Смотрите также связанные темы
03.05.2018 Процессор ARM Cortex-A9, изготовленный TSMC по нормам 28 нм, работает в обычных условиях на частоте 3,1 ГГц
По сообщению компании TSMC, тестовый двухъядерный процессор ARM Cortex-A9, изготовленный с применением 28-нанометрового техпроцесса 28HPM, продемонстрировал работу на частоте 3,1 ГГц «в типовых условиях». Техпроцесс HPM, оптимизирован по критерию производительности и предназначен для выпуска микросхем для мобильных устройств. Другими словами, он позволяет объединить высокое быстродействие и малое энергопотребление (уменьшенные токи утечки). Изготовление тестового чипа является частью усилий TSMC, целью которых является демонстрация возможностей однокристальных систем, выпускаемых на каждом уро...
19.06.2018 ASUS Striker II NSE на чипсете NVIDIA nForce 790i SLI
ASUS Striker II NSE - к технической стороне у нас не возникло абсолютно никаких претензий. Что касается разгона, то в этом отношении плата показала великолепные результаты и стала в один ряд с лучшими оверклокерскими платами на чипсетах Intel3DNews: Daily Digital Digest
16.05.2018 На системной плате Biostar J3160MD установлен 14-нанометровый процессор Intel Celeron J3160
Ассортимент Biostar пополнила системная плата J3160MD типоразмера microATX, на которой установлен четырехъядерный процессор Intel Celeron J3160. Процессор, изготовленный по нормам 14 нм, характеризуется TDP всего 6 Вт, что позволило обойтись пассивным охлаждением. В два слота для модулей памяти DIMM можно установить до 8 ГБ памяти DDR3L-1600 или до 16 ГБ памяти DDR3L-1066. Подключение накопителей обеспечивается наличием двух портов SATA 6 Гбит/с. Для расширения системы есть слот PCIe 2.0 x16 и два слота PCIe x1. Оснащение платы включает четыре порта USB 3.0, шесть портов USB 2.0, порт Gigabi...
19.09.2018 Пополнение счетов мобильных операторов Испании со скидкой до 8%
Участники системы WebMoney Transfer, пользующиеся мобильной связью в Испании, получили новые возможности: на сайте «WebMoney Оплата» (telepay.wmtransfer.com) стало доступно пополнение лицевых счетов десяти новых операторов сотовой связи; для оплаты услуг мобильных операторов Испании установлены специальные тарифы пополнения (предоплаченные тарифные планы). … Читать далее →
04.09.2018 В следующем квартале Inotera начнет выпуск 20-нанометровых микросхем DRAM
Со ссылкой на слова президента компании Inotera Memories, источник сообщает, что этот производитель памяти типа DRAM планирует в четвертом квартале приступить к пробному выпуску микросхем по нормам 20 нм. Серийный выпуск 20-нанометровых микросхем DRAM в Inotera рассчитывают начать во второй половине 2014 года. Руководитель Inotera отметил, что цены на DRAM стабилизируются, поскольку после слияния Micron Technology и Elpida Memory на рынке осталось всего три крупных производителя. В то же время, сфера применений микросхем DRAM широка. Помимо ПК, она включает серверы, системы для облачных вычисл...
18.09.2018 Тестирование показало, на что способен 64-разрядный процессор Apple A7
Как известно, смартфон Apple iPhone 5s стал первым серийным смартфоном на 64-разрядном процессоре. Последний является частью однокристальной системы Apple A7 . Она разработана специалистами Apple. Основой SoC служит ARM-совместимый 64-разрядный CPU под условным наименованием Cyclone и GPU Imagination Technologies Series 6 (Rogue). Переход к 64-разрядной архитектуре несет множество преимуществ, включая простоту адресации больших объемов памяти, хотя не все они проявятся сразу, на сегодняшних нагрузках. Однако уже сейчас тестирование Apple A7 на 32-разрядных и 64-разрядных приложениях наглядно п...
07.04.2018 Toshiba анонсировала выпуск флэш-памяти SmartNAND по нормам 24 нм
Едва оправившись от последствий недавнего землетрясения в Японии, компания Toshiba анонсировала начало производства флэш-памяти SmartNAND по нормам 24-нанометровой технологии. Микросхемы рассчитаны на применение в мобильных устройствах, планшетных компьютерах и других электронных устройствах. В линейку войдут модели ёмкостью 4, 8, 16, 32 и 64 ГБ. Решения, производимые по новой технологии, придут на смену поколению 32-нанометровой памяти. Чипы типа NAND MLC (multi-level cell), способные хранить два бита информации в каждой ячейке, оборудованы встроенным контроллером обработки ошибок (ECC). Масс...
09.04.2018 Samsung закажет у NVIDIA однокристальные системы Tegra 2
По данным источника, вслед за Motorola и LG Electronics список компаний, заказывающих у NVIDIA однокристальные системы Tegra 2, может пополнить Samsung Electronics. Компания Motorola использует Tegra 2 в смартфоне Atrix 4G , а LG Electronics - в смартфоне Optimus 2X . Помимо Samsung, у NVIDIA скоро появится еще один партнер, выпускающий смартфоны, добавляет источник. В заключительной четверти 2011 года ожидается выход NVIDIA Tegra 3 ( Kal-El ) с четырехъядерным процессором. Изготавливать это изделие по нормам 40 нм, начиная с декабря, будет компания TSMC. За Tegra 3 последуют модели, известные...
16.05.2018 Новая структура транзисторов поможет Intel конкурировать с ARM
Транзисторы с новой структурой Tri-Gate, которые компания Intel представила в начале месяца позволят ей успешнее противостоять ARM на поле микропроцессоров с малым энергопотреблением. К такому очевидному выводу пришли аналитики IHS iSuppli. В планах Intel значится выпуск х86-совместимых процессоров, в которых будут использоваться новые транзисторы, изготавливаемые по нормам 22 нм. По сравнению с современными процессорами, выпускаемыми по нормам 32 нм, они будут потреблять вдвое меньше мощности при том же уровне производительности. Это позволит Intel сделать новый шаг на рынке планшетов и смарт...
29.09.2018 Samsung представила чипы памяти LPDDR3 и e-MMC для мобильных устройств
В рамках мероприятия Mobile Solutions Forum компания Samsung представила новые технологии, которые предназначены для мобильных устройств, включая смартфоны и планшеты. Новые чипы памяти LPDDR3, производимые по нормам 30-нм класса, потребляют на 20% меньше энергии, чем их предшественники . При этом скорость передачи данных возросла в полтора раза - с 1066 до 1600 Мбит/с. Чипы плотностью 4 Гбит можно сочетать по две или четыре штуки для получения модулей памяти объёмом 1 и 2 ГБ соответственно. Заявленная пропускная способность таких модулей достигает значения 12,8 ГБ/с. Микросхемы формата e-MMC ...
|
|
