхем системной платы считывает его из микросхемы SPD (Serial Presence Detect), установленной в модуле памяти, и автоматически переключается на более быстрый режим работы.

Число микросхем модуля также является важным параметром правильного подбора. Обычно в систему допускается устанавливать модуль с большим количеством микросхем, но не наоборот, что связано с особенностями адресации блоков памяти.

Кроме того, для исключения фатальных ошибок в центре контактной группы большинства модулей предусмотрены небольшие пазы, препятствующие установке неправильной стороной и указывающие на напряжение питания и тип примененных микросхем памяти. Поэтому при покупке нового модуля желательно приложить к нему старый, чтобы избежать многих проблем с несовместимостью.

. ..и фиксируем их защелками	Модернизация завершена — теперь остается поставить крышку на место, и можно включать ноутбук

Сколько вешать в граммах?

Ну, как говорится, Машу Каслом не испортишь… Добавление оперативной памяти не только значительно повышает быстродействие ПК, но и увеличивает время его работы от батареи, поскольку при возрастании объема ОЗУ существенно сокращается использование файла подкачки, расположенного на жестком диске.

Тем не менее, на наш взгляд, оптимальный объем памяти для компьютеров, построенных на базе процессоров Intel Pentium и Pentium II, составляет 128—256 Мбайт, на основе Pentium III и AMD Athlon ранних модификаций — 256—512 Мбайт, а оснащенных ЦП Pentium 4 и AMD Athlon 64 — 1 Гбайт и выше. Такая градация связана не только с предположительной областью применения устаревших компьютеров, но и с экономической целесообразностью подобной модернизации. Например, цена 144-контактного модуля памяти объемом 256 Мбайт для ноутбука на базе Pentium II может составить 150 долл. , что вполне сравнимо со стоимостью самого портативного компьютера. Кроме того, нужно учитывать и максимально возможный объем памяти, устанавливаемой в ту или иную модель. Обычно этот параметр приведен в спецификациях на сайте изготовителя ноутбука.

Существует и еще одно ограничение — при использовании в качестве ОС семейства Windows 9x размер памяти не должен превышать 512 Мбайт, так как дисковый кэш, встроенный в эти операционные системы, просто не поддерживает адресацию подобного объема.

Пожалуй, наибольшая проблема для ноутбуков состоит в том, что они имеют лишь один или два разъема для модулей памяти. Зачастую оба гнезда уже заняты, поэтому перед установкой нового модуля придется удалить старый, что повлечет дополнительные финансовые затраты.

Большинство современных портативных компьютеров продаются с установленным объемом ОЗУ, равным 512 Мбайт. Как правило, в таких аппаратах доступны два гнезда для 200-контактных модулей SO-DIMM типа DDR SDRAM, а поскольку пара модулей по 256 Мбайт стоят дешевле одного объемом 512 Мбайт, то и компьютер, скорее всего, будет оснащен именно такой парой. При этом свободных разъемов для увеличения объема ОЗУ не остается, и значит, если потребуется нарастить объем памяти, скажем до 1 Гбайт, то два модуля по 256 Мбайт придется заменить парой модулей по 512 Мбайт, а это обойдется существенно дороже, нежели покупка 512-Мбайт модуля. Так что при выборе нового ноутбука задумайтесь о последующей модернизации — попросите, чтобы вся оперативная память была установлена в виде одного модуля. Правда, не исключено, что за подобную услугу придется доплатить.

Сам процесс замены модулей памяти в большинстве ноутбуков довольно прост и не требует специальной квалификации. Он подробно представлен на рисунках. Если же в вашем ноутбуке доступ к модулям памяти осуществляется иначе, обратитесь к документации, в которой должна быть подробно описана эта процедура.

DIMM BOARD

DIMM BOARD

DimmBoard SEGA Naomi DIMM Board Netboot Net boot 4.01. 249,00 EUR + livraison . Capcom CPS2 Jamma Puzzle Loop 2. 199,00 EUR + 99,00 EUR livraison . Amortisseur court de barre baby foot Rene-Pierre. 4,15 EUR + livraison . Informations sur la photo. C’EST LE DERNIER. baby foot de bar avec monnayeur robuste lourd finition .
Carte mère Intel® DH61WW pour PC de bureau fiche de synthèse comprenant les spécifications, les caractéristiques, les prix, la compatibilité, les documents de conception, les références de commande, les codes de spécification, etc. Carte mère Intel® DH61WW pour PC de bureau .
De plus, elle est équipée d’une Dimm Board pour stocker le jeu à partir du GD-ROM (de 512 Mo à 1 Go selon la version). Enfin, contrairement à la Xbox qui utilise des DVD-ROM, les jeux Chihiro sont proposés sur GD-ROM. Le lecteur de GD-ROM de Sega, créé au départ … Chihiro (système d’arcade) — Wikipédia
The DIMM board used on several Sega arcade systems such as the Sega NAOMI and Chihiro connects to a Media Board which acts as an interface to either adapt the Sega NAOMI’s DIMM board to the system or contains the entire Network enabled DIMM board instead; this is what differentiates the Type 1 Triforce to a Type 3, the Type 1 uses the regular . Triforce — HFS DB
Other features: 2GB DDR3L SO-DIMM; 32GB eMMC on-board; Windows® 10, 64-bit Home pre-installed. Includes SDXC card slot, dual microphones Mémoire et stockage. Stockage inclus . Kit Intel® NUC NUC6CAYS 95078
Mode mono-canal (asymétrique) Ce mode fournit des opérations de bande passante mono-canal et est utilisé lorsqu’un seul DIMM est installé ou lorsque les capacités de mémoire de plus d’un DIMM sont inégales. Lors de l’utilisation de différents VARIATEURs de vitesse entre les canaux, le temps de mémoire le plus lent est également utilisé. Modes de mémoire mono
2 x DIMM, Max. 32GB, DDR4 2400/2133 MHz Un-buffered Memory Dual Channel Memory Architecture ECC Memory (ECC mode) support varies by CPU. * Hyper DIMM support is subject to the physical characteristics of individual CPUs. * Refer to www.asus.com … PRIME A320M
Installer des dimm de mémoire. Identification de la mémoire DIMM DDR2 : Cette carte serveur prend en charge jusqu’à quatre dimM DDR2-667 ou DDR2-800 ECC ou DIMM non ECC sans support. Les dimM DDR ne sont pas pris en charge sur cette carte serveur. La mémoire DDR2 varie en hauteur. NE MÉLANGEZ PAS différentes hauteurs et types de dimm. Guide de l’utilisateur de démarrage rapide Intel® Server .
Carte mère Intel® DH61HO pour PC de bureau fiche de synthèse comprenant les spécifications, les caractéristiques, les prix, la compatibilité, les documents de conception, les références de commande, les codes de spécification, etc. Carte mère Intel® DH61HO pour PC de bureau .
Points saillants sur l’assistance des produits, contenu vedette, téléchargements et plus encore pour les Intel® Desktop Boards’aide avec le chipset Intel® H87 Assistance pour les Intel® Desktop Boards avec le chipset .
Visitez eBay pour une grande sélection de sega naomi. Achetez en toute sécurité et au meilleur prix sur eBay, la livraison est rapide. sega naomi en vente
Depuis 1986, MSI est resté à la pointe de technologie et est à ce jour l’une des références mondiale de l’industrie IT offrant à ses clients des produits de qualité avec un service client exceptionnel. MSI est un des acteurs principaux du monde de l’informatique électronique et propose à ce jour des ordinateurs portables, cartes mères, cartes graphiques, PC de Bureau, PC Tout en Un . Specification G41M
Sur le port cartouche de la NAOMI, il vous faut brancher une DIMM BOARD, une boîte bleue de la taille d’une cartouche Naomi remplie de mémoire de type PC2100 Sdram Dimm 266mhz jusqu’à 512mo. Ensuite il vous faut relier le lecteur GD-Rom à la DIMM BOARD via un câble de type fastscsi2, et l’alimentation du lecteur GD-ROM au câble d . Connecter un lecteur GD
DIMM (Dual In-line Memory Module) désigne une série de connecteurs DRAM (Dynamic Random-Access Memory) montée sur une carte à circuit imprimé de petite taille. Mémoire ECC prise en charge ‡ Mémoire ECC prise en charge désigne la prise en charge du processeur pour la mémoire à correction d’erreurs (Error-Correcting Code). Carte mère Intel® DH55TC pour PC de bureau .
Intel® NUC 11 Pro Board NUC11TNBv7 fiche de synthèse comprenant les spécifications, les caractéristiques, les prix, la compatibilité, les documents de conception, les références de commande, les codes de spécification, etc. Intel® NUC 11 Pro Board NUC11TNBv7 Caractéristiques techniques
DIMM: Avec un Dual Inline Memory Module, qui est basé sur un bus de données de 64 bits, il n’y a pas de connexion entre les contacts. Par conséquent, un DIMM crée deux chemins de données entre le module et la carte mère, un à l’avant et un à l’arrière. Ces mémoires sont utilisées dans les PC, les serveurs et autres unités de . DRAM, SIMM, DIMM, UDIMM, RDIMM, SODIMM, LRDIMM et NON …
Visitez eBay pour une grande sélection de Jeux de café. Achetez en toute sécurité et au meilleur prix sur eBay, la livraison est rapide. Jeux de café
DIMM (Dual In-line Memory Module) désigne une série de connecteurs DRAM (Dynamic Random-Access Memory) montée sur une carte à circuit imprimé de petite taille. Mémoire ECC prise en charge ‡ Mémoire ECC prise en charge désigne la prise en charge du processeur pour la mémoire à correction d’erreurs (Error-Correcting Code). Carte mère Intel® DQ77MK pour PC de bureau .
Les meilleures offres pour Sega Standard Naomi Standard Dimm Board ver1. 02 fonctionne OK sont sur eBay Comparez les prix et les spécificités des produits neufs et … Sega Standard Naomi Standard Dimm Board ver1.02 fonctionne .
[Tuto] Naomi Lecture de compact Flash sur dimm non net « Réponse #15 le: Lundi 22 Décembre 2014, 08:02:40 am » Je suis vraiment incapable de faire le dizième de tout ça … [Tuto] Naomi Lecture de compact Flash sur dimm non net
5150_dimm_1.jpg 12. Insert the DIMM in the socket. Press the DIMM in firmly, until you feel the tabs snap to lock it in place. Note: You may need to push the tabs in manually to secure the DIMM. 12. Insérez le module dans le connecteur. Appuyez fermement sur celui-ci … Memory DIMM Installation Instructions
Intel Desktop Boards D845EPI Quick Reference 3 A CD-in (ATAPI) H IDE B 12 V I C J D DIMM K E L BIOS F M AGP G IDE N PCI A CD (ATAPI) H 2 IDE B 12 V I C J D DIMM K E L BIOS F E Hauptnetzstrom L BIOS M AGP G 1 IDE N PCI A CD-in (ATAPI) H IDE B 12 V I C J D DIMM K E L BIOS Intel Desktop Board D845EPI Quick Reference
Acer G3620 M1935 DX4870 IPIMB-AR carte mère LGA1155 Acer G3620 M1935 DX4870 IPIMB
A DIMM — or dual inline memory module — is a series of random access memory chips mounted on a small circuit board. Qu’est-ce qu’un module DIMM? Un module DIMM (module de mémoire à double rangée de connexions) est un ensemble de puces de mémoire vive montées sur … DIMM
Les meilleures offres pour Naomi Sega Harness pour Naomi Dimm Board & GD Drive Cable Arcade parts sont sur eBay Comparez les prix et les spécificités des produits neufs et d’occasion Pleins d’articles en livraison gratuite! Naomi Sega Harness pour Naomi Dimm Board & GD Drive Cable .
La DIMM board contient suffisamment de ram pour stocker la totalité du jeu. Au démarrage du système, le jeu est chargé dans la ram depuis le GD-ROM, puis il est conservé en mémoire dans la DIMM board, même après débranchement électrique, grâce à la batterie qui permet d’alimenter en permanence la ram. Lecteur de GD
La DIMM board est un des éléments composant le kit GD-ROM, qui permet essentiellement le stockage de données et la communication entre la carte mère et une source de donnée, que ce soit le lecteur de GD-ROM, un lecteur de carte CompactFlash ou une autre système d’arcade en mode Terminal Server. DIMM board — Wikipédia
Salut, Je souhaite acheter une dimm board, pour faire fonctionner en priorité virtua fighter 4 final tuned gd ROM sur ma naomi 2 On me dit qu’il faut une version 512 Mb, et au minimum une version 3.17, et d’autres me disent qu’une simple version suffit Information dimm board naomi
Intel® Desktop Board D845GVSR Quick Reference English — 中文 – 한국어 — 日本語 — Polski — Italiano — Français — Deutsch — Русский — Português (Brasil) — Español This guide contains basic instructions for installing the desktop board. For more detailed information, refer to the Product Guide on the Intel® Intel® Desktop Board D845GVSR Quick Reference
HP IPM17-DD 1.04 799929-001 799929-601 mère HP IPM17
Intel Desktop Board DP35DP, DDR2-SDRAM, DIMM, 677,800 MHz, 8 Go, Intel, Core 2 Duo,Core 2 Quad Intel Desktop Board DP35DP : la fiche technique complète .
La DIMM board du kit GD-ROM est utilisée et identique à celle utilisé sur Naomi, mais avec plus de mémoire : 512 Mo, au lieu de 256 Mo [6]. Une deuxième version a été commercialisée. Pour les jeux Sega, la DIMM board est intégrée directement dans le Triforce [7]. Triforce (système d’arcade) — Wikipédia
Enregistrez la recherche sega net dimm board pour recevoir des alertes par e-mail et des mises à jour sur votre fil shopping. + Mettre à jour le lieu de livraison 7 S 0 P O N S O A R P A 7 E I S É-1 U J-1 0 F J-1-1. Explorer par Catégorie . sega net dimm board en vente
Hypertec Legacy — DDR — 512 Mo — DIMM 184 broches — 333 MHz / PC2700 — mémoire sans tampon — non ECC — pour Intel Desktop Board D845, D865, D875, D915; Server Board SE7210 — … Achat intel desktop board pas cher ou d’occasion
Les modules DIMM (Dual In-line Memory Modules), utilisés dans les ordinateurs de bureau, sont des petits circuits imprimés pouvant contenir des groupes de puces de mémoire. Les modules DIMM sont dotés d’un chemin plus large que celui des modules SIMM ; ils comportent, sur un côté, deux rangées de broches permettant un transfert de . Ordinateurs de bureau HP
Ordinateur portable ASUS : Ecran 15.6» Full HD Anti reflets, Processeur AMD A12 9700P, Turbo Boost 3.4 GHz, Disque dur 128 Go SSD + 1 To HDD, Mémoire vive 8 Go DDR4, Windows 10 Famille, AMD Radeon R7 Graphics, WiFi , Bluetooth, 2 ports USB + 1 HDM. .. ASUS R556QA
Intel Desktop Board D865PCD Quick Reference 3 Élément Description Élément Description A AGP H IDE B 12 V I C J D DIMM K BIOS E L F M PCI G IDE N CD-in (ATAPI) A AGP H 2 IDE B 12 V I C J D DIMM K BIOS E L F M PCI G 1 IDE N CD (ATAPI) A AGP H IDE B 12 V I C J D DIMM K BIOS E L F M PCI Intel Desktop Board D865PCD Quick Reference
INTRODUCTION LE PC slotable ViewSonic® VPC12-WPO-7 est la solution idéale pour les écrans tactiles interactifs ViewBoard®. Avec son Wi-Fi dual-band et son Bluetooth, son processeur puissance Intel® Core™ i5-7200U, sa mémoire DDR4 SO-DIMM 8GB (jusqu’à 16GB), et son stockage SSD de 128GB (jusqu’à 512GB), le VPC12-WPO-7 contient la puissance de traitement nécessaire à l’exploitation d . ViewSonic VPC12
Prise en charge de la mémoire: 4 x DIMM (128 Go max.) Stockage : SATA 6Gb/s + M.2 PCI-E NVMe Slots d’extension: 1 x PCIe 4.0 x16, 1 x PCIe 3.0 x16 (4 lanes), 2 x PCIe 3.0 x1: Asus ROG Strix B550-E Gaming: 280€ (Amazon) CPU Support: AMD Ryzen 3ème génération Taille: ATX Prise: AMD AM4 Prise en charge de la mémoire: 4 x sockets DIMM (jusqu . Les meilleurs cartes mères pour un PC de gamer en 2021 .
Reportez-vous aux sections des directives sur la mémoire et les barrettes DIMM prises en charge dans les caractéristiques techniques du système Intel® Server Board s2600wf pour serveurs. Cette section fournit plus de détails, y compris les caractéristiques de mémoire prises en charge et les règles de prise en charge générales. Règles de mémoire et de mémoire prises en charge pour la .
Si je garde DIMM 1 et 2, l’ordi fonctionne. Si je garde seulement DIMM 3 et 4 « 1 et 2 pas installé » l’ordi émet un bip bip et n’ouvre pas. Pourriez-vous me dire pourquoi mon ordinateur ne voit plus que 4 GO de mémoire au lieu de 8 GO. P.s : J’ai même fait à 4 reprises restore default bios et un reset cmos sur le boards mais rien ne . Résolu : Aurora ALX R4 A11 problème mémoire
ROG Crosshair VIII Impact – Carte mère gaming AMD AM4 X570 au format mini-ITX avec carte SO-DIMM.2 (Dual M.2), Wi-Fi 6 (802.11ax), PCIe 4.0, SupremeFX, Aura Sync, SATA 6 Gb/s et USB 3.2 Gén.2, cartes meres wifi 6 ROG Crosshair VIII Impact
MÉMOIRE Format de mémoire 4 X DIMM 288 pins (DDR4) Fréquence(s) Mémoire DDR4 2133 MHz. DDR4 2400 MHz. DDR4 2666 MHz. DDR4 2800 MHz. DDR4 3000 MHz. DDR4 3200 MHz. Type de mémoire DDR4. Technologie mémoire Dual Channel. Capacité maximale de RAM par slot 16 Go. Capacité maximale de RAM 64 Go. GRAPHIQUE Contrôleur graphique intégré Non MOTHER BOARD Archives ⋆ UNITECH STORE
Description. Le kit GD-ROM est composé d’une DIMM board et d’un lecteur de GD-ROM.Ces deux éléments sont reliés entre eux par un câble SCSI-2 [1], [2].Il permet l’utilisation du média GD-ROM, possédant des capacités plus importantes que les cartouches utilisés originellement par ces systèmes, ainsi que de meilleures protections anti-piratage [réf. Kit GD
Description. La DIMM board cumule plusieurs rôles primordiaux au fonctionnement d’un lecteur GD-ROM sur une carte mère Naomi ou Naomi 2 [3] ou Triforce.Aussi bien pour certaines révisions du système Chihiro que pour certaines du Triforce, la DIMM board est intégrée directement au système [4], [5], [6].. Cette DIMM board tire son nom de la mémoire DIMM. DIMM board
DIMM DDR2 SDRAM de 1,8 v avec contact plaqués or, avec la possibilité d’augmenter la tension pour Assistance des DIMM DDR2 SDRAM plus performantes Assistance du mode entrelacement double canal BARRETTes DIMM non tamponnées, unilatérales ou recto-verso avec la restriction suivante: les BARRETTes DIMM à double face avec l’organisation X16 ne . Mémoire système pour Carte mère Intel® DG41RQ pour PC de .

PC3L 10600R 4GB

PC3L 10600R 4GB

4GB PC3L-10600R 2Rx4 1.35v 4GB PC3L
pc3l-10600r 4gbのすべてのカテゴリでの落札相場一覧です。 「SAMSUNG 16GB 2R×4 PC3L-10600R 4枚64GB」が10件の入札で10,172円、「hynix製メモリ PC3L-10600R 4GB×4枚 合計16GB (中古ジャンク扱い)」が8件の入札で990円、「☆Micron PC3L-10600R 4GB×4枚（16GB) BIOS確認済☆ … pc3l
This item HP 4GB 1Rx4 PC3L-10600R-9 Kit 4 DDR3 1333 Internal Memory 647893-B21. HP 16GB 2Rx4 PC3L-10600R-9 Kit with 16 GB (1 x 16 GB) DDR3 1333 Memory Module 647901-B21. HP 16GB (1x16GB) Dual Rank x4 PC3-14900R 1 DDR3 1866 (PC3 14900) Internal Memory 708641-B21. HP 4GB 1Rx4 PC3L
Find many great new & used options and get the best deals for DELL SNPMGY5TC/16G 16GB 2Rx4 PC3L-10600R MICRON RDIMM REG ECC 240P Server Memory at the best online prices at eBay! Free shipping for many products! . HP Genuine 4GB 4Rx8 PC3-8500R DDR3 1066MHz 1.5V ECC REG RDIMM Memory RAM 1x4G. C $25.02. Free shipping . Hynix HP 647650-071 8GB . DELL SNPMGY5TC/16G 16GB 2Rx4 PC3L
I found 2x4gb PC 3 12800 ram for $35 after rebate, a pretty good deal. My xps 7100 takes PC 3 10600 ram. But that won’t be a problem is it? It’ll just run a lower speed, right? Are these dells picky about ram? Can I put PC3 12800 in my system that uses PC 3 10600 .
Specs: HP 8GB PC3L-10600R DIMM PN: 647650-071, 647897-B21, 664690-001 The 647650-071 is a fully tested HP 8GB PC3L-10600R DIMM. . The 647650-071 has been fully refurbished by Serverworlds.com. The 647650-071. will be professionally packed and shipped out via fedex to the Lower 48 States. Free Ground Shipping to the lower 48 States HP 647650
Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory, officially abbreviated as DDR3 SDRAM, is a type of synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) with a high bandwidth («double data rate») interface, and has been in use since 2007.It is the higher-speed successor to DDR and DDR2 and predecessor to DDR4 synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chips. DDR3 SDRAM
Shop for ddr3 pc3-10600 at Best Buy. Find low everyday prices and buy online for delivery or in-store pick-up ddr3 pc3
Jan 31, 2021 · PC3L-10600E (DDR3-1333) Bus Speed Computer Memory (RAM), 4GB Computer RAM, Computer RAM PC3L-10600R Bus Speed, Hynix 4GB Computer RAM, Crucial 4GB Computer RAM, 4GB PC3-10600 Computer RAM, HP Pavilion 4GB RAM Laptops, 4GB PC3-12800 DDR3-1600 Computer RAM, Toshiba Satellite 4GB RAM Notebooks/Laptops, GIGABYTE 16GB RAM PC Laptops & Notebooks 4 x 4GB (16GB) 2RX8 PC3L 10600E 9
Hello, I had an issue lastnight upgrade the memory in my R710 server. It currently has 48GB of memory and I want to add another 96GB. The current memory layout in the server is as following: DIMM_BANK_A_SLOT_1 — 8GB 2Rx4 PC3L — 10600R — 9 -10 — E1 DIMM_BANK_A_SLOT_4 — 8GB 2Rx4 PC3L — 10600R … R710 memory upgrade
Elpida/HP 4GB 2Rx4 PC3-10600R ECC Reg Server Ram Memory EBJ41HE4BDFD EBJ41HE4BDFD-DJ-F P/N:500203-061. These modules were pulled from a recently retired server and are 100% working. Price is for one (1) module, several modules available. Please ask any questions before buying. Thanks! Elpida 4GB 2Rx4 PC3
Specifications of 4GB PC3L-10600R Registered Server Memory RAM: Tested for Full Functions, R2/Ready for Reuse Memory Type: PC3L-10600R Capacity: 4GB Number of Pins: 240 Memory Features: ECC Memory Registered Bus Speed: PC3L-10600 (DDR3-1333) Form Factor: DIMM We at TechMikeNY thoroughly test our RAM for reliablility and quality. 4GB PC3L
Please let me know if this type of memory «HP 4GB PC3 2Rx4 — 10600R — 9KIT» is compatibility with the server «HP Proliant ML350 G6. » Thanks. Solved: compatibility with memory 4GB PC3 2Rx4
HP DL160 G6 memory PC3-10600R vs PC3-10600E. Ask Question Asked 10 years, 1 month ago. Active 8 years, 4 months ago. Viewed 84k times 8. 4. I am using a HP DL 160 G6 server that according to specs takes PC3 Registered or Unbuffered. When I combine the two types of … HP DL160 G6 memory PC3
Buy Refurbished Hynix 8GB DDR3 PC3L-10600R 2Rx4 Memory HMT31GR7BFR4A-H9 comes with 90 Days Warranty, 24/7 Tech Support, Shipping anywhere in India: Delhi, Mumbai, Chandigarh, Indore, Jaipuar, Bangalore, Pune, Hyderabad. Price List Hynix 8GB DDR3 PC3L
HPE 4GB (1x4GB) Single Rank x4 PC3L -10600R (DDR3-1333) Registered CAS-9 Low Voltage Memory Kit 647893-B21 HPE 4GB (1x4GB) Single Rank x4 PC3 -12800R (DDR3-1600) Registered CA S … QuickSpecs HPE SmartMemory Overview HPE SmartMemory
HP 8GB 2Rx4 PC3L-10600R-9 Kit — 8 GB (1 x 8 GB) — DDR3 SDRAM — 1333 MHz DDR3-1333/PC3-10600 — ECC — Registered — 240-pin DIMM Visit the HP Store. 3.5 out of 5 stars 13 ratings. Price: CDN$ 58.57: Secure transaction Returns Policy Your transaction is secure We work hard to … HP 8GB 2Rx4 PC3L
Cisco 4GB (1x4GB) 2Rx4 PC3L-10600R Server Memory Cisco 4GB (1x4GB) 2Rx4 PC3L
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB PC3L-10600R DDR3-1333 ECC Registered 2RX4 Server Memory. Hynix 8GB PC3 10600R DDR3 2RX4 ECC. M393B5170GB0-CH9Q9 M393B5170GB0-CH9Q9 SAMSUNG 4GB 2RX4 PC3-10600R 1.5V MEMORY MODULE (1x4GB) Samsung 8GB DDR3 SDRAM Server Memory Module — 8 GB — DDR3 SDRAM — 1333 MHz DDR3-1333/PC3-10600R — ECC — Registered — 240-pin — . Samsung 4GB DDR3
Fabricant: HYNIX P/N: HMT351R7CFR8A-H9 Puce: Variable selon Lot Type de Module: DDR3 SDRAM ECC Registered pour Serveur Type de Bus: PC3L-10600R Fréquence: 1333Mhz Densité: 4GB Disposition Logique: Rank 2 Disposition Physique: Double Face, 240-Pin DIMM Latence CAS: CL9 Temps de Cycle: 1.5ns Horloge Mémoire: 166Mhz Voltage: 1.35v — Low Voltage Code de Correction d’Erreur (ECC): ECC Barrette mémoire Hynix Ram barrette mémoire hynix 4go ddr3 .
PC3-10600R Memory Items 1 to 24 of 27 total Show 12 24 48 72 All per page PC3
Jan 19, 2021 · PC3L-10600R PC3-10600R DDR3-1333 dimms low profile with heatsinks (about 0.75″ hight) Complete set 16 x 8GB identical dimms (128GB total). Tested and will be shown working. Should work in most 2P dual processor servers or workstations with ddr3 dimms either branded (IBM Dell HP etc.) or non-branded (Asus, Tyan, Supermicro etc). Samsung ddr3 server ram ECC Registered 128GB set PC3L .
Paměti RAM | DDR3-1333 | PC3L-10600R| hák — produkt, k němuž se při prodeji automaticky přiřazují další produkty (například zdroj + přívodní šňůra apod.) Paměti RAM
Jul 19, 2019 · Guaranteed by federal law — This M393B5270DH0-YH9, Samsung 4GB (1x 4GB) Single Rank x4 PC3L-10600R (DDR3-1333) Registered CAS-9 Low Voltage Memory Kit made by SAMSUNG does not affect or void OEM warranties. M393B5270DH0
Hynix 4GB 2Rx8 PC3L-10600R DDR3-1333 ECC REG Server Memory RAM HMT351R7CFR8A-H9. 4.5 out of 5 stars (2) 2 product ratings — Hynix 4GB 2Rx8 PC3L-10600R DDR3-1333 ECC REG Server Memory RAM HMT351R7CFR8A-H9. $14.30. Free shipping. or Best Offer. 16GB (4x4GB) DDR3 PC3-10600 1333MHz ECC Memory RAM for 2010 2012 Apple Mac Pro. Hynix PC3
Home Server Systems Memory(ECC) DDR3 of ECC way 4GB 8GB 16GB 32GB PC3L-10600R DDR3 ECC memory. 3 of 16. 4GB 8GB 16GB 32GB PC3L-10600R DDR3 ECC memory. Vendor: SNAGP Corporation Request For Quotation Availability: 24 item(s) CODE: PC3L-10600 ₱ 2,800.00. Write a review. Brand: COMPONENT DENSITY: 4GB PC3L-10600R, 8GB PC3L-10600R, 16GB PC3L . 4GB 8GB PC3L
4GB PC3L-10600R 1Rx4 1.35v. Specifications Density: 4GB Speed: PC3L-10600R No. of Pin: 240 Dimm Type: RDIMM Rank x Org.: 1R x 4 Voltage: 1.35 V. Memory Size: DDR3. All machines have a 30 day warranty unless otherwise stated, for an extended warranty please give us a call. . 4GB PC3L
DELL G5DJ5 32gb (1x32gb) Pc3l-10600r 1333mhz Ddr3 Sdram — 240-pin Lrdimm Registered Ecc Memory Module For Poweredge And Precision Systems. Samsung Oem. Refurbished. PC3
Jan 15, 2021 · 4GB Hynix HMT351R7BFR8A-H9 2Rx8 PC3L-10600R ECC DDR3 RAM Memory. £25.31 + P&P. Seller 99.7% positive. 8GB Hynix Dimm DDR3 Sdram 1600Mhz HMT41GU6BFR8C-PB N0 Aa 2Rx8 PC3-12800U ram. £69.75 + P&P. Seller 100% positive. Hynix HMT41GU7AFR8A-PB T0 AB 8GB PC3L-12800E DDR3-1600MHz ECC Unbuffered Memory. Hynix 8GB PC3L
IBM System x3650 M3 DDR3-RAM 4GB PC3L-10600R ECC 49Y1394 49Y1412 47J0133. PHP 1,955.76. Free postage. or Best Offer. IBM 49Y1406 49Y1424 47J0145 4GB (1Rx4,1.35V) PC3L-10600R DDR3 REG ECC LP SRV RAM. PHP 822.52. PHP 342.72 shipping. 49Y1565 IBM 16GB (1X16GB) 2RX4 PC3L-10600 MEMORY 49Y1562 49Y1563 47J0170. IBM PC3
Hynix 8GB (1-Stick) PC3L-10600R DDR3 1333 ECC Server Memory HMT31GR7BFR4A-H9. AU $15.16 + shipping. Seller 99% positive. For Hynix 8GB 2RX4 PC3L-10600R DDR3L-1333MHz 1.35V ECC REG Registered Server CH9. . Hynix 4GB DDR3 1333MHz PC3-10600R Register ECC Server Memory HMT151R7BFR4C-H9. AU $12.65 + shipping. Last one. Hynix 8GB 2Rx4 PC3L
Product Overview Dell 9J5WF 4GB (1x4GB) PC3L-10600R 2Rx8 1333MHz Memory RAM RDIMM Dell 9J5WF PowerEdge 4GB (1x4GB) PC3L-10600R 2Rx8 Low-Power Memory RAM RDIMM for select 11th generation servers. Dell Part Number (s): 9J5WF, SNP9J5WFC/4G, H5DDH Dell 9J5WF 4GB (1x4GB) PC3L
Jan 24, 2019 · 4 gb (single-rank x4) 1.35 v pc3l-10600r ecc lp rdimm: 49y1406: 49y1424: 1; 4 gb (dual-rank x8) 1.35 v pc3l-10600r ecc lp rdimm: 49y1407: 49y1425: 1; 4 gb (dual-rank x8) 1.35 v pc3l-10600e lp udimm: 49y1404: 49y1422: 1; 4gb (1x4gb, 1rx4, 1.5v) pc3-14900 cl13 ecc ddr3 1866mhz lp rdimm: 00d5020.. 4gb (1x4gb, 1rx4, 1.35v) pc3l-12800 cl11 ecc ddr3 . Memory accessories
Buy & save on this Dell MGY5T 16GB Memory PC3L-10600R DDR3 2Rx4 1333MHz RDIMM from your trusted partners at Flagship Technologies. Buy Now! Or browse our revolving inventory of Dell server memory online and get the best deals to maintain or upgrade your IT project or data center.. Dell Part Number(s): MGY5T, SNPMGY5TC/16G, A5008568 Samsung Part Number: M393B2G70BH0-YH9 Dell MGY5T 16GB Memory
700 грн.: Планки серверной памяти 4GB 2RX4 PC3-10600R ECC REG DDR3 1333 MHz RDIMM 4GB Micron 2Rx4 PC3-10600R-09-10-NP (MT36JDZS51272PDZ-1G4F1DD) low profile радиатор [2] 4GB Micron 2RX4 PC3-10600R-09-10. Серверная 4GB / 8GB PC3
SAMSUNG 4GB 2Rx4 PC3L-10600R-09-10-E1-D2 Specifications: Capacity: 4GB Memory Type: DDR3 MPN: M393B5170FH0-YH9 Number of Pins: 240 PN: 47J0133 Bus Speed: PC3-10600 (DDR3-1333) Samsung 4GB 2Rx4 PC3L
Buy Refurbished IBM 4GB DDR3 PC3L-10600R 2Rx8 Server ram 78P0501 in India at Cheap Price from Xfurbish. Get 90 Days Seller Warranty, 24/7 Tech Support & Quick Shipping to your Doorstep in India-Mumbai, Delhi, Hyderabad, Goa, Agra, Vizag, Hyderabad, Bangalore, Pune, Gujarat, Maharashtra, Nagpur, Noida, Jaipur, Rajasthan Etc. Price List Refurbished IBM 4GB DDR3 PC3L
2 Hynix 4GB 2Rx8 PC3L 10600R HMT351R7CFR8A-H9 T8 AD Server RAM 4.5 out of 5 stars (2) 2 product ratings — 2 Hynix 4GB 2Rx8 PC3L 10600R HMT351R7CFR8A-H9 T8 AD Server RAM Hynix PC3
HP ProLiant DL380 G6 Rack Server System 1 x Intel Xeon Processor E5504 2.00 GHz 4GB (2 x 2GB) PC3-10600R (DDR3-1333) 491505-001. Rack Height: 2U Cache Memory: 4MB (1 x 4MB) Level 3 cache Max Memory Capacity: 192GB Storage Controller: HP Smart Array P410i/Zero Memory Controller Model #: 491505-001 Item #: 9SIAG1MA7S6154 Return Policy: View Return Policy $872.00 – pc3
8GB Kit (2X4GB) DDR3 RAM, DDR3 1333 PC3-10600U 4GB DDR3 2Rx8 240-pin Dimm CL9 1.5V Desktop RAM Memory Module. Limited time offer, ends 02/26. Features: Notice:DDR3 1333, Unbuffered, Dual Rank, Non ECC, 1.5V CL9, for AMD, Intel system. Advanced Quality:DDR3 RAM are from Samsung, Micron, Hynix, Kingston, ELPIDA, Nanya… 8GB DDR3 RAM, 100% tested for stability, durability and compatibility. 4gb 2rx8 pc3 10600s
Oracle 4GB SERVER RAM 2Rx8 PC3L-10600R P/N: 7014642 ₹ 3,200.00 ₹ 1,650.00 Next product D-Link AirPremier DWL-3200AP Wireless Access Point ₹ 9,500.00 ₹ 4,900.00 IBM 8GB SERVER RAM 2Rx4 PC3L
اطلاعات و مشخصات رم سرور اچ پی مدل pc3l-10600r 4gb. رم سرور اچ پی مدل pc3l-10600r 4gb تحت نظر شرکت hp بوده و دارای حافظه های 4 گیگابایت می‌باشد مانند رم سرور اچ پی مدل pc3l-10600r 8gb ، رم سرور اچ پی مدل pc3l-10600r 16gb. مشخصات، قیمت و خرید رم سرور اچ پی مدل PC3L
Hynix 4GB PC3L — 10600R Server RAM Memory Memory Capacity: 4GB Compatability: DDR3 Speed: PC3L-10600R Registered 2Rx8 Hynix branded, not restricted to Hynix products. Condition: Item is used and in good condition Item has been pulled from working units, … Hynix 4GB PC3L
Aug 24, 2017 · I have a HP dl580 G7 server, with PC3 & PC3L 10600R memory.. 64GB of 4GB sticks, and 48GB of 8GB sticks. I’ve been looking for 16GB sticks but, keep coming back to Amazon’s 16GB DDR3 Memory Upgrade for HP ProLiant DL580 G7 (Xeon E7) PC3-12800 ECC Registered DIMM 240 pin 1600MHz RAM. My User Guide NEVER mentions 12800 memory but, it is advertised for this server. mixing PC3
IBM 4GB 2Rx4 PC3L-10600R DDR3 Registered Server-RAM VLP Module REG ECC — 46C0579 02/26/2021 11:39:12 AM tradeo-gmbh tradeo-gmbh 21 12/01/2019 6:22:18 PM 4c4b452c5dd5 21 IBM 4GB 2Rx4 PC3L-10600R DDR3 Registered Server-RAM VLP Module REG ECC — 46C0579 113447 SVR-212158 50 Warning: This is not a standard memory and cannot be used in a normal PC! Used IBM 4GB 2Rx4 PC3L
Registered Server RAM PC3L-10600R Bus Speed, PC3L-10600R Bus Speed Network Server Memory (RAM), PC3L-10600R Bus Speed DIMM Network Server Memory (RAM), PC3L-10600R Bus Speed Server RAM 8 GB Capacity per Module, 4GB PC3-10600 Network Server Memory, PC3-10600R (DDR3-1333) Bus Speed Network Server Memory (RAM), Lot of 110 Assorted Server 4GB 2Rx8
HP 761501-B21 24gb (1x24gb) 1333mhz Pc3l-10600r Cl9 Ecc Registered Three-rank Ddr3 Sdram Dimm Genuine Hp Memory Kit For Proliant Server Bl660c Gen8 Server Blade. Refurbished. In Stock. PC3

В чем разница между модулями памяти DDR, DDR2, DIMM, SODIMM и MicroDIMM?

DIMM, SODIMM и MicroDIMM — это разные типы модулей памяти с двойным расположением выводов. Эти модули памяти состоят из ряда компонентов памяти, прикрепленных к печатной плате с позолоченными контактами внизу, чтобы обеспечить соединение между модулем и разъемом на материнской плате. Все они используются для обеспечения компьютера синхронной динамической памятью с произвольным доступом (SDRAM).

В настоящее время существует два стандарта для этих различных типов DIMM: DDR (двойная скорость передачи данных) и DDR2 (двойная скорость передачи данных2).DDR2 — это, по сути, обновленная версия стандарта DDR, которая позволяет использовать модули памяти с более низким энергопотреблением, большим тепловыделением, повышенными скоростными характеристиками, большей емкостью памяти и повышенной производительностью.

ПРИМЕЧАНИЯ:

• Хотя модули DDR2 имеют те же базовые размеры, что и модули DDR, они имеют разные напряжения и конфигурации контактов. Из-за этих различий модули DDR2 имеют другой ключ (выемка в разъеме), чтобы их нельзя было вставить в несовместимое гнездо.Это означает, что модули памяти DDR2 подходят только для компьютеров с материнскими платами, поддерживающими память DDR2, и не подходят для компьютеров с материнскими платами, предназначенными для поддержки модулей памяти DDR.
• Некоторые модули памяти также имеют спецификацию, называемую задержкой CAS (CL). CAS — это аббревиатура от Column Address Strobe или Column Address Select. Номер CL представляет количество тактовых циклов (время), необходимое контроллеру памяти для отправки запроса на чтение области памяти и отправки запрошенных данных через выходные контакты модуля.Чем ниже номер CL модуля памяти (при той же частоте / скорости памяти), тем лучше будет работать компьютер.

Эта таблица иллюстрирует разницу в свойствах модулей памяти DDR и DDR2:

В этой таблице показаны различные типы модулей памяти и соответствующие конфигурации контактов для версий DDR и DDR2 этих модулей:

ПРИМЕЧАНИЯ:

• Небуферизованный DIMM — это модуль памяти, предназначенный для настольных компьютеров и рабочих станций низкого уровня.
• Зарегистрированный модуль DIMM — это модуль памяти, предназначенный для сетевых серверов и рабочих станций высокого класса.
• SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с меньшими габаритами и толщиной, чем стандартные модули DIMM, и предназначен в первую очередь для портативных компьютеров.
• MicroDIMM — это модуль памяти с меньшими габаритами и толщиной, чем стандартные модули SODIMM, и предназначен для мобильных, тонких и сверхлегких ноутбуков.

Какие бывают типы памяти (RAM)? — Справка RamCity

Наиболее популярные формы модулей памяти широко известны как DDR4 и DDR3, DDR2 и DDR. SDRAM — это общий термин для гораздо более старой технологии RAM до DDR, с большинством систем, которые используют этот тип RAM с момента выхода из эксплуатации.

Практически в любом ноутбуке, настольном компьютере, сервере или Mac один из этих типов модулей будет использоваться в качестве основной системной памяти и обычно называется «DIMM» (модули памяти с двухрядным расположением выводов).

Различные типы компьютерной памяти

168-контактный SDR SDRAM DIMM

144-контактный SDR SDRAM SO-DIMM

SDRAM с одной скоростью передачи данных (SDR) — это более старый тип памяти, широко использовавшийся в компьютерах до 2001 года.SDR Память SDRAM часто называют просто «SDRAM».

Типичные тактовые частоты — 100 МГц и 133 МГц. Модули SDR SDRAM обычно изготавливаются в 168-контактном форм-факторе для настольных ПК и 144-контактном форм-факторе для приложений для ноутбуков.

SDRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR) попала на массовый компьютерный рынок примерно в 2002 году и представляет собой прямую эволюцию SDR SDRAM.

Наиболее существенное различие между DDR ​​и SDR заключается в том, что DDR использует «двойную накачку» (передачу данных как по нарастающим, так и по спадающим фронтам тактового сигнала), чтобы обеспечить скорость передачи данных, которая вдвое выше, чем у более ранней технологии SDR SDRAM.

Модули

DDR SDRAM для настольных компьютеров имеют 184 контакта (в отличие от 168 контактов в SDRAM или 240 контактов в DDR2 SDRAM) и могут отличаться от модулей DIMM SDRAM по количеству выемок (DDR SDRAM имеет один, SDRAM — два). Модули DDR SDRAM для портативных компьютеров, SO-DIMM, имеют 200 контактов, что равно количеству контактов SO-DIMM DDR2.

184-контактный модуль DDR DIMM

200-контактный модуль памяти DDR SO-DIMM

С введением конкурирующей памяти DDR SDRAM группа стандартов DDR JEDEC выступила против стандартных схем именования тактовых частот, таких как PC100 и PC133, используемых для более старых модулей SDR SDRAM, и вместо этого назвала свои части по величине пиковой пропускной способности, которую они могли использовать. .

Это приводит к тому, что модуль DDR, работающий на частоте 200 МГц, обозначается как DDR-400 или PC-3200, что означает его пиковую пропускную способность 3200 МБ / с. Стандарты JEDEC для памяти DDR перечислены ниже:

DDR2, преемник DDR, была представлена ​​во втором квартале 2003 года. DDR2 заменяет исходную спецификацию DDR SDRAM и сама была заменена DDR3 SDRAM. DDR2 не имеет прямой и обратной совместимости ни с DDR, ни с DDR3.

Часто системы на основе DDR2 могут использовать память, установленную парами, для работы в «двухканальном режиме», чтобы еще больше увеличить пропускную способность шины памяти.

Для использования в настольных компьютерах и серверах DDR2 SDRAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами и одной установочной выемкой. Модули SO-DIMM DDR2 для ноутбуков имеют 200 контактов, как и модули DDR SO-DIMM предыдущего поколения.

240-контактный модуль DDR2 DIMM

200-контактный модуль DDR2 SO-DIMM

DDR2 требует меньше энергии в первую очередь из-за улучшенного производственного процесса за счет усадки кристалла, что приводит к падению рабочего напряжения (1,8 В по сравнению с 2,5 В DDR).

Как и DDR, модули DIMM DDR2 идентифицируются по их пиковой пропускной способности (часто называемой пропускной способностью).Стандарты JEDEC для памяти DDR2 перечислены ниже:

Помимо вариантов полосы пропускания и емкости, модули DDR2 могут дополнительно реализовать:

1. ECC, дополнительная линия байтов данных, используемая для исправления незначительных ошибок и обнаружения основных ошибок для повышения надежности.Модули с ECC помечаются дополнительным кодом ECC в их обозначении. PC2-4200 ECC или PC2-4200E — это модуль PC2-4200 с ECC.
2. Быть «зарегистрированным» («буферизованным»), что улучшает целостность сигнала (и, следовательно, потенциально тактовую частоту и физическую емкость слотов) за счет электрической буферизации сигналов за счет дополнительных тактовых импульсов с увеличенной задержкой. Эти модули обозначаются дополнительным кодом R в своем обозначении, например РС2-4200Р. Обычно модули с этим обозначением фактически зарегистрированы с помощью ECC, но не всегда отображается буква «E» или «ECC».В то время как незарегистрированная (также известная как небуферизованная RAM) может быть идентифицирована дополнительным U в обозначении. например РС2-4200У.

Модули

3. Be с полной буферизацией, которые обозначаются кодом F или FB и не имеют такого же положения выемки, как другие классы. Модули с полной буферизацией нельзя использовать с материнскими платами, предназначенными для зарегистрированных модулей, а различное положение выемки физически препятствует их установке.

Несмотря на то, что сейчас DDR4 вытесняется DDR4 во многих новых системах, DDR3 по-прежнему очень популярна с 2019 года и начала появляться в системах в конце 2007 года.По сравнению с памятью DDR2, память DDR3 потребляет на 30% меньше энергии при типичном напряжении питания всего 1,5 В. DDR3 также может передавать данные со скоростью до 12,8 ГБ в секунду.

Модули DIMM

DDR3 имеют 240 контактов и электрически несовместимы с DDR2. Эти два элемента не могут быть случайно заменены местами благодаря разному положению ключевых выемок на модулях DIMM. Модули DDR3 SO-DIMM имеют 204 контакта.

240-контактный модуль DDR3 DIMM

204-контактный модуль DDR3 SO-DIMM

Модули DDR3 с более низким напряжением, известные как DDR3L и DDR3U, также становятся все более популярными.JEDEC представила два стандарта низкого напряжения. Стандарт DDR3L составляет 1,35 В и имеет маркировку ’’ PC3L ’’ для его модулей. Примеры включают DDR3L ‐ 800, DDR3L ‐ 1066, DDR3L ‐ 1333 и DDR3L ‐ 1600. Стандарт DDR3U составляет 1,25 В и имеет маркировку «PC3U» для своих модулей.

Подобно предшествующим DDR и DDR2, модули DDR3 DIMM идентифицируются по их пиковой пропускной способности (часто называемой пропускной способностью). Стандарты JEDEC для памяти DDR3 перечислены ниже:

Помимо вариантов полосы пропускания и емкости, модули DDR3 могут опционально реализовывать:

1. ECC, дополнительная линия байтов данных, используемая для исправления незначительных ошибок и обнаружения основных ошибок для повышения надежности.Модули с ECC помечаются дополнительным кодом ECC в их обозначении. PC3-10600 ECC или PC3-10600E — это модуль PC3-10600 с ECC.
2. Быть «зарегистрированным» («буферизованным»), что улучшает целостность сигнала (и, следовательно, потенциально тактовую частоту и физическую емкость слотов) за счет электрической буферизации сигналов за счет дополнительных тактовых импульсов с увеличенной задержкой. Эти модули обозначаются дополнительным кодом R в своем обозначении, например PC3-10600R. Обычно модули с этим обозначением фактически зарегистрированы с помощью ECC, но не всегда отображается буква «E» или «ECC».В то время как незарегистрированная (также известная как небуферизованная RAM) может быть идентифицирована дополнительным U в обозначении. например PC3-10600U.

Модули

3. Be с полной буферизацией, которые обозначаются кодом F или FB и не имеют такого же положения выемки, как другие классы. Модули с полной буферизацией нельзя использовать с материнскими платами, предназначенными для зарегистрированных модулей, а различное положение выемки физически препятствует их установке.
4. Be Модули с пониженной нагрузкой, которые обозначены LR и похожи на регистровую / буферизованную память, в том смысле, что модули LRDIMM буферизуют как линии управления, так и линии данных, сохраняя при этом параллельный характер всех сигналов.Таким образом, память LRDIMM обеспечивает большую общую максимальную емкость памяти, одновременно решая некоторые проблемы производительности и энергопотребления памяти FB, вызванные необходимым преобразованием между последовательными и параллельными формами сигналов.

Типы памяти FBDIMM (с полной буферизацией) и LRDIMM (с пониженной нагрузкой) предназначены в первую очередь для управления величиной электрического тока, протекающего к микросхемам памяти и от них в любой момент времени. Они несовместимы с зарегистрированной / буферизованной памятью, и материнские платы, которым они необходимы, обычно не поддерживают другие типы памяти.

Последнее поколение технологии памяти, DDR4, было выпущено на рынок в 2014 году. По сравнению с памятью DDR3, память DDR4 потребляет на 30% меньше энергии при типичном напряжении питания всего 1,2 В с низковольтными модулями 1,05 В. DDR4 позволяет использовать модули объемом 64 ГБ (по сравнению с максимальным объемом 16 ГБ для DDR3), а также может передавать данные со скоростью до 25,6 ГБ в секунду.

Модули DIMM

DDR4 имеют 288 контактов и электрически несовместимы с DDR3.Эти два элемента не могут быть случайно заменены местами благодаря разному положению ключевых выемок на модулях DIMM. Модули DDR4 SO-DIMM имеют 260 контактов.

Подобно предшествующим DDR2 и DDR3, модули DIMM DDR4 идентифицируются по их пиковой пропускной способности (часто называемой пропускной способностью). Стандарты JEDEC для памяти DDR3 перечислены ниже:

288-контактный модуль DDR4 DIMM

260-контактный модуль DDR4 SO-DIMM

Помимо вариантов полосы пропускания и емкости, модули DDR4 могут дополнительно реализовать:

1. ECC, дополнительная линия байтов данных, используемая для исправления незначительных ошибок и обнаружения основных ошибок для повышения надежности. Модули с ECC помечаются дополнительным кодом ECC в их обозначении. PC4-19200 ECC или PC4-19200E — это модуль PC4-19200 с ECC.
2. Быть «зарегистрированным» («буферизованным»), что улучшает целостность сигнала (и, следовательно, потенциально тактовую частоту и физическую емкость слотов) за счет электрической буферизации сигналов за счет дополнительных тактовых импульсов с увеличенной задержкой.Эти модули обозначаются дополнительным кодом R в своем обозначении, например PC4-19200R. Обычно модули с этим обозначением фактически зарегистрированы с помощью ECC, но не всегда отображается буква «E» или «ECC». В то время как незарегистрированная (также известная как небуферизованная RAM) может быть идентифицирована дополнительным U в обозначении. например PC4-19200U.
3. Be Модули с пониженной нагрузкой, которые обозначены LR и похожи на регистровую / буферизованную память, в том смысле, что модули LRDIMM буферизуют как линии управления, так и линии данных, сохраняя при этом параллельный характер всех сигналов.Таким образом, память LRDIMM обеспечивает большую общую максимальную емкость памяти, одновременно решая некоторые проблемы производительности и энергопотребления памяти FB, вызванные необходимым преобразованием между последовательными и параллельными формами сигналов.

Типы памяти FBDIMM (с полной буферизацией) и LRDIMM (с пониженной нагрузкой) предназначены в первую очередь для управления величиной электрического тока, протекающего к микросхемам памяти и от них в любой момент времени. Они несовместимы с зарегистрированной / буферизованной памятью, и материнские платы, которым они необходимы, обычно не поддерживают другие типы памяти.

В этот документ включены материалы из статей DDR3_SDRAM и DDR4_SDRAM в Википедии.

Итак, какая память вам подходит? Самый простой способ найти подходящую память для вашего компьютера — это найти свою систему с помощью инструмента RamCity Upgrade Finder ™. Средство поиска обновлений отобразит только совместимую память для вашей системы.

Если вы не знаете точную модель своего компьютера, вы можете получить дополнительную помощь по идентификации вашей системы здесь.

гигарам — новатор в разработке и производстве модулей памяти

гигарам — новатор в разработке и производстве модулей памяти

[ТЕЛ] 1.949.461.9999 [ФАКС]
1.949.461.9251
Copyright © 2008 Gigaram, Inc. Все права защищены

ТОВАРОВ
> Обновление системной памяти SDRAM

HardDrivesDirect.com Карта сайта за

долларов США

Модули памяти DRAM | Интеллектуальная память

SDRAM SO-DIMM

Модули памяти I’M Intelligent Memory SDRAM предлагают возможность модернизации даже для самой совершенной промышленной электроники на основе технологии синхронной памяти DRAM, включая сетевые, встроенные, автомобильные, роботизированные системы управления, медицинские и телекоммуникационные системы.На основе наших компонентов SDRAM мы также можем предложить готовые модули SDRAM SO-DIMM объемом до 512 МБ.

Где купить

Запрос ценового предложения

Запросить ценовое предложение

Нажмите на номер детали ниже, чтобы просмотреть его характеристики и загрузить техническое описание

• Деталь No.
• Вместимость
• Форм-фактор
• ECC
• Штыри
• Org.
• Ранги
• Сост. Орг.
• Сост. Подсчитать
• Напряжение
• Статус
• Данные, Мбит / с
• Высота

IMM16M64SDSOS16AG

Технические характеристики

Параметры скорости

Температурные опции

IMM32M64SDSOD16AG

Технические характеристики

Параметры скорости

Температурные опции

IMM64M64SDSOD16AG

Технические характеристики

Параметры скорости

Температурные опции

AR # 19689: PLB / OPB DDR — небуферизованные модули DDR SDRAM DIMM работают неправильно

Решение

Чтобы модуль DDR SDRAM DIMM мог распознать операцию, он должен выполнять выборку адреса DDR и управляющих сигналов по переднему фронту входных тактовых импульсов (иначе известному как точка пересечения переднего фронта DDR_Clk и заднего фронта DDR_Clkn) .

Поставщики DDR SDRAM указывают настройку (Tsu) и удержание (Th) для адреса DDR и управляющих сигналов. Обычно эти значения находятся в диапазоне от 0,7 нс до 1,2 нс в зависимости от времени нарастания / спада входного сигнала.

Virtex-II Pro, в которых используется контроллер PLB или OPB DDR, будет регистрировать адрес DDR и управляющие сигналы по нарастающему фронту системных часов. Выходная тактовая частота DDR генерируется с фазовым сдвигом системных часов на 90 градусов. При такой конструкции время установки на DDR SDRAM равно 0.25 * тактовая частота системы; например, при работе на частоте 100 МГц это соответствует времени настройки 2,5 нс.

Временная диаграмма

Время настройки 2,5 нс изменится в реальной реализации аппаратного обеспечения. Необходимо принимать во внимание такие факторы платы, как время вывода сигнала ПЛИС, задержка длины дорожки печатной платы и такие компоненты платы, как сопротивление и емкость. Поскольку все тактовые / адресные / управляющие сигналы DDR связаны с временем вывода тактов FPGA и задержкой длины трассировки печатной платы, этот фактор можно исключить при расчете фактического времени установки платы в DDR SDRAM DIMM.

Все тактовые / адресные / управляющие сигналы DDR от FPGA идентично завершаются SSTL2_I. В эту схему подключения включены последовательное сопротивление (типичное значение = 50 Ом) и параллельное подключение к Vt (типичное значение = 50 Ом) для уменьшения отражений сигнала.

Зарегистрированные модули DIMM DDR SDRAM включают регистровый каскад для всех адресов DDR и управляющих сигналов в DIMM. После регистрации сигналы направляются на каждое устройство DDR SDRAM на DIMM. В зарегистрированных модулях DIMM загрузка устройства по адресному и управляющему сигналам минимальна.

В небуферизованных модулях DIMM DDR SDRAM адрес DDR и управляющие сигналы не регистрируются в модуле DIMM. Они направляются напрямую от вывода DIMM ко всем устройствам DDR SDRAM на DIMM. В небуферизованных модулях DIMM нагрузка на адрес и управляющие сигналы DDR намного выше, чем на зарегистрированном модуле DIMM. Эта нагрузка представлена ​​входной емкостью DIMM в адресе DDR и управляющих сигналах.

Scope Shot

Значение входной емкости DIMM имеет решающее значение для соответствия требованиям синхронизации, связанным с DDR SDRAM.При большой входной емкости будет наблюдаться более медленное время нарастания или спада сигнала по сравнению с DIMM с меньшим значением входной емкости.

Разработчик может легко рассчитать скорость нарастания для адреса DDR и сигналов управления. Если производитель DIMM указывает входную емкость 24 пФ, постоянная времени RC составляет (24 пФ) * (50 Ом) = 1,2 нс. У другого поставщика DIMM входная емкость может быть в диапазоне 126 пФ. Эта постоянная времени RC составляет (126 пФ) * (50 Ом) = 6,3 нс.

Небуферизованный модуль DIMM Загрузка устройства DDR SDRAM не влияет на тактовые сигналы DDR.Большинству производителей небуферизованных модулей DIMM требуется несколько пар часов (для уменьшения нагрузки сигнала), где каждая пара часов управляет только процентом устройств DDR SDRAM на модуле DIMM.

На следующем снимке осциллографа показано медленное время перехода при использовании небуферизованного модуля DIMM с входной емкостью 126 пФ для адреса DDR и управляющих сигналов.

Если присмотреться, то здесь показано время перехода для DDR_WEn ​​и DDR_ADDR [2]. Пунктирная линия курсора показывает нарастающий фронт DDR_Clk.В это время управляющий сигнал DDR_WEn ​​переходит на логический уровень 0. На переднем фронте DDR_Clk DDR_WEn ​​все еще переходит к значению Vil, и время установки на DIMM не гарантируется.

Дополнительный анализ с HyperLynx позволяет моделировать уровень платы. В этом моделировании смоделирован драйвер ввода-вывода Virtex-II Pro SSTL2_I, переключающий выход на частоте 50 МГц. Драйвер ввода-вывода V2P подключен к линии передачи 50 Ом 4 дюйма с подтягивающим резистором 50 Ом на 1,25 В и конденсатором, подключенным к земле.Волновое окно, показанное ниже, иллюстрирует свойства сигнала с сосредоточенной емкостью a) 24 пФ и b) 126 пФ, подключенной к земле. Медленное время перехода ~ 5 нс (от Vil до Vih) наблюдается на трассе с 126 пФ, в то время как быстрое (менее 1 нс) время перехода наблюдается на трассе с нагрузкой 24 пФ.

Моделирование с нагрузкой 24 пФ

В заключение, убедитесь, что временной анализ выполняется для всех сигналов DDR при использовании небуферизованных модулей DIMM DDR SDRAM. Если время установки и удержания адреса DDR и управляющих сигналов не соблюдается, команда для выполнения не будет распознана устройством (ами) памяти.Если возможно, более надежным решением является использование зарегистрированного DDR SDRAM DIMM.

Для получения дополнительной информации о расчетах времени DDR см. (Ответ Xilinx 19385).

Новый стандарт DDR5 SDRAM обеспечивает повышение производительности, двухканальный модуль DIMM

Предоставлено: Pixabay / CC0 Public Domain.

Они отставали от графика на два года, но отраслевая группа, курирующая разработку и стандартизацию технологий памяти, наконец-то объявила официальные спецификации для нового стандарта DDR5 SDRAM.

Ассоциация твердотельных технологий JEDEC сообщила, что в опубликованном во вторник отчете новые спецификации памяти обеспечат разработчикам вдвое большую производительность и более низкое энергопотребление.

Среди ключевых улучшений будет четырехкратное увеличение максимальной плотности кристалла до 64 гигабайт с 16 гигабайт по старому стандарту. Каждый модуль DIMM может обрабатывать два 32-битных канала памяти вместо одного 64-битного канала.Поскольку каждый банк работает независимо друг от друга, длину пакета можно увеличить вдвое и добиться большей эффективности. Это означает, например, что DDR5 SDRAM может выполнять две 64-байтовые операции за одно и то же время, необходимое DDR4 SDRAM для выполнения только одной операции.

Интегрированный регулятор напряжения также улучшит требования к энергопотреблению. Ранее такие регуляторы устанавливались на материнских платах. Новая спецификация позволяет производителям включать столько регуляторов, сколько необходимо для размещения количества модулей DIMM в конечных системах.Это должно снизить стоимость и упростить конструкцию материнских плат. Поскольку каждый модуль DIMM обеспечивает собственное регулирование напряжения, JEDEC называет этот подход «платите по мере использования».

Еще предстоит определить, насколько улучшится энергоэффективность при немного меньшем энергопотреблении, 1,1 В по сравнению с 1,2 В для DDR4. Спецификации DDR4 улучшились по сравнению с предыдущими цифрами на 0,3 В, 1,2 В по сравнению с 1,5 В для DDR3.

Что касается максимальной скорости передачи данных, DDR5 будет обрабатывать 6.4 Гбит / с, что вдвое превышает стандарт DDR4, хотя первые модули, которые выйдут на рынок, будут иметь ограничение в 4,8 Гбит / с.

«С публикацией стандарта JEDEC DDR5 мы вступаем в новую эру производительности и возможностей DDR», — сказала Кэролайн Дюран из Intel, вице-президент Data Platforms Group. «DDR5 знаменует собой большой скачок в возможностях памяти, впервые обеспечивая 50-процентный скачок пропускной способности при появлении новой технологии, отвечающей требованиям искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.«

Ожидается, что первые потребительские продукты со спецификациями DDR5 сойдут с конвейеров где-то в 2021 году.

JEDEC, в состав которого входят представители 300 компаний-членов, заявила, что признает растущие требования к производительности интенсивных облачных приложений и приложений для корпоративных центров обработки данных.

Усилия группы «привели к стандарту, охватывающему все аспекты отрасли, включая системные требования, производственные процессы, схемотехническое проектирование, а также инструменты моделирования и тестирования, что значительно расширило возможности разработчиков по внедрению инноваций и развитию широкого спектра технологических решений. приложений », — сказал Дези Роден, председатель комитета по памяти JC-42 и исполнительный вице-президент Montage Technology.

«Благодаря нескольким новым режимам производительности, надежности и энергосбережения, реализованным в ее конструкции, DDR5 готова поддерживать и использовать технологии следующего поколения», — сказал он.

Фрэнк Росс, старший член технического персонала Micron и член совета директоров JEDEC, сказал: «Стандарт DDR5 предлагает отрасли важный прогресс в производительности основной памяти, чтобы обеспечить следующее поколение вычислений, необходимых для преобразования данных в понимание облачных, корпоративных, сетевых, высокопроизводительных вычислений и приложений искусственного интеллекта.»

Ожидаемый стандарт DDR5 прогнозируется на 2018 год.

© 2020 Сеть Science X

Ссылка :
Новый стандарт DDR5 SDRAM обеспечивает повышение производительности, двухканальный модуль DIMM (16 июля 2020 г.)
получено 3 марта 2021 г.
из https: // techxplore.