Что такое двухранговая память: Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

Тонкости использования оперативной памяти компьютера неспециалистам кажутся простыми и понятными. Главное — знать сколько же всего памяти в наличии. И чем больше этой памяти, тем вроде бы лучше. Но если немного изучить эту тему, всё делается не столь прозрачным. Порой необходимо пожертвовать объёмом памяти ради покупки более качественных модулей для увеличения производительности сервера или рабочей станции.

Сегодня мы разберёмся с такой малоизвестной характеристикой модулей оперативной памяти как ранг. Попытаемся понять одноранговая или двухранговая память для Ryzen подойдет лучше.

Содержание статьи:

Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

1. Что такое ранги памяти

Давайте сначала разберемся чем отличается одноранговая память от двухранговой. Для того, чтобы понять смысл понятия рангов памяти, надо немного рассказать о стандарте оперативной памяти DDR SDRAM и его особенностях. Он пришёл на замену памяти SDRAM. В отличие от предшественника, новый стандарт позволил передавать информацию 2 раза за такт. Ширина шины памяти обычно составляет 64 бит (в отдельных случаях 72 бит при наличии коррекции ошибок). Ранги позволяют на одну физическую шину подключить 2, 4 и более банков памяти, кратно её разрядности. Благодаря этому на 1 физический канал приходятся 1, 2, 4 или более логических каналов на модуле памяти. Количество этих логических каналов на модуле и называется рангами памяти.

В идеальной ситуации такая организация модуля не должна приносить никакого выигрыша в производительности, но, благодаря некоторому сокращению задержек при передаче данных, зачастую получается небольшой выигрыш в производительности (с некоторыми особенностями). Именно вопрос улучшения производительности мы и попытаемся изучить в случае с разным количеством рангов памяти.

2. Тестовая платформа

Для тестового стенда использовались такие конфигурации:

Процессор: Ryzen 7 1700.

Материнские платы:

• MSI X370 XPOWER GAMING TITANIUM with UEFI 1.26;
• GIGABYTE GA-AX370-Gaming 5 with UEFI F5d;
• ASUS ROG Crosshair VI Hero with UEFI 1001.

Оперативная память:

• Corsair Vengeance LPX 64GB (4x16GB) DDR4 3600MHz C18 — двухранговая память;
• Corsair Vengeance LPX 32GB (4x8GB) DDR4 4000MHz C19 — одноранговая память.

3. Результаты тестирования

Тестирование проводилось с помощью программы AIDA64. Проводились тесты чтения, записи в оперативную память, а также тест измерения задержек в работе оперативной памяти.

Ниже приводятся результаты тестов одноранговой памяти.

Одноранговая память в составе двух модулей при данных версиях BIOS смогла показать частоту 3200 МГц, при этом производительность существенно выросла. При полном комплекте из четырёх модулей память смогла с данными таймингами устойчиво работать на частоте 2666 МГц.

Далее представлены графики для двухранговой памяти.

Двухранговая память, как в составе двух модулей, так и в составе четырёх модулей, сумела достичь частоты 2666 МГц. Чтобы понять что лучше одноранговая или двухранговая память для Ryzen подведём итоги, основываясь на представленных выше графиках.

Анализ результатов тестов

Сравнив результаты тестов памяти на одинаковой частоте для процессоров Ryzen, можно заметить, что при выполнении операций чтения более производительным оказывается комплект из двухранговых модулей, при операциях записи незначительное преимущество аналогично на стороне двухранговых модулей (если вы используете комплект из двух модулей), а вот при замере времени отклика памяти более производительными оказываются одноранговые модули. Заметим, что свои коррективы вносит разница в объёме памяти используемых модулей и версия BIOS материнских плат.

Максимально возможную частоту позволяют достичь одноранговые модули, прирост производительности от увеличения частот оказывается более высоким, чем от наличия двух рангов в модуле памяти.

Выводы

Надеюсь теперь стало понятно что лучше одноранговая или двухранговая память ddr4 для Ryzen. В случае, когда вы хотите достичь прироста производительности за счёт максимальной частоты памяти, стоит присматриваться к одноранговым модулям с гарантированной производителем более высокой частотой (в сравнении с доступными по цене двухранговыми модулями). При этом стоит быть готовым к необходимости ручной настройки таймингов памяти на максимальных частотах. Также нужно учитывать, что для достижения максимальной производительности комплект из двух модулей предпочтителен по сравнению с комплектом из четырёх модулей.

Если же предстоит сделать выбор между одинаково высокоскоростными одноранговыми и двухранговыми модулями (а на данный момент существуют двухранговые модули, работающие на высоких частотах то выбор не столь однозначен. При выполнении некоторых задач двухранговые модули (в наборе 2 шт.) могут обеспечить некоторое превосходство в пределах 2-4% производительности по сравнению с одноранговыми модулями.

Хочется отметить также, что существуют модули, содержащие и большее количество рангов памяти на планке, но, судя по показаниям тестов, наращивание количества рангов более 2-х на модуль также не способствует повышению производительности.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Чем отличается одноранговая память от двухранговой?

Опубликовано 16.05.2020 автор Андрей Андреев — 0 комментариев

Всем привет! Сегодня обсудим, чем отличается одноранговая память от двухранговой, какая из них лучше, есть ли принципиальная разница, работает ли одноранговая память с двухранговой. О том, как определить RAM — одноранговая она или двухранговая, читайте в следующем посте.

Что значит двухранговая ОЗУ

Это понятие иногда путают с распайкой чипов на планке оперативной памяти. Предпосылка следующая: если чипы расположены на одной стороне ОЗУ, то она одноранговая, а если на обеих — то двухранговая.

На самом деле разница немного другая. Рангом (по-английски rank) называют область модуля RAM, которая образована конкретным количеством чипов на 64-битной шине. Например, если к планке припаяно 8 чипов по 8 бит каждый, в общей сложности получается 64 бита, то есть 1 ранг.

Если вместе будет 16 восьми битных чипов, то в этой получается уже 2 ранга. Грубо говоря, это 2 логических модуля на одном физическом носителе, которые по очереди используют одну и ту же шину. Также ОЗУ может быть 4‑ранговой или 8‑ранговой.

Чем какая память лучше

Замечено, что при одинаковом объеме двухранговая ОЗУ имеет производительность выше — приблизительно на 3–5%. Для Ryzen, линейки процессоров от AMD, показатель может достигать 10% благодаря особенностям их архитектуры.

Но! Этого можно добиться только при использовании подходящей материнской платы, а на глаз заметно только в синтетических тестах. При выполнении повседневных задач вы не увидите никакой разницы.

Например, в играх можно добиться прироста производительности на 1–2 ФПС — слишком мало, чтобы всерьез рассматривать такую особенность как преимущество.

Одноранговая RAM лучше хотя бы тем, что, во-первых, стоит дешевле, а во-вторых лучше поддается разгону. Например, из одноранговой памяти можно выжать до 3466 МГц, а у двухранговой эта цифра не будет выше 3066 МГц.

Про совместимость могу сказать, что вместе оба типа ОЗУ можно использовать, однако от такой сборки нелепо ожидать высоких показателей производительности. Тайминги у разных модулей однозначно будут разными, поэтому в двухканальном режиме вряд ли получится их использовать.

Также советую ознакомиться с публикациями «Увеличиваем объем оперативной памяти на ПК: разные способы» и «Лучшие слоты для установки оперативной памяти и как их определить?». Подписывайтесь на меня в социальных сетях, чтобы своевременно получать уведомления о поступлении новых материалов. До скорой встречи!

С уважением, автор блога Андрей Андреев.

Вконтакте

Facebook

Twitter

Одноклассники

Одноранговая или двухранговая оперативная память?

Если с двухканальной оперативной памятью все более-менее понятно (четное количество модулей работает быстрее нечетного), то термин «двухранговая память» знаком уже куда меньшему числу компьютерных энтузиастов. Более того, даже те немногие, кто знают о двухранговости, не могут однозначно ответить, хорошо это или плохо. И действительно, двухранговая память имеет как преимущества, так и недостатки. Что же из них сильнее перевешивает, давайте вместе разбираться.

Single Rank vs Dual Rank

Ранг памяти — это количество массивов из микросхем памяти разрядностью 64 бита каждый, распаянных на одном модуле памяти. Проще говоря, это два виртуальных модуля на одном физическом. Самыми распространенными являются одноранговые (Single Rank) и двухранговые планки памяти (Dual Rank), но изредка встречаются и четырехранговые (Quad Rank).

Нехотя напрашивается аналогия с физическими и виртуальными ядрами процессора — Intel Hyper-Threading и AMD SMT. Некое сходство действительно есть: одна двухранговая планка памяти быстрее одноранговой (Single Channel), но медленее двух одноранговых, работающих в двухканальном режиме (Dual Channel).

На данный момент преобладающее большинство модулей памяти DDR4 объемом 4 или 8 ГБ являются одноранговыми (распаяно четыре или восемь чипов по 1 ГБ), а объемом 16 ГБ — двухранговыми (шестнадцать чипов, то есть два массива). Впрочем, в продаже все еще можно встретить старые 8-гиговые двухранговые планки (16 чипов малой плотности 512 МБ).

А с появлением первых чипов повышенной плотностью 2 ГБ в продажу начали поступать одноранговые 16-гиговые (один массива из 8 чипов) и двухранговые 32-гиговые модули (16 чипов). Четырехранговые 32-гиговые планки (32 чипа, четыре массива) — совсем уж диковинка.

Проще говоря, если чипов на планке памяти до восьми штук включительно — она одноранговая, а если шестнадцать — двухранговая. С теорией более-менее разобрались, теперь же проведем практическое тестирование на примере парочки двухранговых 16-гиговых модулей Apacer DDR4 суммарным объемом 32 ГБ.

Низкая цена за большой объем, двухранговая, есть небольшой запас для ручного разгона.

Относительно высокие тайминги.

Apacer DDR4 — серия бюджетной оперативной памяти для современных компьютерных платформ Intel LGA1151-v2 и AMD AM4. Текстолит моделей с частотой 2133 и 2400 МГц окрашен в олдскульный зеленый цвет, а 2666-МГц моделей — в уже более современный черный. На выбор доступны модели объемом 4, 8 и 16 ГБ. Первые два варианта — одноранговые, тогда как последний — двухранговый.

Готовых заводских наборов на два или четыре модуля не предусмотрено, только отдельные планки. Поэтому если планируете заняться оверклокингом, советуем покупать в одном магазине и в одно время. Чтобы уж наверняка попались чипы из одной партии с примерно одинаковым коэффициентом утечек тока и разгонным потенциалом.

Пожалуй, самыми интересными являются планки Apacer DDR4 объемом 16 ГБ и частотой 2666 МГц. Построены они на шестнадцати чипах Hynix A-die (по данным приложения Thaiphoon Burner), то есть являются двухранговыми. Парочка таких модулей позволяет собрать ПК на процессоре AMD Ryzen с высокой пропускной способностью подсистемы памяти — двухканальная и одновременно двухранговая.

Правда, большое количество чипов повышает нагрузку на встроенный в процессор контроллер памяти. Из-за этого частота памяти, которую можно выжать из памяти ручным разгоном, будет ниже, а тайминги (задержки) наоборот выше. Даже по умолчанию Apacer DDR4-2666 16 ГБ работает на таймингах CL19 вместо типичных для этой частоты CL17.

Но все же Apacer DDR4 подкупает едва ли не лучшим на рынке соотношением цены и объема. Быстрая память требуется для сравнительно узкого круга приложений, а вот много ОЗУ — для куда более широкого. А платить почти двойную сумму за оверклокерский кит 2х16ГБ, вроде Apacer Commando DDR4 EK.32GAT.GEAK2 , согласятся, пожалуй, лишь заядлые компьютерные энтузиасты.

Оперативная память Apacer

Конфигурация тестового стенда

Результаты бенчмарков

Для сравнительного тестирования одноранговых и двухранговых модулей был нарочно выбран наиболее чувствительний к пропускной способности памяти процессор — Ryzen 3 2200G. В его случае шина памяти делится между четырьмя вычислительными ядрами Zen и встроенным графическим ускорителем Vega 8 с 512 микроядрами. Дополнительная дискретная видеокарта не использовалась.

Оверклокерских рекордов с двухранговой Apacer DDR4 установить ожидаемо не получилось — она разогналась с базовых 2666 лишь до 2933 МГц, что впрочем тоже неплохо. Из одноранговых модулей как правило можно выжать на сотню-две мегагерц больше. Впрочем, это ограничение может быть и по вине материнской платы Biostar B450GT3 с пока еще сыроватой прошивкой BIOS.

Тестирование проводилось в приложении AIDA64, а точнее встроенном в него бенчмарке памяти и кеша, а также в старенькой, но как раз хорошо подходящей для интегрированной видеокарты игре — Tomb Raider (2013) при разрешении FullHD и высоких настройках графики. В нее тоже встроен бенчмарк, раз за разом прогоняющий одну и ту же демо-сцену, что минимизирует погрешность замеров частоты кадров.

Так, скорость чтения, записи и копирования двургановой памяти Apacer DDR4 2666 МГц в бенчмарке AIDA64 оказалась примерно на 7 процентов больше, чем у одноранговой памяти с аналогичной частотой. Ручной разгон до 2933 МГц прибавил еще около 5 процентов быстродействия. На эти же 5 процентов у двухранговой памяти ниже латентность, то есть задержки, измеряемые в наносекундах.

Фреймрейт в игре Tomb Raider в случае двухранговой памяти был пусть немного, всего на 2 кадр/с, но стабильно выше одноранговой. Еще парочку кадров в секунду прибавил оверклокинг памяти. Больше бесплатных FPS можно получить, разогнав по ядру интегрированную видеокарту Vega 8. Но для этого желателен хотя бы небольшой башенный кулер, тогда как мы, ради чистоты эксперимента, проводили тестировании на боксовом.

Выводы

Как показало тестирование, двухранговые модули ОЗУ (с двумя виртуальными каналами памяти) однозначно быстрее одноранговых при равной частоте — выигрыш составляет от 5 до 7 процентов. Цифры, вроде, и небольшие, но получить прирост быстродействия памяти всегда труднее, чем любого другого компонента ПК. Если лень заморачиваться с оверклокингом, то покупка двухранговых модулей — самый простой и эффективный способ ускорить подсистему памяти ПК. А в случае процессоров с мощной интегрированной графикой (AMD Vega и Intel Gen11), двухранговая память прямо-таки обязательна к покупке.

Читайте также:

ТОП-5 бескомпромиссных игровых ноутбуков с 17-дюймовым дисплеем
Игровые ноутбуки с большим экраном и железом не слабее, чем у настольных компьютеров.

Сила X470: ТОП-5 игровых материнских плат для процессоров AMD
Платы, которые лучше всего раскроют способности процессоров Ryzen.

Собираемся в поход: перечень необходимого снаряжения
Список из 20 вещей для пешего туриста, как залог хорошего времяпрепровождения на природе.

ТОП-5 бюджетных материнских плат на чипсетах AMD
Выбираем основу для крепкой рабочей машины или недорого игрового ПК c чипом Ryzen.

Зажигай огни: ТОП-5 компьютерных корпусов с RGB подсветкой
Идеальные корпуса для идеальных игровых компьютеров.

Что такое rank или ранг у модулей памяти

Применительно к современным 64-битным модулям памяти это число означает количество наборов микросхем, разрядность каждого из которого составляет в сумме 64 бита(72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC), подключенных к управляющей линии Chip Select (выбор микросхемы).

    Объясняя очень грубо, двухранговый модуль — это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом. Четырёхранговый — то же самое, но уже в четырёхкратном масштабе. Бывают даже восьмиранговые модули

    Зачем и кому это нужно. Исключительно в серверах и тяжелых рабочих станциях, для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов. При этом суммарное количество этих самых rank на канал также ограничено (иногда ограничение зависит от скорости), поэтому, при прочих равных условиях, двухранговый модуль выгоднее четырёхрангового, поскольку создаёт меньшую нагрузку на чипсет.

    Узнать этот параметр можно из документации на модуль памяти у производителя, например у Kingston чисто рангов легко вычислить по буквам одной из трёх букв в середине маркировки: S(Single — одногоранговая), D(Dual — двухранговая), Q (Quad — четырёхранговая).

    Например:

• 
  KVR1333D3LS4R9S/4GEC
• 
  KVR1333D3LD4R9S/8GEC
• 
  KVR1333D3LQ8R9S/8GEC

Остальные важные понятия:

CL

CAS Latency, CAS — это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память.

tRAS

Activate to Precharge Delay — минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти.

tRCD

RAS to CAS Delay — задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца.

tRP

Row Precharge Delay — параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.

Буферизованная (Registered)

Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе.

Количество контактов (от 144 до 244 )

Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и «ключи» (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке).

Количество модулей в комплекте

Количество модулей памяти, продающихся в наборе. Помимо одиночных планок часто встречаются комплекты по два, четыре, шесть, восемь модулей с одинаковыми характеристиками, подобранных для работы в паре (двухканальном режиме). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности, а, следовательно, к увеличению скорости работы приложений. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками одного производителя, приобретенные по отдельности, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим работы памяти и для вас важна большая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить внимание именно на комплекты из нескольких модулей.

Количество ранков

Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк — область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые.

Количество чипов каждого модуля (от 1 до 72 )

Количество чипов на одном модуле памяти. Микросхемы могут располагаться как с одной, так и с обеих сторон платы модуля.

Напряжение питания

Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение.

Низкопрофильная (Low Profile)

Модуль памяти, имеющий уменьшенную высоту по сравнению со стандартным размером, может быть установлен в серверных корпусах небольшой высоты.

Объем одного модуля (от 0.03125 до 32.0 Гб)

Объем памяти одного модуля.

Суммарный объем памяти системы рассчитывается путем сложения объемов памяти установленных модулей. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 2 Гб. Для комфортной работы графических редакторов и современных игр необходимо минимум 4 Гб оперативной памяти.

Поддержка ECC

Поддержка Error Checking and Correction — алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм.

Пропускная способность

Пропускная способность модуля памяти — количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик).

Радиатор

Наличие специальных металлических пластин, закрепленных на микросхемах памяти для улучшения теплоотдачи. Как правило, радиаторы устанавливают на модули памяти, рассчитанные на работу при высокой частоте.

Совместимость

Модели ПК или ноутбуков, для которых предназначен модуль памяти. Помимо модулей широкого применения некоторые производители выпускают память для определенных моделей компьютеров.

Тактовая частота

Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость.

Тип

Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM — поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.
DDR3 SDRAM — следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию «удвоения частоты». Основные отличия от DDR2 — способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.

В модулях DDR3 используются «ключи» (ориентирующие прорези), отличающиеся от «ключей» DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 — стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 — 1.2 В. Для сравнения, у «обычных» модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.

При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы — совместимость с различными модулями памяти.

Упаковка чипов

Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы.

Форм-фактор

Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор — это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) — на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) — модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.

Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM — форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.

Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.

Что такое ранг оперативной памяти? Rank памяти что это и зачем

Термин «ранг» создан организацией JEDEC, группой по разработке стандартов модулей памяти, с целью провести различие между количеством банков оперативной памяти в модуле и количеством банков памяти в комплектующих компьютера или микросхеме памяти. Понятие «ранг памяти» применимо ко всем форм-факторам модулей памяти, но в целом имеет важное значение в первую очередь для серверных платформ из-за больших объемов памяти, которыми они управляют.

Ранг памяти — это блок или область данных, которая создается с использованием нескольких или всех микросхем памяти в модуле. Ранг — это блок данных шириной 64 бита. В системах, которые поддерживают код коррекции ошибок (ECC), добавляются дополнительные 8 битов для создания блока данных шириной 72 бита. В зависимости от того, как спроектирован модуль памяти, он может иметь один, два или четыре блока областей данных шириной 64 бита (или шириной 72 бита для модулей ECC). Таким образом, память бывает одноранговая, двухранговая и четырехранговая. В маркировке модуля памяти Crucial присутствуют обозначения 1Rx4, 2Rx4, 2Rx8 или аналогичные.

Обозначения х4 и x8 указывают на количество банков в компоненте памяти или микросхеме. Именно это количество определяет ранг готового модуля, а не количество отдельных микросхем памяти на печатной плате (ПП). Другими словами, если модуль памяти имеет микросхемы на обеих сторонах ПП, он называется двухсторонним. При этом модуль может быть также одноранговым, двухранговым или четырехранговым, в зависимости от проектировки этих микросхем.

Поскольку ранг памяти составляет 64 или 72 бита, для модуля ECC, сделанного из микросхем x4, потребуется восемнадцать микросхем для одного однорангового модуля (18 x 4 = 72). Для модуля ECC, изготовленного из микросхем x8, необходимо только девять микросхем для ранга памяти (9 x 8 = 72). Модуль, изготовленный из восемнадцати микросхем x8, превращается в двухранговый модуль памяти (18 x 8 = 144, 144/72 = 2). Модуль ECC, который имеет вдвое больше микросхем x8, становится четырехранговым (36 x 8 = 288, 288/72 = 4). 

Наличие двух- или четырехрангового модуля представляет собой то же самое, что и объединение двух или четырех модулей DRAM в один модуль. Например, можно перейти от четырех одноранговых модулей RDIMM объемом 4 ГБ к одному четырехранговому модулю RDIMM объемом 16 ГБ (при условии, что система совместима с модулями RDIMM объемом 16 ГБ).

Недостаток модулей более высокого ранга состоит в том, что на серверах иногда устанавливается ограничение на количество рангов, к которым они могут обращаться. К примеру, сервер с четырьмя гнездами памяти может быть ограничен в общей сложности до восьми рангов. Это означает, что вы можете установить четыре одноранговых модуля или четыре двухранговых модуля, но при этом только два четырехранговых модуля, так как установка большего количества приведет к превышению количества рангов, к которым может обратиться сервер.

По вопросам рангов и их ограничений мы рекомендуем ознакомиться с документацией производителя для получения руководящих указаний и инструкций, которые будут применимы к вашей конкретной системе.  Дополнительная информация о рангах и системах представлена  здесь.

Как отличить одноранговую память от двухранговой

Если с двухканальной оперативной памятью все более-менее понятно (четное количество модулей работает быстрее нечетного), то термин «двухранговая память» знаком уже куда меньшему числу компьютерных энтузиастов. Более того, даже те немногие, кто знают о двухранговости, не могут однозначно ответить, хорошо это или плохо. И действительно, двухранговая память имеет как преимущества, так и недостатки. Что же из них сильнее перевешивает, давайте вместе разбираться.

Single Rank vs Dual Rank

Ранг памяти — это количество массивов из микросхем памяти разрядностью 64 бита каждый, распаянных на одном модуле памяти. Проще говоря, это два виртуальных модуля на одном физическом. Самыми распространенными являются одноранговые (Single Rank) и двухранговые планки памяти (Dual Rank), но изредка встречаются и четырехранговые (Quad Rank).

Нехотя напрашивается аналогия с физическими и виртуальными ядрами процессора — Intel Hyper-Threading и AMD SMT. Некое сходство действительно есть: одна двухранговая планка памяти быстрее одноранговой (Single Channel), но медленее двух одноранговых, работающих в двухканальном режиме (Dual Channel).

На данный момент преобладающее большинство модулей памяти DDR4 объемом 4 или 8 ГБ являются одноранговыми (распаяно четыре или восемь чипов по 1 ГБ), а объемом 16 ГБ — двухранговыми (шестнадцать чипов, то есть два массива). Впрочем, в продаже все еще можно встретить старые 8-гиговые двухранговые планки (16 чипов малой плотности 512 МБ).

А с появлением первых чипов повышенной плотностью 2 ГБ в продажу начали поступать одноранговые 16-гиговые (один массива из 8 чипов) и двухранговые 32-гиговые модули (16 чипов). Четырехранговые 32-гиговые планки (32 чипа, четыре массива) — совсем уж диковинка.

Проще говоря, если чипов на планке памяти до восьми штук включительно — она одноранговая, а если шестнадцать — двухранговая. С теорией более-менее разобрались, теперь же проведем практическое тестирование на примере парочки двухранговых 16-гиговых модулей Apacer DDR4 суммарным объемом 32 ГБ.

Cравнить цены ₇→

Apacer DDR4 — серия бюджетной оперативной памяти для современных компьютерных платформ Intel LGA1151-v2 и AMD AM4. Текстолит моделей с частотой 2133 и 2400 МГц окрашен в олдскульный зеленый цвет, а 2666-МГц моделей — в уже более современный черный. На выбор доступны модели объемом 4, 8 и 16 ГБ. Первые два варианта — одноранговые, тогда как последний — двухранговый.

Готовых заводских наборов на два или четыре модуля не предусмотрено, только отдельные планки. Поэтому если планируете заняться оверклокингом, советуем покупать в одном магазине и в одно время. Чтобы уж наверняка попались чипы из одной партии с примерно одинаковым коэффициентом утечек тока и разгонным потенциалом.

Пожалуй, самыми интересными являются планки Apacer DDR4 объемом 16 ГБ и частотой 2666 МГц. Построены они на шестнадцати чипах Hynix A-die (по данным приложения Thaiphoon Burner), то есть являются двухранговыми. Парочка таких модулей позволяет собрать ПК на процессоре AMD Ryzen с высокой пропускной способностью подсистемы памяти — двухканальная и одновременно двухранговая.

Правда, большое количество чипов повышает нагрузку на встроенный в процессор контроллер памяти. Из-за этого частота памяти, которую можно выжать из памяти ручным разгоном, будет ниже, а тайминги (задержки) наоборот выше. Даже по умолчанию Apacer DDR4-2666 16 ГБ работает на таймингах CL19 вместо типичных для этой частоты CL17.

Но все же Apacer DDR4 подкупает едва ли не лучшим на рынке соотношением цены и объема. Быстрая память требуется для сравнительно узкого круга приложений, а вот много ОЗУ — для куда более широкого. А платить почти двойную сумму за оверклокерский кит 2х16ГБ, вроде Apacer Commando DDR4 EK.32GAT.GEAK2 , согласятся, пожалуй, лишь заядлые компьютерные энтузиасты.

Конфигурация тестового стенда

• процессор — AMD Ryzen 3 Raven R > Цена от 2 125 до 3 577 грн. Сравнить цены и купить AMD Ryzen 3 Raven Ridge 2200G BOX ;
• кулер — боксовый;
• материнская плата — Biostar B450GT3 Ver. 6.x ;
• оперативная память — Apacer DDR4-2666 2x16GB;
• видеокарта — интегрированная;
• твердотельный накопитель — Apacer AS2280P2 M.2 AP480GAS2280P2 480 ГБ Цена от 1 685 до 3 942 грн. Сравнить цены и купить Apacer AS2280P2 M.2 AP480GAS2280P2 480 ГБ ;
• жесткий диск — Seagate BarraCuda Compute ST2000DM008 2 ТБ 256/7200 Цена от 1 530 до 2 444 грн. Сравнить цены и купить Seagate BarraCuda Compute ST2000DM008 2 ТБ 256/7200 ;
• блок питания — Cougar CMX CMX850 Цена от 3 016 до 3 600 грн. Сравнить цены и купить Cougar CMX CMX850 ;
• корпус — Cougar Turret RGB черный .

Результаты бенчмарков

Для сравнительного тестирования одноранговых и двухранговых модулей был нарочно выбран наиболее чувствительний к пропускной способности памяти процессор — Ryzen 3 2200G. В его случае шина памяти делится между четырьмя вычислительными ядрами Zen и встроенным графическим ускорителем Vega 8 с 512 микроядрами. Дополнительная дискретная видеокарта не использовалась.

Оверклокерских рекордов с двухранговой Apacer DDR4 установить ожидаемо не получилось — она разогналась с базовых 2666 лишь до 2933 МГц, что впрочем тоже неплохо. Из одноранговых модулей как правило можно выжать на сотню-две мегагерц больше. Впрочем, это ограничение может быть и по вине материнской платы Biostar B450GT3 с пока еще сыроватой прошивкой BIOS.

Тестирование проводилось в приложении AIDA64, а точнее встроенном в него бенчмарке памяти и кеша, а также в старенькой, но как раз хорошо подходящей для интегрированной видеокарты игре — Tomb Raider (2013) при разрешении FullHD и высоких настройках графики. В нее тоже встроен бенчмарк, раз за разом прогоняющий одну и ту же демо-сцену, что минимизирует погрешность замеров частоты кадров.

Так, скорость чтения, записи и копирования двургановой памяти Apacer DDR4 2666 МГц в бенчмарке AIDA64 оказалась примерно на 7 процентов больше, чем у одноранговой памяти с аналогичной частотой. Ручной разгон до 2933 МГц прибавил еще около 5 процентов быстродействия. На эти же 5 процентов у двухранговой памяти ниже латентность, то есть задержки, измеряемые в наносекундах.

Фреймрейт в игре Tomb Raider в случае двухранговой памяти был пусть немного, всего на 2 кадр/с, но стабильно выше одноранговой. Еще парочку кадров в секунду прибавил оверклокинг памяти. Больше бесплатных FPS можно получить, разогнав по ядру интегрированную видеокарту Vega 8. Но для этого желателен хотя бы небольшой башенный кулер, тогда как мы, ради чистоты эксперимента, проводили тестировании на боксовом.

Выводы

Как показало тестирование, двухранговые модули ОЗУ (с двумя виртуальными каналами памяти) однозначно быстрее одноранговых при равной частоте — выигрыш составляет от 5 до 7 процентов. Цифры, вроде, и небольшие, но получить прирост быстродействия памяти всегда труднее, чем любого другого компонента ПК. Если лень заморачиваться с оверклокингом, то покупка двухранговых модулей — самый простой и эффективный способ ускорить подсистему памяти ПК. А в случае процессоров с мощной интегрированной графикой (AMD Vega и Intel Gen11), двухранговая память прямо-таки обязательна к покупке.

Как одноранговая, двухранговая и четырёранговая память отражается на работе Ryzen Threadripper? Как только AMD представила новую и восхитительную линейку процессоров Ryzen , н ачалось много разговоров о совместимости памяти с этими процессорами .

Процессоры Intel работают почти с любой ОЗУ, а вот Ryzen и Threadripper, XMP, частота памяти, задержки, Infinty Fabric, о дноранговая, двухранговая и четырёранговая память и другие слова запутывают некоторых пользователей, особенно при сборке нового ПК для 3 D рендера, монтажа и для других дизайнерских нужд.

В этой статье мы проанализируем работу процессоров Thredripper , чтобы понять, как их максимально оптимизировать; Начнём с того, как память разных рангов влияет на Ryzen Threadripper.

Вот что Википедия говорит о многоранговом режиме оперативной памяти:

В области цифровой электроники и компьютерного оборудования, много канальная архитектура памяти — это технология, которая увеличивает скорость передачи данных между ОЗУ и контроллером памяти, добавляя больше каналов связи между ними. Теоретически это умножает скорость передачи данных на число имеющихся рангов .

Ч етырёхканальный режим памяти, который доступен при наличии четырёх планок ОЗУ, в системе с Threadripper должен увеличить скорость передачи данных между оперативной памятью и контроллером в четыре раза ! Звучит довольно хорошо!

Давайте посмотрим что лучше одноранговая или двухранговая память для Ryzen и как тип памяти влияет на результаты некоторых наших самых популярных бенчмарков.

Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

• Процессор: AMD Threadripper 1900X в стоке;
• ОЗУ: Corsair Vengeance LPX DIMM Kit 64GB, DDR4-2666, CL16-18-18-35;
• Материнская плата: MSI Gaming Pro Carbon AC X399;
• Видеокарты: 4x 1080Ti Asus Turbo;
• SSD: 860EVO 500GB;
• ОС: Win10.

1. Cinebench R15

В Cinebench R15 наблюдается небольшое увеличение производительности при переходе между одно ранговой, двух ранговой и четырех ранговой памят ью . Прирост о коло 1%, но его можно заметить каждый раз во время теста.

Эти тесты были выполнены 5 раз, средний результат показан на картинке .

2. Cinebench R20

Не похоже, чтобы в Cinebench R20 была какая-нибудь разница между четырёх- и одноранговой памятью. В этом тесте получались очень разные результаты, поэтому сложно было вывести что-то среднее. Результаты в пределах одного теста могли отличаться на +/- 100 баллов.

3. VRAY CPU Benchmark

Поскольку тест производительности процессора VRAY выдаёт разницу всего в 1 секунду, трудно понять, есть ли какая-либо разница между одно-, двух- и четырех ранговой памятью. Всё же результаты были постоянными на протяжении многих тестов, никогда особо не отклоняясь от 1:17/ 1:18 минут.

4. Redshift и Octane

Redshift и Octane — это тест ы для видеокарт , но они все же эффективно используют ресурсы процессора и многоканальный режим ОЗУ может повлиять на результат .

Тем не менее, после нескольких тестов, результат таков: р азличия во времени тестов находятся в пределах погрешности.

Заключение

Наше тестирование одноранговая или двухранговая память ddr4 для ryzen завершено. Единственный тест, в котором был постоянный прирост в производительности от многоранговой памяти — это Cinebench R15. Четырёхранговая память даёт 1.2% прироста над одноранговой. Кажется, что вс е бенчмарки не очень требовательны к памяти из-за того, что сцены в них очень просты и нет смысла обращаться к большим объемам памяти во время рендеринга.

Вполне может случиться так, что вы заметите несколько большее повышение производительности с четырёхранговой памятью на платформе Threadripper, в зависимости от задач и свойств ваших проектов.

Применительно к современным 64-битным модулям памяти это число означает количество наборов микросхем, разрядность каждого из которого составляет в сумме 64 бита(72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC), подключенных к управляющей линии Chip Select (выбор микросхемы).

Объясняя очень грубо, двухранговый модуль – это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом. Четырёхранговый – то же самое, но уже в четырёхкратном масштабе. Бывают даже восьмиранговые модули

Зачем и кому это нужно. Исключительно в серверах и тяжелых рабочих станциях, для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов. При этом суммарное количество этих самых rank на канал также ограничено (иногда ограничение зависит от скорости), поэтому, при прочих равных условиях, двухранговый модуль выгоднее четырёхрангового, поскольку создаёт меньшую нагрузку на чипсет.

Узнать этот параметр можно из документации на модуль памяти у производителя, например у Kingston чисто рангов легко вычислить по буквам одной из трёх букв в середине маркировки: S(Single – одногоранговая), D(Dual – двухранговая), Q (Quad – четырёхранговая).

Остальные важные понятия:

CL CAS Latency, CAS – это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память. tRAS Activate to Precharge Delay – минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти. tRCD RAS to CAS Delay – задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца. tRP Row Precharge Delay – параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки. Буферизованная (Registered) Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе. Количество контактов (от 144 до 244 ) Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и «ключи» (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке). Количество модулей в комплекте Количество модулей памяти, продающихся в наборе. Помимо одиночных планок часто встречаются комплекты по два, четыре, шесть, восемь модулей с одинаковыми характеристиками, подобранных для работы в паре (двухканальном режиме). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности, а, следовательно, к увеличению скорости работы приложений. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками одного производителя, приобретенные по отдельности, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим работы памяти и для вас важна большая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить внимание именно на комплекты из нескольких модулей. Количество ранков Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк – область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые. Количество чипов каждого модуля (от 1 до 72 ) Количество чипов на одном модуле памяти. Микросхемы могут располагаться как с одной, так и с обеих сторон платы модуля. Напряжение питания Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение. Низкопрофильная (Low Profile) Модуль памяти, имеющий уменьшенную высоту по сравнению со стандартным размером, может быть установлен в серверных корпусах небольшой высоты. Объем одного модуля (от 0.03125 до 32.0 Гб) Объем памяти одного модуля.
Суммарный объем памяти системы рассчитывается путем сложения объемов памяти установленных модулей. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 2 Гб. Для комфортной работы графических редакторов и современных игр необходимо минимум 4 Гб оперативной памяти. Поддержка ECC Поддержка Error Checking and Correction – алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм. Пропускная способность Пропускная способность модуля памяти – количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик). Радиатор Наличие специальных металлических пластин, закрепленных на микросхемах памяти для улучшения теплоотдачи. Как правило, радиаторы устанавливают на модули памяти, рассчитанные на работу при высокой частоте. Совместимость Модели ПК или ноутбуков, для которых предназначен модуль памяти. Помимо модулей широкого применения некоторые производители выпускают память для определенных моделей компьютеров. Тактовая частота Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость. Тип Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM – поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.
DDR3 SDRAM – следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию «удвоения частоты». Основные отличия от DDR2 – способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.
В модулях DDR3 используются «ключи» (ориентирующие прорези), отличающиеся от «ключей» DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 – стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 – 1.2 В. Для сравнения, у «обычных» модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы – совместимость с различными модулями памяти. Упаковка чипов Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы. Форм-фактор Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор – это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) – на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) – модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) – еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM – форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.

Что такое rank или ранг у модулей памяти или характеристики памяти – RDB IT Support

Применительно к современным 64-битным модулям памяти это число означает количество наборов микросхем, разрядность каждого из которого составляет в сумме 64 бита(72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC), подключенных к управляющей линии Chip Select (выбор микросхемы).

Объясняя очень грубо, двухранговый модуль — это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом. Четырёхранговый — то же самое, но уже в четырёхкратном масштабе. Бывают даже восьмиранговые модули

Зачем и кому это нужно. Исключительно в серверах и тяжелых рабочих станциях, для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов. При этом суммарное количество этих самых rank на канал также ограничено (иногда ограничение зависит от скорости), поэтому, при прочих равных условиях, двухранговый модуль выгоднее четырёхрангового, поскольку создаёт меньшую нагрузку на чипсет.

Узнать этот параметр можно из документации на модуль памяти у производителя, например у Kingston чисто рангов легко вычислить по буквам одной из трёх букв в середине маркировки: S(Single — одногоранговая), D(Dual — двухранговая), Q (Quad — четырёхранговая).
Например:

* KVR1333D3LS4R9S/4GEC
* KVR1333D3LD4R9S/8GEC
* KVR1333D3LQ8R9S/8GEC

Остальные важные понятия:

CL CAS Latency, CAS — это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память.

tRAS Activate to Precharge Delay — минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти.

tRCD RAS to CAS Delay — задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца.

tRP Row Precharge Delay — параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.

Буферизованная (Registered) 

Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе.

Количество контактов (от 144 до 244 )

Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и «ключи» (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке).

Количество модулей в комплекте 

Количество модулей памяти, продающихся в наборе. Помимо одиночных планок часто встречаются комплекты по два, четыре, шесть, восемь модулей с одинаковыми характеристиками, подобранных для работы в паре (двухканальном режиме). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности, а, следовательно, к увеличению скорости работы приложений. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками одного производителя, приобретенные по отдельности, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим работы памяти и для вас важна большая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить внимание именно на комплекты из нескольких модулей.

Количество ранков 

Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк — область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые.

Количество чипов каждого модуля (от 1 до 72 )

Количество чипов на одном модуле памяти. Микросхемы могут располагаться как с одной, так и с обеих сторон платы модуля.

Напряжение питания 

Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение.

Низкопрофильная (Low Profile) 

Модуль памяти, им

Одноранговая память и двухранговая память (vs четырехранговая память)

Одноранговая память может быть памятью с микросхемами только на одной стороне модуля памяти (карта памяти) или микросхемами на обеих сторонах модуля до тех пор, пока микросхемы находятся в одном ранге, к которому осуществляется доступ при записи или чтении из памяти. Двухранговая память по сути похожа на наличие двух одноранговых чипов на одном модуле памяти, при этом одновременно доступен только один ранг. Четырехранговая память — это, по сути, два двухранговых набора микросхем на одном модуле памяти, при этом одновременно доступен только один ранг.Модули DIMM с двумя и четырьмя рангами обеспечивают максимальную емкость по сравнению с существующей технологией памяти. Например, если текущая технология DRAM поддерживает одноранговые модули DIMM объемом 1 ГБ, двухранговые модули DIMM будут иметь размер 8 ГБ, а четырехуровневые DIMM — 16 ГБ.

Memory Rank отличается информацией, которая отображается на информационной наклейке на памяти, Single Rank имеет 1Rx на нем, например 1Rx8 / 1Rx8 / 1Rx16, на оборотной стороне Dual Rank Memory имеет 2Rx на нем, например 2Rx8 / 2Rx8 / 2Rx16 и Quad Rank имеют 4Rx, например 4Rx8 / 4Rx8 / 4Rx16.(Примеры см. Ниже)

Обзор
Обычно одноранговая память быстрее, чем двухранговая память, с точки зрения непрофессионала, когда компьютер обращается к одноранговой памяти, ему нужно только один раз обойти дорожку, в то время как двухранговая память должна будет обходить дорожку дважды.

Однако некоторые системы имеют лучшую производительность с многоранговой памятью из-за встроенных контроллеров памяти. Это особенно актуально для серверной памяти LRDIMM.

Совместимость
По большей части двухранговая память может использоваться вместе с одноранговой памятью, а в некоторых случаях при использовании большого объема памяти, например 16 ГБ, материнские платы серверов фактически требуют, чтобы вы использовали сочетание одинарных и двухранговая память.

Ранжирование
Число рангов на любом DIMM — это количество независимых наборов DRAM, к которым можно получить доступ для полной разрядности данных DIMM, то есть 64 бита. К рангам нельзя получить доступ одновременно, поскольку они используют один и тот же путь данных. Физическая компоновка микросхем DRAM на самом модуле DIMM не обязательно зависит от количества рангов. Иногда расположение всей DRAM на одной стороне платы DIMM по сравнению с обеими сторонами называют «односторонним» по сравнению с «двусторонним».Эти термины могут вызвать путаницу, поскольку они не обязательно относятся к логической организации модулей DIMM или доступу к ним.

Например, на одноранговом модуле DIMM, который имеет 64 бита данных на выводах ввода-вывода, есть только один набор модулей DRAM, которые включены для чтения или приема записи на всех 64-битных. В большинстве электронных систем контроллеры памяти предназначены для одновременного доступа ко всей ширине шины данных модуля памяти.

На 64-битных (без ECC) модулях DIMM, сделанных с двумя уровнями, будет два набора DRAM, к которым можно будет получить доступ в разное время.Только один из рангов может быть доступен одновременно, поскольку биты данных DRAM связаны вместе для двух нагрузок на DIMM (проводное ИЛИ). Доступ к рангам осуществляется через выбор фишки (CS). Таким образом, для двухрангового модуля к двум DRAM с связанными вместе битами данных может осуществляться доступ CS для каждого DRAM (например, CS0 переходит к одному чипу DRAM, а CS1 переходит к другому). В настоящее время модули DIMM обычно производятся до четырех классов на модуль.

Производители потребительских модулей DIMM недавно начали различать модули DIMM с одним и двумя рангами. JEDEC решил, что термины «двусторонний», «двусторонний» или «двухбанковский» неверны при применении к зарегистрированным модулям DIMM. ( из Википедии )

Информация, полученная из базы знаний MoyNetworks

.

Как выбрать правильную память: Руководство по ОЗУ 2020 — Tom’s Hardware

Объем и характеристики вашей системной памяти или ОЗУ могут иметь существенное значение, от количества запущенных программ (или просто открытых вкладок браузера), которые вы можете открыть до того, как ваша система начнет замедляться, до количества кадров на во-вторых (кадров в секунду) вы можете выжать из встроенной графики вашего процессора, играя в последнюю популярную киберспортивную игру.

Если вы покупаете память для новой сборки или обновления существующего ноутбука или настольного компьютера и не знаете, нужны ли вам 8, 16 или 32 ГБ (или больше), насколько важна тактовая частота, или что на самом деле означают тайминги памяти, вы пришли в нужное место.Мы поможем вам разобраться со многими вещами, которые следует учитывать при покупке оперативной памяти.

В первую очередь мы сосредоточимся на памяти настольных ПК, хотя многие советы и технические детали также относятся и к портативным компьютерам. Для ноутбуков вам просто нужно будет купить комплект SO-DIMM (небольшие модули памяти с двумя линиями подключения), а не более длинные DIMM (модули памяти с двумя линиями), которые используются в традиционных современных настольных компьютерах. Память многих современных тонких ноутбуков также припаяна к материнской плате.Поэтому не забудьте проверить свое руководство, прежде чем принимать решение о покупке.

Если вы точно не знаете, сколько памяти вам нужно, краткий ответ: с учетом распространенных рабочих нагрузок и сегодняшних цен, 16 ГБ — лучший вариант. Создатели контента и энтузиасты, которые сильно увлекаются многозадачностью, могут захотеть рассмотреть больше. Вы можете глубже изучить вопрос об объеме памяти в нашей функции «Сколько памяти вам нужно».

Для получения подробной информации о номинальной тактовой частоте (измеряется в МГц) и тайминге (указанном в виде ряда чисел, например, 15-15-15-36), вы можете проверить наш праймер по частоте и таймингу, где мы также посмотрим, как это число рангов (или банков памяти на данной карте памяти или наборе памяти) может существенно повлиять на реальную производительность.Мы также подробно расскажем о многих из этих и других деталей ниже. Но сначала вот несколько ключевых советов по покупкам, если вы уже находитесь в магазине и пытаетесь понять, что купить.

• 16 ГБ — это текущая оптимальная цена по сегодняшним ценам. Геймеры и те, кто выполняет основные задачи по продуктивности, могут обойтись 8 ГБ. Но несколько открытых вкладок браузера и других запущенных программ могут использовать это довольно легко. Учитывая, что вы можете купить 16 ГБ всего за 25 долларов больше, чем 8 ГБ, большинству следует выбрать 16 ГБ.Те, кто занимается серьезным созданием контента, вероятно, захотят большего.

• Не платите за тактовые частоты, которые ваша система не поддерживает. Скорость памяти ограничена, особенно с некоторыми процессорами и наборами микросхем Intel начального и среднего уровня. Так что если, например, ваша система поддерживает только 2666 МГц, нет смысла покупать оперативную память, рассчитанную на 3600. Вы не сможете достичь более высокой скорости и можете застрять на еще более низкой резервной скорости. Проверьте спецификации производителя материнской платы на предмет поддерживаемых скоростей и купите соответственно.

• Более высокие скорости наиболее эффективны, если вы используете встроенную графику. Если вы планируете играть без выделенной видеокарты, вы получите заметно более высокую частоту кадров, если выберете более быструю (поддерживаемую) память. Но если вам нужно больше тратить на компоненты для поддержки этой скорости, а также на память с более высокой тактовой частотой, возможно, имеет смысл потратиться на выделенную карту, которая обеспечит лучшую игровую производительность в целом.

• Многие программы и игры не сильно выигрывают от более быстрой оперативной памяти и лучшего тайминга. Количество программного обеспечения, которое ощутимо выигрывает от более быстрых комплектов памяти с меньшим временем задержки, на самом деле довольно невелико. Некоторые игры увидят преимущество, а также программное обеспечение для сжатия, такое как 7-zip, а также некоторые аспекты программного обеспечения для создания контента. Изучите программы и игры, которыми вы пользуетесь чаще всего. Если у вас нет программного обеспечения, чувствительного к памяти, и у вас есть выделенная видеокарта, вы можете сэкономить деньги, выбрав более медленную оперативную память и потратив ее на более крупный твердотельный накопитель, видеокарту или процессор лучшего качества.

• Теплораспределители и фары предназначены только для галочки. Вообще говоря, большая часть памяти не работает достаточно быстро (если, возможно, вы не доводите ее до экстремальных значений при ручном разгоне), чтобы требовать металлических радиаторов. Пока воздух проходит через корпус и память, вы можете выбрать голые палки. Очевидно, что мигание огней тоже не повлияет на вашу производительность. Так что, если в вашем корпусе нет окна или вас не очень заботит, как выглядит ваша память, нет причин не выбирать палки с открытыми печатными платами и банками памяти — если это зависит от скорости и характеристик ты после.

XMP vs SPD

Технология, которая предоставляет материнской плате правильную частоту и тайминги, называется Serial Presence Detect (SPD), и часть, которую она обнаруживает, представляет собой крошечный чип ROM (постоянное запоминающее устройство), который был запрограммирован с таймингом. Таблица. Стандартные для отрасли сроки определяются Объединенным инженерным советом по электронным устройствам (JEDEC), отраслевой организацией, в которую входят компании, начиная от контроллеров памяти и ЦП и заканчивая производителями и сборщиками микросхем DRAM.Список одобренных режимов DDR4 часто обновляется в Википедии. И, по большей части, соответствующие тайминги для стандартных скоростей передачи данных ужасны, а дополнительные «лучшие» версии редко выпускаются.

Как описано в разделе «Как включить XMP», «Экстремальные профили памяти» Intel добавляют к памяти таблицу разгона, иногда доводящуюся до такой степени, что некоторые из самых быстрых модулей DIMM DDR4-4266 содержат микросхемы DDR4-2133. Если ваша материнская плата поддерживает XMP, вы обычно можете получить комплект с умеренной скоростью передачи данных и более жесткими, чем стандартные, задержками, например DDR4-3200 CAS 14.Проблема для тех, чьи материнские платы не поддерживают XMP, заключается в том, что в этих наборах обычно по умолчанию DDR4-2133 CAS 15 .

Каждый текущий комплект с расширенными таймингами требует, чтобы XMP автоматически настраивал эти тайминги, и ссылка в Википедии, указанная выше, должна помочь вам выяснить, являются ли эти тайминги стандартными или XMP. Те, кто решил не рисковать, могут захотеть проверить скриншоты CPU-Z из наших обзоров памяти и выбрать один из этих наборов.

Сколько модулей?

Вам понадобятся как минимум два модуля для включения двухканального режима на таких платформах, как AMD Socket AM4 или Intel LGA 1151, или четыре для включения четырехканальных режимов сокета AMD TR4 и Intel LGA 2066.Эти модули могут быть одноранговыми (со всеми ИС, адресованными одним из двойных 64-битных интерфейсов каждого модуля) или двухранговыми (адресованными обоими интерфейсами).

После отслеживания аналогичного явления на процессорах Intel в течение нескольких лет в нашем подробном обзоре памяти Ryzen 3000 было подробно описано, как наличие двух уровней памяти на канал обеспечивает значительный выигрыш в производительности для некоторых приложений. Мы также знаем из нашей статьи «Память ПК 101», что двух рангов на канал можно достичь, удвоив количество модулей или используя модули с двумя рангами.Причины выбора более позднего варианта включают оставление места для расширения в пустых слотах плат, по два на канал, или получение преимущества двух рангов от плат, у которых есть только один слот на канал. Кроме того, хотя вы, возможно, читали о топографии T и гирляндной цепи в наших комментариях или на форуме, вам не нужно беспокоиться об этих концепциях, если вы используете только один модуль DIMM на канал.

Итак, для достижения наилучшей производительности выберите два модуля для двухканальной платы или четыре для четырехканальной платы.Те, кто может позволить себе модули с вдвое большим количеством микросхем, выиграют как от дополнительной емкости, так и от небольшого повышения производительности в определенных приложениях. Недавнее повторное внедрение модулей DIMM для настольных ПК объемом 32 ГБ означает, что вы можете получить 64 ГБ всего из двух модулей или 128 ГБ из четырех, не беспокоясь о том, поддерживает ли ваша системная плата более дорогую серверную память. Тем не менее, вы все равно захотите посетить сайт производителя материнской платы, чтобы убедиться, что ваша прошивка поддерживает любую емкость, которую вы используете.Возможно, вам сначала потребуется обновить BIOS.

DDR4-2666 для наборов микросхем Intel серии H / B

Intel не допускает разгон чего-либо, кроме чипсетов серии Z (для энтузиастов) и серии X (для настольных ПК высокого класса). Это оставляет массовых покупателей, которые не хотят тратить деньги на другие функции серии Z, застрявшие в «утвержденных» ограничениях Intel, в том числе ее максимум DDR4-2666 для процессоров Core i5 и выше.

Мы рассмотрели несколько таких плат и заметили, что большинство розничных запчастей включают Intel XMP.Несмотря на то, что это не влияет на максимальную скорость памяти, это позволяет одним щелчком мыши настроить DDR4-2666 с меньшей задержкой. К сожалению, рынок DDR4-2666 с малой задержкой настолько мал, что комплекты CAS 12 и CAS 13 больше не производятся. Тайминги CAS 15 кажутся самыми быстрыми из доступных в настоящее время деталей.

DDR4-2400 для Intel Core i3 и ниже

Процессоры Intel младшего класса имеют те же ограничения на набор микросхем, что мы упоминали в предыдущем абзаце, но с еще более низкой скоростью передачи данных DDR4-2400.Рынок высокопроизводительной памяти с такой скоростью передачи данных настолько мал, что самая низкая задержка, которую мы можем найти среди текущих продуктов, — это CAS 14.

DDR4-2933 — средство решения проблем

Прелесть DDR4-2933 в том, что она работает на полное соотношение, 11×133,333, что оказывается ниже, чем соотношение 15×100, которое использует DDR4-3000. Мы видели несколько плат, которые не были бы выше этой, в том числе отмеченная наградами X470GT8 от Biostar. Поскольку это работало так хорошо, память с такой скоростью передачи данных была широко доступна в CAS 15.

Но затем поползли слухи, что DDR4-3000 — лучшее место для процессоров Ryzen серии 2000, и производители быстро начали программировать эти модули для DDR4-3000, чтобы удовлетворить новый спрос. Остается ограниченное количество комплектов DDR4-2933 CAS 16 с завышенной ценой, хотя пользователи, которые не боятся экспериментировать, всегда могут вернуть свои более дешевые комплекты DDR4-3000 CAS 15 к DDR4-2933, если более высокая скорость передачи данных нестабильна.

Ограничения Ryzen

По умолчанию контроллер памяти материнских плат X570 переключается на половинную скорость, а интерфейс Infinity Fabric — на несинхронизированное соотношение при превышении скоростей DDR4-3600, что приводит к падению производительности при использовании DDR4-3733 или выше.Многие конечные пользователи сообщают об ограничениях между DDR4-3733 и DDR4-3866 после отключения этих средств защиты стабильности, но это небольшое увеличение скорости передачи данных, вероятно, не стоит ваших усилий, если вы просто не хотите достичь более высоких скоростей, чтобы похвастаться.

В наших руководствах по системным платам подробно описаны частотные возможности как минимум одной конфигурации для каждой протестированной платы, но мы не можем проверить все. Чтобы быстро взглянуть на текущую ситуацию с памятью, воспользуйтесь таблицей доступных на данный момент емкостей и типов комплектов оперативной памяти, а также типов систем, для которых они работают лучше всего.Соотношение цен основано на самом дешевом комплекте в каждой конфигурации.

Рейтинг производительности, от лучшего к худшему

901 03

БОЛЬШЕ: Лучшая память

БОЛЬШЕ: DDR DRAM: часто задаваемые вопросы и руководство по устранению неполадок

БОЛЬШЕ: все содержимое памяти 90 003

.

Ryzen вне рекомендаций — Ryzen выше: лучшие настройки памяти для процессоров AMD 3000, протестировано — Tom’s Hardware

Организация: зачем мне четыре ранга?

Ранг включает память, которая подключается к одной 64-битной стороне DIMM. Большинство этих ИС являются восьмиразрядными, так что восемь ИС, включенных параллельно, составляют один 64-битный интерфейс. Каждый модуль имеет два 64-битных интерфейса, по одному с каждой стороны, поэтому он называется двухрядным модулем памяти. Двухранговый модуль DIMM имеет два интерфейса, заполненных памятью, а одноранговый модуль памяти DIMM имеет заполненную и пустую стороны.

Снова и снова мы видим доказательство того, что два уровня памяти на канал могут значительно превзойти на один ранг на канал. Вероятно, это связано с чередованием, когда, например, один ранг может начинать операцию, а другой — завершать — подумайте об этом как о перекрытии задержки. Неважно, происходят ли эти два уровня от двух одноранговых модулей DIMM или от одного двухрангового модуля DIMM, улучшение производительности одинаково.

Двухканальная материнская плата с двумя уровнями памяти на канал будет иметь четыре уровня памяти.Проблема для нынешних покупателей, которые хотят, чтобы их 16 ГБ были распределены по четырем уровням, заключается в том, что интегральные схемы (ИС) на 4 ГБ, составляющие эти четырехрядные комплекты на 16 ГБ, больше не доступны. Большинство современных микросхем DRAM имеют емкость восемь гигабит, так что восемь чипов имеют емкость 8 ГБ, а четыре из них имеют емкость 32 ГБ. Альтернативы включают покупку очень старой памяти с ИС 4 Гб или очень дешевой памяти с ИС 8 Гб с 16-битным интерфейсом (так, чтобы четыре ИС составляли ранг). Ни одна из этих альтернатив не кажется привлекательной.

Мы уже использовали четырехуровневый набор памяти с более низкой плотностью, чтобы показать, что наши тесты не выигрывают от емкости более 16 ГБ при одинаковом количестве рангов, но насколько больше производительность при четырех рангах действительно есть чем два?

Изображение 1 из 15

Изображение 2 из 15

Изображение 3 из 15

Изображение 4 из 15

Изображение 5 из 15

Изображение 6 из 15

Изображение 7 из 15

Изображение 8 из 15

Изображение 9 из 15

Изображение 10 из 15

Изображение 11 из 15

Изображение 12 из 15

Изображение 13 из 15

Изображение 14 из 15

Изображение 15 из 15

Цифры кажутся Это место, когда в нашей общей диаграмме производительности усредняется так много тестов, но, похоже, есть тенденция, когда конфигурации с четырьмя рангами превосходят две.Все становится интересно, когда мы ограничиваем наше внимание тестами, которые, как мы знаем, имеют узкие места с памятью:

Вы бы поверили, что можете увеличить частоту кадров до 10% в Ashes , просто используя четыре уровня памяти? Или что вы можете сократить время сжатия файла до 13%? Разве этот прирост производительности не похож на переход на новый уровень видеокарты или процессора? Учитывая, что емкость 8 ГБ на ранг заполняет рынок энтузиастов, разве это не достаточно веская причина для нас, чтобы рекомендовать 32 ГБ геймерам , даже тем, кому никогда не понадобится больше половины от его общей емкости?

Предел DDR4-3600: все же стоит ли мне попробовать DDR4-3733?

По большей части лучшие конфигурации для производительности DDR4 (и даже DDR3) были кратны 266.6x МГц, но DDR4-3600 в эту схему не вписывается. Поскольку мы не хотим полностью использовать нашу DDR4-3600 до DDR4-3466, можно задаться вопросом, почему мы просто не переходим на DDR4-3733? Для Ryzen 3000 ответ заключается в предполагаемом ограничении стабильности его кристалла ввода-вывода. AMD переключает свою встроенную частоту унифицированного контроллера памяти (UCLK) на 1/2 скорости передачи данных DRAM всякий раз, когда превышается DDR4-3600, а дополнительно защищает контроллеры на кристалле ввода-вывода от нестабильности, отключая тактовую частоту Infinity Fabric при превышении этого значения. частота.

Теперь, когда мы используем тестовую платформу X570 для обзоров памяти, мы увидели множество доказательств того, что DDR4-3733 может на снизить производительность по сравнению с DDR4-3600, когда этим контроллерам разрешено использовать ограничения AMD по умолчанию. Но эй, 1866 МГц (тактовая частота для DDR4-3733) всего на 66 МГц выше, чем одобренные AMD 1800 МГц (тактовая частота для DDR4-3600), и 66 МГц не должно быть таким уж большим диапазоном, верно?

Разгон не может быть намного проще, чем это: мы оставили прошивку материнской платы с таймингами DDR4-3600 по умолчанию и просто подняли ее частоту до DDR4-3733, а затем вручную настроили частоту FCLK до 1867 МГц и частоту UCLK. соотношение 1: 1.Напряжение CPU NB / SoC прошивки MSI уже было установлено на 1,10 В для других наших тестов: останется ли система достаточно стабильной, чтобы завершить наши тесты без дальнейшего повышения напряжения?

Изображение 1 из 15

Изображение 2 из 15

Изображение 3 из 15

Изображение 4 из 15

Изображение 5 из 15

Изображение 6 из 15

Изображение 7 из 15

Изображение 8 из 15

Изображение 9 из 15

Изображение 10 из 15

Изображение 11 из 15

Изображение 12 из 15

Изображение 13 из 15

Изображение 14 из 15

Изображение 15 из 15

Поскольку это раздел разгона, мы Наши диаграммы (рейтинг 100%) основаны на стандарте, для которого, как нам сказали, оптимизирован Ryzen 3000: 2×8 ГБ DDR4-3200 C16.Мы видим, что почти каждая альтернатива в некоторой степени работает лучше, но нам действительно нужно погрузиться в галерею изображений, чтобы увидеть явные различия. Или, как обычно, мы можем перейти к основным моментам.

Вот то, что мы хотим увидеть. Если вы можете стабильно работать на контроллерах AMD с соотношением сторон 1: 1, DDR4-3733 обеспечит вам до 3% большей производительности, чем DDR4-3600. Четыре уровня памяти дадут вам на 15% больше производительности, чем два, даже если эти четыре уровня имеют недостаток тайминга 2T.Единственное место, где было выгодно замедлить наши четыре модуля DIMM с DDR4-3600 до DDR4-3200, было в Ashes , где более низкая скорость передачи данных имела преимущество при использовании скорости команд 1T.

Ryzen: выход за рамки основ

Легкий вывод состоит в том, что каждая расширенная настройка, которая должна повысить производительность процессоров AMD Ryzen серии 3000, не оптимизирована для какой-либо конкретной скорости передачи данных, а масштабируется пропорционально все стабильные скорости передачи данных. Итак, вот краткий список наших результатов, то есть подтверждений:

• Переход от двух рангов к четырем рангам памяти — безусловно, лучший способ повысить производительность в приложениях с узкими местами памяти.При текущей плотности памяти это обычно означает наличие не менее 32 ГБ (даже если вы не думаете, что будете использовать такой объем).

• Переключение с 2T на 1T обеспечивает повышение производительности аналогично сокращению двух циклов задержки CAS.

• Единственный раз, когда DDR4-3200 C14 и DDR4-3600 C16 имеют одинаковую производительность, — это когда более медленный комплект имеет лучшую (1T) скорость команд.

• Разгон до DDR4-3733 обеспечивает хороший прирост производительности, но только в том случае, если вы можете стабильно делать это с синхронизированными UCLK и FCLK.

• Наилучшая практическая конфигурация — это четыре уровня памяти DDR4-3600 с минимальными стабильными задержками. Напоминание: четыре уровня могут быть получены с помощью четырех одноранговых или двух двухрядных модулей DIMM.

Имея в виду, что не каждое приключение с разгоном дает ожидаемые результаты, комплект DDR4-3600 C16 объемом 32 ГБ, такой как тот, который мы использовали сегодня, является отличной отправной точкой , а — приемлемой финишной чертой.

Фото: Tom’s Hardware

БОЛЬШЕ: Лучшая память

БОЛЬШЕ: Часто задаваемые вопросы о DDR DRAM и руководство по устранению неисправностей

БОЛЬШЕ: Все содержимое памяти

.