Cl что это оперативная память: Какая латентность оперативной памяти лучше?

Содержание

Какая латентность оперативной памяти лучше?

Опубликовано 21.07.2019 автор — 3 комментария

Всем привет дорогие гости блога! В сегодняшней публикации давайте разберем, какая латентность оперативной памяти лучше и на что влияет этот параметр. Разбирать сам термин и как именно работает ОЗУ здесь мы не будем – все это можно найти в одном из предыдущих постов.

На что влияет латентность

Логично предположить, что раз латентность – это задержка, то и чем она меньше, тем шустрее будет работать компьютер и тем меньше будет простаивать процессор между тактами, необходимыми модулю памяти на подготовку к следующему циклу перезаписи.

Это актуально, в случае домашнего ПК – игровой станции или медиацентра. В случае с сервером, важна, в первую очередь, стабильность работы. В таких случаях часто жертвуют быстродействием в угоду надежности, поэтому монтируют оперативку с таймингами побольше.

Какое значение лучше

Величина таймингов напрямую зависит от частоты оперативной памяти – чем она выше, тем больше будут задержки в работе.

Например, в оперативке DDR4 тактовая частота выше, чем в DDR3, соответственно больше тайминги.

Однако при этом выше еще и пропускная способность и некоторые другие важные параметры, поэтому предпочтительнее все таки формат ДДР4. Сравнивать следует планки одного поколения, если возникла идея выжать из собираемого компьютера максимум возможностей. Таким образом, однозначно можно утверждать:

  • Между cl11 vs cl9 лучше второй показатель,
  • В случае с cl16 или cl 17 предпочтение следует отдать первому;
  • При сравнении cl15 и cl17 ситуация аналогична;
  • У планок cl14 или cl16 быстрее работает первая.

Что нужно учитывать при выборе латентности

Однако не все так однозначно, так как при сборке нового компа часто все упирается в бюджет. Да, за красивые и эффективные циферки приходится переплачивать, причем иногда существенно: например, разница у модулей памяти с cl9 и cl11 может достигать несколько десятков долларов.

Также не следует забывать, что для большей производительности лучше брать не одну планку памяти большого объема, а две поменьше, чтобы запустить их в двухканальном режиме.

Такое техническое решение оправдано с точки зрения увеличения производительности оперативки, приблизительно на 25%. Покупать следует модули памяти с абсолютно идентичными или очень близкими показателями латентности, иначе двухканальный режим попросту не активируется.

Учитывайте это и при апгрейде компа, выбирая дополнительную планку оперативки. О том, что такое латентность, можно почитать здесь.

На что влияет латентность в играх

Как вы, вероятно, помните из моих постов на эту тему, оперативка хранит промежуточные данные приложений, в том числе игр. В случае с играми это отрендеренные видеокартой 3D объекты – персонажи и окружающая обстановка, а также данные об их состоянии.В теории, чем меньше латентность, тем ниже вероятность лагов и фризов, в том числе микроскопических, проявляющихся в падении ФПС на несколько пунктов – например, при резком повороте камеры или одновременном скоплении большого количества персонажей на небольшом участке.

Особенно актуально это в ММО играх, где такое наблюдается сплошь и рядом. Допустим , если в РПГ где-нибудь в дикой местности персонажи расползаются подальше, чтобы не мешать друг другу, то в городе все они преимущественно кучкуются возле торговцев, чтобы сбагрить лут.

На практике же многое зависит от разработчиков, а точнее от того, насколько удачно они оптимизировали игру.

В качестве каноничного примера сольной игры могу привести неплохую во всех отношениях РПГ Kingdom Come: Deliverance. В ней разработчики что-то намудрили с использованием оперативной памяти, поэтому она используется не вся. Как следствие – резкие просадки ФПС в самые неожиданные моменты даже на мощном компе.

В качестве примера многопользовательской игры, на ум сразу же приходит Albion Online – игра, скажем так, с не самой передовой графикой, которую зато можно запустить на слабом ПК.

Особенность проекта в том, что здесь отсутствуют инстансы в принципе – все игроки играют на единственном сервере и единственном канале, поэтому в крупных городах в прайм-тайм из-за колоссального количества персонажей, большинство которых гоняет туда-сюда, можно наблюдать настоящее слайд-шоу: ФПС проседает так, что иногда и поторговать невозможно.

В этом случае от латентности оперативки уже ничего не зависит: она попросту захлебывается под таким потоком изменяющихся данных.

Также советую ознакомиться с публикациями «На что влияет частота оперативной памяти» и «Что такое Яндекс Маркет и как им пользоваться». Буду признателен всем, кто поделится этим постом в социальных сетях. До завтра!

С уважением, автор блога Андрей Андреев.

Что такое тайминги оперативной памяти?

Здравствуйте, дорогие друзья. С вами Артём.

Что такое тайминги оперативной памяти? Вот об этом и сегодня и поговорим.

P.S. О разгоне оперативной памяти можно посмотреть тут.

Видео версия статьи:

Тайминги, как и другая полезная информация маркируется на корпусе планки оперативной памяти.

Тайминги состоят из группы цифр.

На некоторых планках тайминги указаны полностью, а на других указывается только CL задержка.

Тайминги указаны полностью

Указание только CL, а данном случае CL9

Что такое CL тайминг вы узнаете по ходу статьи.

В этом случае полный список таймингов можно узнать на сайте производителя планки, по номеру модели.

Любая оперативная память DDR (1,2,3,4) имеет одинаковые принципы работы.

Память имеет определённую частоту работы в МГц и тайминги.

Чем тайминги меньше, тем быстрее процессор может получить доступ к ячейкам памяти на микросхемах.

Соответственно получаются меньше задержек при считывании и записи информации в оперативную память.

Наибольшее распространение получил тип памяти DDR SDRAM, который имеет ряд особенностей.

Частоты:

С контроллером памяти она (память) общается на частоте в половину меньшей, чем та, которая указана на маркировке плашки оперативной памяти.

Например, DDR3 работающая на частоте 1866 МГц в диагностических программах, например, CPU-Z будет отображена как 933 МГц.

Эффективная частота оперативной памяти

Так что на корпусе планки оперативной памяти указывается эффективная частота работы памяти, тогда как в реальности, частоты работы в два раза ниже.

Линии адреса, данных и управления передаются по одной шине в обе стороны, что и позволяет говорить об эффективной частоте работы оперативной памяти.

Данные передаются по 2 бита на один синхроимпульс, как по фронту, так и по спаду тактового импульса, что и удваивает эффективную частоту работу памяти.

P.S. Частота оперативной памяти складывается из коэффициента умножения (множителя) на частоту системной шины.

Например, частота системной шины процессора 200 МГц (какой ни будь Pentium 4), а множитель=2, то результирующая частота памяти будет 400 МГц (800 МГц эффективная).

Это значит, что для разгона оперативной памяти, нужно разогнать процессор по шине (либо выбрать нужный множитель памяти).

Для новых платформ (LGA 1151 и так далее) всё несколько проще, доступен расширенный список множителей.

P.S. Все манипуляции по частотам, таймингам и напряжениям производятся в BIOS (UEFI) материнской платы.

Тайминги:

Модули памяти, работающие на одной и той же частоте, но имеющие разные тайминги в тоге могут иметь разную итоговую скорость работы.

Тайминги указывают на количество тактовых импульсов, для выполнения микросхемой памяти той или иной операции. Например, поиска определённой ячейки и записи в неё информации.

Сама же тактовая частота определяет с какой скоростью в Мегабайтах в секунду будут идти операции чтения/записи, когда чип уже готов выполнить команду.

Тайминги обозначаются цифрами, например, 10-11-10-30

.

DDR3 1866 МГц 9-9-9-10-28 будет быстрее чем DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Если обратиться к базовой структуре ячейки памяти, то получится вот такая табличная структура.

Структура оперативной памяти

То есть структура строк и столбцов, по номеру которых можно обратиться к тому или иному байту памяти, для чтения или записи данных.

Что же конкретно обозначают цифры таймингов?

Обратимся к примеру, выше DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Цифры по порядку:

10 – это CAS Latency (CL)

Одна из важнейших задержек (таймингов). От него в большей степени будет зависеть скорость работы оперативной памяти.

Чем меньше первая цифра из таймингов, тем она быстрее.

CL указывает на количество тактовых циклов, необходимых для выдачи запрашиваемых данных.

На рисунке ниже вы видите пример с CL=3 и CL=5.

Что такое тайминги CAS Latency (CL)

В результате память с CL=3 на 40% быстрее выдаёт запрашиваемые данные. Можно даже посчитать задержку в нс (наносекунда = 0,000000001 с).

Чтобы вычислить период тактового импульса для оперативной памяти DDR3 1866 МГц, нужно взять её реальную частоту (933 МГц) и воспользоваться формулой:

T = 1 / f

1/933 = 0,0010718113612004 секунды ≈ 1,07 нс.

1,07*10(CL) = 10,7 нс. Таким образом для CL10 оперативная память задержит выдачу данных на 10,7 наносекунды.

P.

S. Если последующие данные располагаются по адресу следующему за текущем адресом, то данные не задерживаются на время CL, в выдаются сразу же за первыми.

11 – это RAS to CAS Delay (tRCD)

Сам процесс доступа к памяти сводится к активации строки, а затем столбца с нужными данными. Данный процесс имеет два опорных сигнала – RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe).

Также величина этой задержки (tRCD) является числом тактов между включением команды «Активировать (Active и командой «Чтение» или «Запись».

Что такое тайминги RAS to CAS Delay (tRCD)

Чем меньше задержка между первым и вторым, тем быстрее происходит конечный процесс.

10 – это RAS Precharge

(tRP)

После того как данные получены из памяти, нужно послать специальную команду Precharge, чтобы закрыть строку памяти из которой считывались данные и разрешить активацию другой строки с данными. tRP время между запуском команды Precharge и моментом, когда память может принять следующую команду «Active». Напомню, что команда «Active» запускает цикл чтения или записи данных.

Чем меньше эта задержка, тем быстрее запускается цикл чтения или записи данных, через команду «Active».

Что такое тайминги RAS Precharge (tRP)

P.S. Время которое проходит с момента запуска команды

«Precharge», до получения данных процессором складывается из суммы tRP + tRCD + CL

30 – это Cycle Time (tRAS) Active to Precharge Delay.

Если в память уже поступила команда «Active» (и в конечном итоге процесс чтения или записи из конкретной строки и конкретной ячейки), то следующая команда «Precharge» (которая закрывает текущую строку памяти, для перехода к другой) будет послана, только через это количество тактов.

То есть это время, после которого память может приступить к записи или чтению данных из другой строки (когда предыдущая операция уже была завершена).

Есть ещё один параметр, который по умолчанию никогда не изменяется. Разве что при очень большом разгоне памяти, для большей стабильности её работы.

Command Rate (CR, либо CMD), по умолчанию имеет значение 1T – один такт, второе значение 2T – два такта.

Command Rate (CR) оперативной памяти

Это отрезок времени между активацией конкретного чипа памяти на планке оперативной памяти. Для большей стабильности при высоком разгоне, часто выставляется 2T, что несколько снижает общую производительность. Особенно если плашек памяти много, как и чипов на них.

В этой статье я постарался объяснить всё более-менее доступно. Если, что, то всегда можно перечитать заново:)

Если вам понравился видео ролик и статья, то поделитесь ими с друзьями в социальных сетях.

Чем больше у меня читателей и зрителей, тем больше мотивации создавать новый и интересный контент:)

Также не забывайте вступать в группу Вконтакте и подписываться на YouTube канал.

YouTube канал Обзоры гаджетов

Вконтакте: Обзоры компьютерного железа, программ и гаджетов

До встречи в следующих публикациях и роликах. Пока пока:)


Это интересно:

Вы можете оставить комментарий ниже.

что это такое и что она значит?

Опубликовано 20.07.2019 автор — 0 комментариев

Приветствую вас уважаемые гости! Сегодня поговорим про латентность оперативной памяти – что это такое, какая бывает, как на нее влияют тайминги и что значит это в практическом плане.

Как работает оперативная память

Структурно любая планка оперативки представляет собой своего рода матрицу, разделенную на строчки и столбцы. Каждая ячейка может иметь значение 1 (полный заряд) или 0 (полный разряд). По сути, любая такая планка – своеобразная таблица, состоящая из множества микроскопических конденсаторов.

Каждый элемент в оперативке имеет собственный уникальный адрес, по которому к нему обращаются напрямую процессор или периферические устройства.

Кроме того, конденсаторы сгруппированы по банкам, число которых зависит от плотности ячеек. На открытие строки в одном банке уходит больше времени, чем если обратиться к другому банку, так как используемую строку сначала нужно закрыть. Применяется принцип чередования строк, когда новая строка открывается в новом банке.

Что значит латентность у модуля памяти

Дословное определение этого параметра ОЗУ – «задержка», то есть время, необходимое на чтение, запись и копирование данных.

Несмотря на высокое быстродействие современных компьютеров, все действия не выполняются мгновенно. По-другому такие задержки называют таймингами и для удобства пользователей наносят такие характеристики на шильдике, который должен быть наклеен согласно нормативам(правда это, не всегда встречается). Например, так: 4–4‑4–6.Каждая цифра в этой маркировке обозначает время в миллисекундах, которое проходит перед началом выполнения команды.

Здесь идут в ряд четыре типа латентности:

  • CL – задержка между подачей команды оперативке и началом записи или чтения;
  • Trcd – необходимое для активации строки банка время, то есть время между выбором столбца и строки;
  • Trp – время активности строки, то есть ее открытием и подачей команды на перезапись;
  • Tras – время, необходимое для полного заряда конденсатора с конкретным адресом.

Чем выше тактовая частота ОЗУ, тем больше и тайминги у нее будут.

Поэтому у современной памяти возможны значения cl 11, cl15, cl 16 и даже cl19. Например, для планки памяти DDR3 с тактовой частотой 1333 МГц оптимальным значением считается CL 9.

У ДДР4 с частотой 2800 МГц средние значения латентности 14–15. К слову, в этом случае речь идет о так называемой CAS-латентности, то есть задержке между отправкой в ОЗУ адреса столбца данных и началом передачи данных – время, необходимое для чтения первого бита.

Детальнее про значения латентности в оперативной памяти и какие из них лучше читайте скоро на блоге.

Настройка латентности

Именно данная цифра (CL) представляет наибольший интерес в практическом плане, поэтому часто в маркировке указывают только ее.

Для того, чтобы узнать более детальную информацию об интервалах задержки оперативки, приходится искать на сайте производителя ее полную спецификацию.Информация о латентности записана в самой планке оперативной памяти в микросхеме SPD, который есть в любом модуле ОЗУ. Как правило, при сборке компьютера не нужно выполнять дополнительных настроек в BIOS: предусмотренная производителем латентность выставляется автоматически.

Все, что нужно сделать пользователю – только правильно смонтировать модули ОЗУ в подходящие слоты.

Впрочем, в случае необходимости тайминги таки можно настроить, для чего БИОС предоставляет ряд возможностей пользователю. Для этого используется функция DRAM Timings, с помощью которой можно задать значения четырех основных значений латентности.

При установке режима AUTO будут использованы настройки по умолчанию – те, на которых планка работает с оптимальной производительностью.

Самостоятельная установка таймингов может понадобиться при разгоне модуля памяти: так как наблюдается обратная взаимосвязь, меньшая латентность приводит к ускорению работы ОЗУ.

Кроме того, это может понадобиться при попытке подружить пару немного отличающихся по параметрам планок оперативной памяти, чтобы заставить их работать в двухканальном режиме. С другой стороны, увеличение задержек немного замедляет работу памяти, но делает ее более стабильной.

Такие «танцы с бубном» рекомендуется проводить пользователям, которые твердо знают, что именно они делают и зачем.

Если же вы пока не на «Ты» с компьютерным железом и еще не скоро будете в нем хорошо разбираться, рекомендую установить латентность по умолчанию. А еще советую ознакомиться с публикациями «На что влияет частота оперативной памяти» и «Что это – поддержка ECC оперативной памяти».

Напоминаю, что делясь статьями этого блога в социальных сетях, вы способствуете его продвижению, что позволит мне публиковать еще больше полезных инструкций. Чтобы не пропустить новость, подпишитесь на рассылку уведомлений по электронной почте. А на сегодня все. Всем до завтра!

С уважением, Андрей Андреев.

Тайминги оперативной памяти: разбираемся, какие значения лучше

Наверх
  • Рейтинги
  • Обзоры
    • Смартфоны и планшеты
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Комплектующие
    • Периферия
    • Фото и видео
    • Аксессуары
    • ТВ и аудио
    • Техника для дома
    • Программы и приложения
  • Новости
  • Советы
    • Покупка
    • Эксплуатация
    • Ремонт
  • Подборки
    • Смартфоны и планшеты
    • Компьютеры
    • Аксессуары
    • ТВ и аудио
    • Фото и видео
    • Программы и приложения
    • Техника для дома
  • Гейминг
    • Игры
    • Железо
  • Еще
    • Важное

Что такое тайминги оперативной памяти и какие лучше?

Обычно при выборе и покупке оперативной памяти пользователи обращают внимание только объём ОЗУ и её тактовую частоту, ну и для совместимости с материнской платой на тип памяти DDR. Однако в технических характеристиках памяти есть такой параметр как тайминги (латентность), на который мало кто смотрит. В тоже время тайминги оперативной памяти оказывают не самое последнее влияние на её производительность. В данном материале мы подробно расскажем о том, что такое тайминги, какие тайминги лучше, а также ответим на часто задаваемый вопрос «Что лучше – меньшие задержки или высокая частота?».



Что такое тайминги оперативной памяти?

Чтобы понимать, какие тайминги лучше, нужно хотя бы в общих чертах знать, что это вообще такое. Итак, если очень кратко, то тайминги – это временные задержки между отправкой и выполнением команды шины памяти т.е. тайминги определяют то, как быстро информация перемещается внутри планки памяти. Латентность ОЗУ измеряется в тактах и обычно записывается в виде нескольких цифровых значений через тире, но у каждого значения есть своя определенную маркировку и последовательность. Выглядит она так: CL-RCD-RP-RAS, где CL – это CAS Latency, время до получения ответа памяти, RCD – RAS to CAS Delay, время полного доступа памяти или как еще его называют поиск необходимой строки, RP – RAS Prechange, время в промежутке между командой деактивации строки и последующей её активации и RAS – Command Rate, промежуток между двумя любыми командами, который как правило, является самым минимальным интервалом и иногда производитель его вообще не указывает.



Какие тайминги оперативной памяти лучше?

Самый главный вопрос – какие тайминги лучше? Как мы уже выяснили, тайминги – это задержка, поэтому очевидно, что если задержка меньше, то это лучше и, следовательно, память будет производительнее. Для примера возьмем две модели ОЗУ – GEIL Super Luce RGB TUF Black Gaming 16GB и Patriot Viper RGB Black 16GB. Обе DRAM имеют одинаковую частоту 2666 МГц, одинаковую пропускную способность PC4-21300 и одинаковую стоимость (на момент написания статьи), но при этом у них разные тайминги. Модель от GEIL имеет тайминги 19-19-19-43, а память от Patriot 15-17-17-35, поэтому последняя будет более предпочтительным и производительным вариантом, учитывая одинаковую частоту и стоимости памяти.



Что лучше – более высокая частота или более низкие тайминги?

Чтобы полноценно ответить на данный вопрос сначала нужно понять и принять аксиому – с повышением частоты, на которой функционирует ОЗУ, повышаются и задержки памяти. Если сравнивать характеристики разных модулей стандартов DDR3 и актуального DDR4, то можно заметить, что тайминги у DDR3 будут выше. Для примера возьмем игровую ОЗУ начального уровня Corsair ValueSelect DDR4 PC4-1700 2133 MHz, у которой тайминги 15-15-15, и обычную неигровую память Kingston ValueRAM DDR3 PC3-12800 1600 MHz – у неё тайминги 11-11-11. В первом случае мы наблюдаем более современный тип памяти DDR и более высокую частоту, а во втором случае ситуация обратная. Но здесь более высокая латентность может устранить разницу производительности. 


Но это только в теории. Практика показывает, что на производительность в большей степени всё-таки влияет частота. В этом можно убедиться, если вручную уменьшить частоту памяти Corsair ValueSelect с 2133 МГц до 1600 МГц. Тайминги этого модуля также уменьшатся, но при этом понизится и производительность. Выходит, что частота влияет на производительность в большей степени, но в любом случае, если выбор стоит между планками с одинаковой частотой, то лучше выбирать ту, у которой меньшие задержки.

Латентность оперативной памяти — что это такое?

Сегодня мы рассмотрим латентность оперативной памяти. Что это такое и зачем эта характеристика нужна в компьютерных технологиях? Где она нашла своё применение? Как достичь наилучшего значения данной характеристики?

Об оперативной памяти

Так называют специальное устройство, в котором находятся данные и выполняются запущенные во время работы компьютера процессы. Благодаря скорости его действия оно выступает в качестве посредника между информацией, расположенной на жестком диске, и процессором. Самой понятной для большинства людей характеристикой является объем оперативной памяти. В данном случае работает правило, что чем её больше, тем для нас лучше. По факту сейчас для использования интернета, просмотра фильмов и работы с большинством полезных программ хватает 2 Гб. Но для оценки производительности используется и ряд других параметров, к примеру частота. Она указывает на то, сколько данных может быть переслано по шине за одну единицу времени. Чем большая частота, тем выше скорость передачи информации. Но необходимо учитывать, чтобы она также поддерживалась процессором и материнской платой. Или давайте возьмем другой параметр, не такой известный – латентность. Так называют временные задержки сигналов, которые идут от оперативного запоминающего устройства. Чем с меньшими показателями компьютер будет работать, тем лучший результат в плане оперативности в конечном счете получится.

Особенности латентности

В предыдущем абзаце был упущен один значительный момент. Вместе с величиной частоты ОЗУ растёт и латентность оперативной памяти. Какая лучше тогда ОП? Как подобрать более-менее универсальные показатели? Считается оптимальным использование нескольких моделей памяти. Так, если их два, и они работают в двухканальном режиме, то скорость передачи данных будет увеличена. Для этого используемые платы необходимо установить в определённые слоты (которые, как правило, выделяются одним цветом). Здесь существует такая особенность: необязательно, чтобы у них был одинаковый объем памяти. Но относительно частоты желательно здесь получить полное совпадение. В противном случае они будут работать с наименьшей величиной из этих двух.

Что собой представляет латентность памяти

Ещё немного теории. Так называют суммирование, которое проводится с использованием специального коэффициента неуправляемых обратных токов транзисторов, что входят в каждый чип используемой линейки памяти, а также время их переключения. Это может показаться сложным, но это обманчивое предположение. Так, латентность зависит от частоты, с которой работают чипы. Интересно то, что она не является пропорциональной. Иными словами: чем меньше латентность, тем лучше для пользователя. Давайте рассмотрим пример. Мы хотим, чтобы у нашего гипотетического компьютера оперативная память была размером в два гигабайта. Мы можем поставить одну линейку, которая будет давать нам 2 Гб. Но это не самый оптимальный способ. В данном случае лучше всего будет установить четыре линейки, каждая по 512 Мб. При этом также следует учитывать и влияние материнской платы, а также типы используемой оперативной памяти. Модуль, выполненный на основании одной технологии, нельзя будет поставить на место, которое предназначено для другой технологии. Это реализовано для того, чтобы исключить повреждения при эксплуатации непредназначенного для данных условий механизма.

Обозначение

Если вы когда-нибудь рассматривали устройства, то могли увидеть что-то похожее на следующее: «Латентность оперативной памяти: CL9». Что это значит? Данный показатель указывает на конкретную задержку, которая происходит между началом отправки адреса столбца в память и, соответственно, фактической передачей данных. Цифра, которая указана, обозначает величину, необходимую для начала осуществления этого процесса. Чем она меньше, тем лучше для нас. Поэтому при выборе оперативной памяти всегда необходимо учитывать и эту величину.

Типы устройств

Для разделения по возможностям используется double data rate (DDR), что можно перевести как двойную скорость передачи данных. Самые первые образцы данной технологии имели по 184 контакта. Их стандартное напряжение питания было 2,5 В. Делает выборку в 2 бита данных за один такт. Но в наше время они считаются устаревшими и сейчас практически нигде и ни в каких условиях не используются. Более современным и самым распространённым считается DDR2. Она позволяет выбирать сразу 4 бита за один такт. Модуль выполняется в виде печатной платы, которая обладает 240 контактами (по 120 на каждую сторону). Стандартное напряжение питания для него составляет 1,8 В. Относительно новым считается DDR3. Он за один такт может делать выборку в 8 бит данных. Он также выполнен на печатной плате, которая имеет 230 контактов. Но стандартное питающее напряжение в данном случае составляет только 1,5 В. Также существует ещё и DDR4, но это новая технология, которую встретить ещё очень сложно.

Пропускная способность

Уже будем завершать статью про латентность оперативной памяти. Того, что было представлено ранее, уже достаточно, чтобы понимать основную массу информации об ОП. И как завершающий штрих – пропускная способность. Итак, в идеале величина этой характеристики со стороны оперативной памяти должна соответствовать размеру параметра у процессора. Рассмотрим этот вопрос, считая, что у нас упомянутый ранее двухканальный режим. У нас есть процессор, пропускная способность которого — 10600 Мб/с. Тогда мы можем установить модуль оперативной памяти, характеристики которого будут составлять 5300 Мб/с. В паре они обеспечат тот же самый размер пропускной способности. Но не забывайте о том, что модули должны быть одинаковой частоты. А оптимальным будет, чтобы они ещё и обладали одинаковым объемом, их изготовил один производитель, и они выпускались в рамках одной партии. Тогда латентность оперативной памяти будет стремиться к минимально возможному значению. Если говорить про двухканальный режим, то специально под эти случаи продают Kit. Так называют специальные наборы, которые оптимизированы уже для такой работы. Следует отметить, что можно использовать и память, пропускная способность которой выше, чем у процессора. Но на латентность это существенным образом не повлияет, даже если разница будет кратной.

Заключение

Как видите, латентность оперативной памяти – это очень важная характеристика. Особенно приятным является то, что на неё можно повлиять не только с аппаратной стороны, но и подбирая конфигурацию для своего компьютера. Но при этом всё же необходимо держаться в рамках разумного и в более чем четырехканальном режиме не работать. Нет, конечно, если есть желание, можно и с платами оперативной памяти на 512 Мб собрать компьютер, который сможет похвастаться скоростью обработки в 8 Гб. Но эффективность такого хода будет довольно сомнительной. Лучше остановиться в таком случае на 4 платах, каждая из которых будет иметь 2 Гб.

Как понизить латентность оперативной памяти DDR4

Каждый компонент персонального компьютера вносит свой вклад в уровень итоговой производительности системы. Это и процессор, и видеокарта, и жёсткий диск, и конечно оперативная память. Главными характеристиками памяти является её тип, частота и тайминги.

Тайминги памяти — величина довольно абстрактная, это не секунды или миллисекунды. Это такты. Но главное (с чем напрямую связаны тайминги памяти) — это латентность памяти. Латентность памяти — время, затрачиваемое процессором на получение байта информации из оперативной памяти. В этой статье мы разберемся как понизить латентность оперативной памяти DDR4 для Ryzen.

Содержание статьи:

Что лучше — латентность или частота работы памяти

Латентность оперативной памяти для Ryzen может быть вычислена с помощью специальных тестов производительности. На этикетке продаваемых модулей памяти величина затрачиваемого на обмен информацией времени между процессором и модулем памяти показана в виде набора таймингов. Основные из них: CL, TRCD, TRP и TRAS (для DDR4 TRAS неактуален), иногда к ним ещё добавляется пятый параметр — Command rate.

Частота влияет на пропускную способность памяти. Если для выполнения задачи достаточно и просто пропускной способности с запасом, то ещё больше ускорить выполнение такой задачи может помочь лишь снижение латентности памяти.

Также латентность играет важную роль в задачах, в которых нужен максимально быстрый отклик на действия пользователя или других программ.

Как уменьшить латентность памяти Ryzen

Лучше покупать разогнанные модули памяти с предустановленными в них профилями XMP. Такой профиль сразу позволит использовать минимальные тайминги для данного модуля, активировав его в настройках BIOS материнской платы.

Вариант посложнее — купить обычную неразогнанную память с хорошими чипами от Samsung, Hynix или Micron и самому настроить тайминги памяти. Для процессоров Ryzen имеется утилита DRAM Calculator for Ryzen, позволяющая подобрать тайминги памяти и тем самым снизить латентность (см. статью об утилите: Как пользоваться Ryzen DRAM Calculator).

Попробуем добиться некоторого снижения латентности памяти в обычных модулях, без XMP.

1. Тестирование до снижения латентности

Ещё до коррекции таймингов памяти проведём тестирование времени отклика (латентности) с помощью Теста кэша и памяти утилиты AIDA64:

И ещё сделаем это с помощью теста MEMbench (MEMbench mode: Easy) утилиты DRAM Calculator for Ryzen:

2. Технические особенности модулей памяти

С помощью программы Thaiphoon Burner мы можем более подробно посмотреть характеристики модулей памяти. Данные модули используют микросхемы Micron MT40A1G8SA-062E:J.

Для этих микросхем есть техническая документация в Интернет. В ней имеются интересующие нас технические характеристики:

  • 1G8: Configuration — 1 Gig x 8;
  • SA: 78-ball 7,5 мм x 11,0 мм FBGA;
  • -062E: CK = 0.625 нс, CL = 22;
  • :J: Die Revision — :J.

Электрические спецификации данных чипов памяти следующие:

  • VDD: от -0,4 В до 1,5 В;
  • TSTG: от -55о С до 150о С.

При этом рекомендуемая температура не должна превышать 85 о С.

Из показанного выше следует: мы можем аккуратно повышать напряжение до 1,4 В, если при этом будем соблюдать безопасный температурный режим памяти.

Внимание: повышение напряжения влечёт за собой серьёзный нагрев чипов! Для того, чтобы избежать этого, необходимо купить для них специальные радиаторы и установить их на модули памяти. В противном случае из-за повышенных температур возможна деградация чипов памяти и, соответственно, выход модулей из строя.

В процессе изучения спецификаций чипов памяти сравнивались чипы B-die и J-die, в следствие чего были сделан вывод, что отличаются данные чипы только диапазоном температур (у J-die диапазон более широкий) и разными токами, но незначительно. В интерфейсе утилиты DRAM Calculator for Ryzen нет опции выбора чипов J-die, поэтому мы выберем в разделе Memory Type чипы Micron E/H-die, так как они в данной серии являются, судя по документации, наиболее некачественными.

3. Подбор таймингов — профиль V1

Как было сказано выше, подбирать тайминги чтобы снизить латентность памяти мы будем с помощью утилиты DRAM Calculator for Ryzen. Перейдите на вкладку Main, выберите характеристики вашего оборудования:

  • Processor: ZEN + AM4. Процессор в моём компьютере Ryzen 2700.
  • Memory Type: Micron E/H-die.
  • Profile version: V1.
  • Memory Rank: 1. Данные модули памяти одноранговые.
  • Frequency (MT/s): 2933 МГц. Чипы могут функционировать и при гораздо более высоких частотах. Однако, так как нашей целью является уменьшение задержек, выбрана именно данная частота — для неё не нужно дополнительно настраивать контроллер памяти в процессоре (см. статью о разгоне памяти: Как разогнать память на Ryzen).
  • BCLK (100-104.8): 100 МГц.
  • DIMM Modules: 2 модуля.
  • Motherboard: B350/X370.

Нажимаем на кнопку Calculate FAST для выполнения расчёта таймингов. Программа выдаёт следующие результаты для выбранных нами стартовых параметров:

Теперь необходимо зайти в настройки BIOS (UEFI) компьютера и установить вычисленные нами ранее значения.

После установки этих значений наш стендовый компьютер, к сожалению, отказался загружаться. Вычисленные тайминги не подошли. С помощью джампера сбрасываем настройки BIOS до заводского состояния (см. статью: Как сбросить BIOS на заводские настройки). Затем надо попытаться подобрать тайминги по втором профилю. Данная версия профиля рекомендуется для менее качественных чипов памяти.

4. Подбор таймингов — профиль V2

Перезагрузив Windows, вновь запускаем утилиту DRAM Calculator for Ryzen, выбрав ваши параметры:

  • Processor: ZEN + AM4 — поколение и сокет вашего процессора.
  • Memory Type: Micron E/H-die — Производитель и B-Die ревизия чипов вашей памяти, которую вы узнали из утилиты Thaiphoon Burner.
  • Profile version: V2 — версия профиля.
  • Memory Rank: 1 — количество рангов вашей памяти, обычно 1.
  • Frequency (MT/s): 2933 МГц — частота, которая должна получиться после разгона памяти.
  • BCLK (100-104.8): 100 МГц — частота работы шины материнской платы, по умолчанию 100 МГц.
  • DIMM Modules: 2 — количество модулей оперативной памяти в вашей системе.
  • Motherboard: B350/X370 — чипсет вашей материнской платы.

Нажимаем на кнопку Calculate FAST для выполнения расчёта таймингов. Получаем следующие результаты:

Перезагружаем компьютер, вносим изменения в значения таймингов, опять перезагружаем компьютер, загружаем настройки BIOS. Теперь компьютер работоспособен.

5. Тонкий подбор таймингов памяти

Так как между сформированными с помощью профилей V1 и V2 наборами таймингов может быть достаточное количество промежуточных вариантов, непосредственно в BIOS пробуем потихоньку уменьшать значения, взятые из рассчитанных для профиля V2, до значений аналогичных таймингов, рассчитанных для профиля V1.

Есть основные тайминги: tCL, tRCDWR, tRCDRD, tRP, tRAS и CL. Их сначала не трогаем. Остальные тайминги устанавливаем в значения, рассчитанные для V1. Проверяем работоспособность компьютера. Если компьютер работает корректно, меняем по одному указанные выше тайминги и проверяем каждый раз работоспособность. В случае, если работоспособность оказалась нарушена, откатываемся на шаг назад.

Опытным путём выясняем, что тайминги для профиля V1 работоспособны с отличием всего в одном параметре: значение tRP — вместо 14 должно равняться 15. Именно к настройкам, рассчитанным для профиля V1, следует стремиться максимально приблизиться — они наиболее интересны в плане производительности, в то время как тайминги для профиля V2 — скорее усреднённые, более безопасные.

Скриншоты с выполненными настройками:

Теперь вы знаете как понизить латентность памяти, сделаем ещё немного тестов.

6. Проверка табильности

После завершения настройки параметров памяти конечно же необходимо протестировать стабильность её работы. Для этого можно использовать Тест стабильности системы утилиты AIDA64, его составляющие:

  • Stress CPU;
  • Stress FPU;
  • Stress cache;
  • Stress system memory.

Нажимаем кнопку Start. Тест пройдён не был.

Перезапускаем компьютер, заходим в настройки BIOS и повышаем параметр напряжения DRAM Voltage до 1,36 В.

Сохраняем настройки BIOS и перезагружаемся. Вновь запускаем Тест стабильности системы утилиты AIDA64. Тест вновь завершён с ошибкой.

Опять в настройках BIOS немного повышаем значение параметра DRAM Voltage, но не выше чем максимальное возможное для ваших чипов памяти. В данном случае до 1,39 В, опять перезагружаемся и запускаем тест.

Опять ошибка. После этого перезагружаем компьютер и немного увеличиваем в настройках BIOS значения для таймингов tRCDWR и tRCDRD, например:

Перезагружаемся и запускаем тот же тест. Стресс-тест выполнялся 7 минут, ошибок обнаружено не было. Далее попробуем снизить значение параметра напряжения питания памяти DRAM Voltage, например, к значению 1,34 В.

Перезагрузка и выполнение теста. Процесс длился 7 минут, ошибок не было.

7. Тестирование после снижения латентности

После выполнения всех тестов необходимо оценить результаты выполнения всех настроек функционирования оперативной памяти для снижения задержек чтобы понять насколько снизилась латентность оперативной памяти для Ryzen Для этого выполним вновь Тест кэша и памяти утилиты AIDA64:

Кроме этого выполним ещё и тест MEMbench (MEMbench mode: Easy) утилиты DRAM Calculator for Ryzen:

Для сравнения с другими процессорами можно дополнительно выполнить тест Задержка памяти утилиты AIDA64:

Сравним полученный уровень латентности памяти до и после подбора таймингов.

До:

  • AIDA 64: 79,7 нс;
  • Ryzen DRAM Calculator MEMbench: 102,6 нс.

После:

  • AIDA 64: 72,6 нс;
  • Ryzen DRAM Calculator MEMbench: 92,1 нс.

Наглядно это видно на скриншоте:

Итак, по данным утилиты AIDA64 нам удалось уменьшить латентность памяти Ryzen на 8,91 %, а по данным утилиты DRAM Calculator for Ryzen — на 10,23 %.

В тесте Задержка памяти утилиты AIDA64 наш процессор AMD Ryzen 7 2700 по латентности оперативной памяти обошёл занесённый в базу процессор AMD Ryzen 7 2700X и почти догнал Intel Core i7-5820K.

Выводы

Сегодня на практике мы изучили такое понятие, как латентность памяти для Ryzen. Фактически был построен новый профиль XMP для использованных нами конкретных модулей памяти. Используя эту инструкцию, вы также можете понизить латентность оперативной памяти DDR4 для Ryzen на своем компьютере, если желаете иметь максимальную отзывчивость системы. Также данная инструкция будет полезна тем, кто уже разогнал память по параметру частоты. В таком случае дальнейший рост производительности возможен только при снижении уровня латентности памяти (уменьшении таймингов памяти).

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Что такое задержка CAS в ОЗУ? Разъяснение таймингов CL

(Изображение предоставлено MaIII Themd / Shutterstock)

При покупке RAM вы увидите списки их таймингов, такие как CL16-18-18-38 или CL14-14-14-34 или CL 16-18- 18-36. Это число после «CL» представляет собой задержку CAS комплекта RAM, иногда называемую CL. Но что на самом деле означает задержка CAS? И как влияет задержка CAS комплекта RAM на его производительность?

Чем меньше задержка CAS, тем лучше

Задержка CAS модуля RAM (строб или сигнал адреса столбца) — это количество тактовых циклов, которое требуется модулю RAM для доступа к определенному набору данных в одном из своих столбцов (следовательно, имя) и сделать эти данные доступными на своих выходных контактах, начиная с того момента, когда контроллер памяти сообщает ему об этом.Другой способ представить это — сколько тактов ОЗУ требуется ОЗУ для вывода данных, запрашиваемых ЦП. Комплекту RAM с CAS 16 требуется 16 тактов RAM для выполнения этой задачи. Чем меньше задержка CAS, тем лучше.

Задержка CAS может быть определена по-разному. Набор RAM с задержкой CAS 16, например, может быть описан как CAS 16 или CL16 или как имеющий тайминги CAS 16.

В листинге набора RAM на Newegg.com указано, что задержка CAS составляет 18.(Изображение предоставлено Newegg)

Важно отметить, что два разных комплекта RAM с одинаковой скоростью передачи данных, например DDR4-3200, могут иметь разные тайминги CAS. Возьмем, к примеру, Team Group Delta Tuf Gaming RGB DDR4-3200 и G.Skill Trident Z Royal DDR4-3200. Оба они имеют скорость передачи данных DDR4-3200. Однако их тайминги CAS различны: CL16-18-18-38 (CAS 16) и CL14-14-14-34 (CAS 14) соответственно.

На этикетке этого набора RAM указано, что это комплект C18. (Изображение предоставлено Tom’s Hardware) Скорость ОЗУ

vs.Задержка ОЗУ

Хотя скорость передачи данных ОЗУ говорит вам, сколько мегапередач (1000000 передач данных) ОЗУ может выполнить за одну секунду (ОЗУ DDR4-3200 может выполнить 3200 мегапередач за 1 секунду), ее задержка CAS также важна для понимания производительности RAM.

Задержка CAS сообщает вам общее количество циклов, которые требуется ОЗУ для отправки данных, но вы также должны учитывать продолжительность каждого цикла, чтобы лучше понять общую задержку этой ОЗУ.

Хотя оперативная память DDR4 является более новой, имеет лучшую плотность хранения и энергоэффективность, чем оперативная память DDR3, она, как правило, имеет более высокую задержку CAS.ОЗУ DDR3 обычно имеет задержку CAS 9 или 10, в то время как DDR4 будет иметь задержку CAS не менее 15. Однако из-за более высоких тактовых частот новый стандарт имеет лучшую производительность в целом.

Эта статья является частью Tom’s Hardware Glossary .

Дополнительная литература:

.

Что такое тайминги памяти? Задержка CAS, tRCD, tRP и tRAS (Pt 1) | ГеймерыNexus

Что такое тайминги памяти?

Во-первых, основы. В то время как частота памяти измеряется в герцах или циклах в секунду, единицей измерения таймингов памяти являются простые циклы. Чтобы преобразовать тактовые циклы в измерение времени, необходимо знать частоту памяти. Это указано в МГц или в единицах 1 000 000 Гц. Память 3200 МГц имеет тактовую частоту 3 200 000 000 циклов в секунду, поэтому время завершения цикла должно составлять (1/3 200 000 000) секунд.Однако современная память — это DDR (двойная скорость передачи данных), что означает, что данные передаются по нарастающему и спадающему фронту каждого тактового сигнала, поэтому объявленные частоты в два раза превышают реальную тактовую частоту. Вот почему, когда вы устанавливаете память на 3200 МГц в BIOS, CPU-Z покажет 1600 МГц. Следовательно, время действительно составляет (1 / (3 200 000 000/2)) секунд. Если память в нашем примере имеет синхронизацию CL, равную 16 тактовым циклам, это переводится в (16 * (1 / (3,200,000,000 / 2))) секунд, или 0,000000001 секунды, или 10 наносекунд.

Уравнение (1 / (объявленная частота / 2)) * время в циклах = время в секундах.Для комплекта DDR3-1600 CL 9 соответствует 11,25 нс, что на самом деле медленнее, чем в нашем предыдущем примере. Задержки с годами постепенно увеличивались с увеличением физического расстояния, на которое сигналы должны проходить (скорость света — жесткий предел), но частота также увеличилась, и, следовательно, производительность все еще улучшилась. Частота очень важна, но это всего лишь один элемент производительности, как и в случае с процессорами.

Существует много-много разных таймингов, но они имеют дело с довольно небольшим списком команд: когда они могут быть выполнены, сколько времени требуется для их выполнения, сколько циклов проходит до ответа.Вот таблица команд DDR4, скопированная из Википедии:

Важными сигналами из верхнего ряда являются ACT (активировать), RAS (строб доступа к строке), CAS (строб доступа к столбцу) и WE (разрешить запись). RAS и CAS часто называют просто адресами столбцов и строк, потому что на самом деле они не являются стробоскопами; терминология — пережиток. Это сигналы Active-Low, поэтому они могут быть H (igh) или L (ow), 1 или 0. Вместе они образуют четырехбитный код, который определяет команду, которая должна быть выполнена. Сигналы немного изменились с годами, но по большей части DDR4 имеет тот же список команд, что и SDRAM, и, следовательно, многие из тех же таймингов.Чтобы получить некоторую справочную информацию о таких вещах, как банки, строки и столбцы, эта почтенная статья 2010 года от Anandtech представляет собой хороший обзор того, что такое SDRAM на самом деле и как она работает.

Для этого следующего раздела мы создали собственную анимацию, которую можно найти в нашем встроенном видео. Это может помочь лучше понять приведенные ниже определения.

Активировать : открывает ряд банка. Строка должна быть активной для чтения и записи данных. Если строка неактивна, она простаивает, а если строка активирована, она остается такой до тех пор, пока не поступит команда предварительной зарядки.

Precharge : закрывает открытую строку в одном или всех банках (две отдельные команды), переводя их в состояние ожидания. Данные по-прежнему хранятся в неактивных банках, но их необходимо снова активировать перед чтением или записью.

Чтение и запись : не требует пояснений. С помощью этих команд можно установить флаг автоматической предварительной зарядки для автоматической предварительной зарядки ряда по завершении.

Калибровка ZQ : компенсирует изменение температуры / напряжения. Это может быть повторяющаяся команда, но не настолько часто, чтобы для нас были важны соответствующие сроки.

Refresh : обновляет заряд в ячейках памяти, записывая данные на место без их изменения. DRAM — это энергозависимая память, что означает, что для хранения данных требуется питание: биты представлены зарядами конденсаторов, которые со временем протекают, если они не читаются или не записываются. Мы поговорим об этом подробнее в следующей статье: ищите tREFI и tRFC. Перед обновлением все банки должны быть свободны (предварительно заряжены).

Тайминги обычно делятся на три категории: первичный, вторичный и третичный.Первичный — самый широкий, номинальные настройки указаны на коробке (например, 16-16-16-32 2T), и они обычно регулируются в BIOS. Вторичные — это неосновные тайминги, которые могут быть дополнительно установлены в SPD (см. Следующий раздел). К ним относятся: tWR, tRFC, tRDD_L, tRDD_S, tWTR_L, tWTR_S, tRTP, tFAW и tCWL. Их имена и определения будут рассмотрены в следующей статье. Третичный — это универсальная категория для всего остального, и это глубокая кроличья нора — независимо от того, отображаются ли эти настройки в BIOS или нет, сильно зависит от качества материнской платы, а значения варьируются в зависимости от отдельной оперативной памяти, процессора и материнской платы.Мы расскажем об этом подробнее в другой статье.

Разъяснение SPD и XMP

Последний абзац требует дополнительных пояснений. Каждая карта RAM содержит информацию, запеченную в EEPROM (электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство), включая некоторые безопасные профили синхронизации / частоты — их можно просмотреть на вкладке SPD CPU-Z под заголовком JEDEC.

JEDEC (Объединенный совет по проектированию электронных устройств) Solid State Technology Association — организация, которая публикует стандарты для DDR4, DDR5, SSD, мобильной памяти, ESD, GDDR6 и других.Они отвечают за стандартизацию и определение всего в этой статье, от сокращений до всей концепции DDR4. В рамках этого JEDEC публикует таблицы базовых таймингов для различных типов RAM, некоторые из которых сохраняются в SPD. Производители памяти технически производят строго определенные JEDEC разновидности ОЗУ, такие как DDR3 1600 МГц 11-11-11-28, но могут сделать их способными к более высоким скоростям и продавать их как таковые. Например, Corsair продает память 4600 МГц, что на момент написания этой статьи является более высокой скоростью, чем JEDEC определил для DDR4.Когда вновь созданная система включается в первый раз, плата проверяет SPD и по умолчанию выбирает лучший набор этих медленных, но безопасных скоростей, утвержденных JEDEC.

XMP — это расширение SPD. XMP или eXtreme Memory Profiles — это высокопроизводительные спецификации, которые застряли в оставшемся пространстве EEPROM. По сути, это то же самое, что профили JEDEC, но они оптимизированы производителем памяти. XMP содержит настройки, которые, по словам производителя памяти, вероятно, будут работать, но могут не поддерживаться в зависимости от качества процессора IMC или SOC и других компонентов.Для оперативной памяти энтузиастов заявленные скорости обычно достигаются только путем применения XMP.

XMP технически является термином Intel и стандартом Intel, но «экстремальный профиль памяти» — это буквально просто список чисел, которые могут быть прочитаны любой системой (если это позволяет плата). Например, DOCP и EOCP на платах AMD — это просто общие имена для XMP. «Профиль XMP» является избыточным, но просто помните: никого не волнует, включая Intel, иначе они правильно сократили «крайний».

Ни SPD, ни XMP не содержат всех таймингов.По словам представителя Kingston: «Мы настраиваем только« основные »тайминги (CL, RCD, RP, RAS). Остальные сроки оставлены в соответствии с рекомендациями JEDEC, скорее всего, для MRC ». Что касается некоторых конкретных субтитров, о которых мы спрашивали, «поскольку они не входят в SPD (или XMP), мы не можем их изменить, даже если нам нужно». Это соответствует нашему опыту в разделе «Воздействие в реальном мире» данной статьи. Даже если производители памяти хотели бы пойти глубже, существует конкретный и ограниченный список записей SPD.

Если вы читаете эти статьи, потому что хотите узнать, настраивать ли память, ответ для большинства обычных пользователей — «нет, определенно нет.«Мы проделали большую настройку памяти для наших потоков #RIPLTT, и для набора оптимального времени может потребоваться день (или больше), и даже у них могут быть случайные ошибки памяти. Включение XMP и прекращение его использования обычно работает достаточно хорошо. Настройка памяти — это прерогатива оверклокеров, энтузиастов аппаратного обеспечения и людей, у которых много свободного времени, но она не стоит того для пользователей, которым просто нужно что-то с минимальными усилиями. XMP покроет этот лагерь.

Что такое тренировка памяти и как тренировать память?

Итак, если говорить об этом, RAM не устанавливает собственную частоту и тайминги — это делает BIOS с SPD / XMP в качестве отправной точки.На платах Intel этот элемент BIOS называется MRC. Это одна из областей, где производители плат могут обеспечить преимущество в производительности, потому что огромное разнообразие оперативной памяти и различия между чипами Samsung, Micron и Hynix делают третичные тайминги ужасно сложными для настройки. Производители модулей памяти и плат могут работать вместе, чтобы установить оптимальные тайминги для популярных комплектов, но по большей части они определяются (если оставить их в автоматическом режиме) во время POST, где они должны оставаться неизменными, если не произойдет сбоев загрузки.

Тренировка памяти может показаться обычным оверклокерам черным искусством, когда оперативную память можно волшебным образом «взломать», неоднократно вызывая сбои загрузки, пока нестабильный OC не станет достаточно стабильным для тестов. На самом деле происходит то, что IMC пробует различные настройки, пытаясь стабилизировать систему (не все из них — тайминги). Со стороны пользователя это может казаться попыткой решить головоломку, встряхивая коробку, но это работает. Это важный момент даже для тех, кто не занимается оверклокингом: если память нестабильна с XMP, позвольте системе несколько раз перезагрузиться, прежде чем сдаваться.

Влияние таймингов памяти нижнего уровня на реальный мир

В разных наборах используются разные стандарты JEDEC, поэтому загружаются разные субтиминги. Это проблема, с которой мы сталкивались раньше: у нас было два набора, одинаковых по частоте и емкости, но с разными задержками; однако комплект Corsair 16-18-18-36 в какой-то степени превосходил комплект 14-14-14-34 G.SKILL в тестах. После обсуждения этого вопроса с обоими производителями выяснилось, что карты памяти Corsair были двусторонними с группами микросхем 512 МБ x 8 (микросхемы памяти), а карты G.SKILL были односторонними с группами микросхем 1GBx8.

512MBx8 — это более старый стиль, поэтому он фактически имеет более жесткие субтитры, определенные JEDEC (см. «Что такое тайминги?»). Самым большим виновником в этом случае был tRFC, или время цикла обновления. Мы рассмотрим полное определение этого во второй части, но сейчас важно то, что значение, установленное JEDEC для типа комплектов Corsair, было 416 и 560 для G.SKILL. Когда мы уменьшили значение tRFC набора G.SKILL, чтобы оно соответствовало показателям Corsair без каких-либо других корректировок, оно вырвалось вперед по производительности и оставалось стабильным, как показано в результатах Ashes of the Singularity ниже:

Это крайний случай, но он показывает как ценность экспериментов с субтимингом, так и разочарование при тестировании памяти.Если бы на плате ASUS был набор оптимизированных таймингов для этого конкретного набора G.SKILL, он с самого начала работал бы лучше, чем комплект Corsair.

Первичные тайминги: tCL / tCAS, tRCD, tRP и tRAS, объяснение

После всего этого пора поговорить об основном наборе таймингов. В любом списке продуктов, коробках или накопителях ОЗУ тайминги будут указаны в формате tCL-tRCD-tRP-tRAS, иногда с указанием CR.

Задержка CAS (tCL / tCAS):

Википедия: «Количество циклов между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответ.Это количество циклов, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM с уже открытой нужной строкой. В отличие от других чисел, это не максимум, а точное число, которое должно быть согласовано между контроллером памяти и памятью ».

CAS Latency — это наиболее обсуждаемая и сравниваемая синхронизация памяти. Синхронизация CL — это точное число, базовое время, необходимое для получения ответа из памяти в наилучшем сценарии, описанном выше, называемом «попадание страницы».»Остальные первичные тайминги (кроме командной скорости) минимальны. Важно помнить, что, хотя мы будем говорить о том, как эти тайминги связаны с чтением данных из памяти, они влияют только на одну вещь.

Задержка RAS в CAS (tRCD):

Википедия: «Минимальное количество тактов, необходимое для открытия строки памяти и доступа к ее столбцам. Время для чтения первого бита памяти из DRAM без активной строки — tRCD + CL ».

RAS to CAS — это одна из возможных задержек чтения / записи.tRCD — это количество тактов, необходимое для открытия строки и доступа к столбцу. Если запрос данных сделан при отсутствии открытых строк, что называется «промахом страницы», то ЦП получит в ответ первый бит данных не менее tRCD + CL тактов.

Время предварительной зарядки ряда (tRP):

Википедия: «Минимальное количество тактов, необходимое между выдачей команды предварительной зарядки и открытием следующей строки. Время, чтобы прочитать первый бит памяти из DRAM с неправильной открытой строкой, составляет tRP + tRCD + CL.”

Если открыта не та строка («пропущенная страница»), ее нужно закрыть (предварительно зарядить), затем открыть следующую, а затем получить доступ к столбцу в строке. Следовательно, это требует времени tRP + tRCD + CL.

Время активности строки (tRAS):

Википедия: «Минимальное количество тактов, необходимое между активной командой строки и выдачей команды предварительной зарядки. Это время, необходимое для внутреннего обновления строки и перекрывается с tRCD. В модулях SDRAM это просто tRCD + CL.В противном случае приблизительно равно tRCD + 2 × CL ».

Также известен как «Активировать для задержки предварительной зарядки» или «Минимальное время активности RAS». Первое уравнение (для SDRAM) является здесь релевантным, но его должно быть больше. Мы видели несколько различных «истинных» способов вычисления tRAS, но, учитывая сложность операций с памятью, старый добрый метод проб и ошибок остается самым простым. Например, мы каким-то образом загрузились с памятью на 16-16-16-26, и это не имеет никакого смысла ни по каким правилам.

Командная скорость (CR / CMD / CPC / tCPD):

драм: количество циклов между выбором микросхемы DRAM и выполнением команды.2T CR может быть очень полезным для стабильности с высокими тактовыми частотами памяти или для конфигураций с 4 модулями DIMM.

Также известен как командный период. Это будет либо 1T, либо 2T для современной памяти, при этом 1T быстрее. Несмотря на уникальное обозначение -T, это измеряется в тактах, как и другие тайминги. Обычно разница в производительности между двумя вариантами очень мала.

Заключение части 1

Это все, что касается основ, но есть еще много других моментов, которые нужно определить и объяснить.Вернитесь к части 2, где мы исследуем вторичные и третичные тайминги памяти DDR4.

Если что-либо из этого было бы лучше с помощью наглядного пособия, попробуйте наше встроенное видео (выше) для анимированного пошагового руководства, как работают некоторые обращения к памяти. Скоро мы вернемся к второстепенным и высшим учебным заведениям.

Редакция, исследование: Патрик Латан
Ведущий: Стив Берк
Видео: Эндрю Коулман

.

Выбор оперативной памяти: что такое задержка CAS и когда это имеет значение?

Выбор ОЗУ может быть сложной задачей, поскольку это решение может существенно повлиять на ваше взаимодействие с пользователем. Сколько вкладок браузера можно оставить открытыми, сколько слоев можно открыть в Photoshop и как быстро будет загружаться игра? На все это напрямую влияет ваш выбор оперативной памяти.

Как работает RAM?

Возьмем для сравнения оживленную магистраль. Количество RAM-накопителей похоже на количество полос на дороге: чем больше у вас модулей RAM, тем больше у вас полос и тем больше машин дорога может вместить в данный момент времени.

Размер вашей оперативной памяти, по этой аналогии, будет равен тому, сколько автомобилей может вместить каждая полоса движения. А скорость вашей оперативной памяти подобна знаку ограничения скорости, вывешенному на шоссе.

Следовательно, карта памяти объемом 8 ГБ с тактовой частотой 2666 МГц может обрабатывать 8 ГБ данных в данный момент времени, а 2666 МГц — это скорость, с которой будет обрабатываться информация.

Вот почему увеличение объема оперативной памяти не обязательно сделает ваш компьютер быстрее: вы добавляете больше полос на дороге и увеличиваете вместимость автомобиля, а не увеличиваете ограничение скорости.Добавление большего объема оперативной памяти может быть полезно для пользователей в определенных ситуациях, требующих оперативной памяти (пользователи Chrome с большим количеством вкладок, пользователи программ 3D-рендеринга / моделирования и недавние консоли — например, PS3, Wii U — пользователи эмуляции), но увеличение объема оперативной памяти почти никогда не является решением почему компьютер не запускает игру с желаемым уровнем производительности.

Как определить задержку RAM?

Вот где на помощь приходит CAS. Чтобы понять, насколько быстро ваша оперативная память, вы должны посмотреть на ее синхронизацию.Он будет указан рядом с ОЗУ с номерами, представленными в следующем формате: 15-16-16-35.

Первый столбец представляет задержку CAS , также известную как «Строб доступа к столбцу». Это количество тактов, которые проходят между тем, когда дана инструкция, и когда информация становится доступной. Если вы скажете кому-то «пригнуться!», Задержка CAS будет задержкой между моментом, когда вы прикажете ему пригнуться, и реакцией другого человека.

Но CAS не существует в вакууме и должен быть помещен в формулу вместе с другими спецификациями, чтобы определить истинную задержку вашей оперативной памяти.

Чтобы вычислить истинную задержку вашей оперативной памяти в наносекундах, используйте следующую формулу:

(задержка CAS / тактовая частота RAM) x 2000 = задержка в наносекундах

Если у вас CAS 15 и тактовая частота 2400 МГц, это будет ваша истинная задержка:

(15/2400) x 2000 = 12,5 наносекунд

Если у вас CAS 17 и тактовая частота 2666 МГц, это будет ваша истинная задержка:

(17/2666) х 2000 = 12.75 наносекунд

Таким образом, более высокие тайминги CAS могут привести к более высокой задержке даже при более высоких тактовых частотах. Однако , только потому, что RAM DDR4-2400 имеет более низкую истинную задержку, чем DDR4-2666, это не обязательно означает, что она в целом быстрее, чем RAM DDR4-2666. Как мы уже отмечали в этом блоге в прошлом, более высокая скорость ОЗУ в настоящее время всегда превосходит более низкую задержку .

Вот почему сравнение задержки CAS между RAM с одинаковой тактовой частотой — это то место, где CAS имеет наибольшее значение. Накопитель с ОЗУ DDR4-3600 с CAS 15 имеет истинную задержку 8,33 наносекунды, а накопитель того же размера с CAS 19 имеет задержку 10,56 наносекунды. В этом случае RAM DDR4-3600 с CAS 15 объективно лучше, чем RAM DDR4-3600 с CAS 19.

Как выбрать RAM?

Материнские платы и процессоры

рассчитаны на максимальный объем и скорость оперативной памяти, с которыми они могут работать. Если ваша материнская плата и процессор рассчитаны только на 3600 МГц, вам следует покупать или разгонять ОЗУ только до 3600 МГц.Однако беглое прочтение покажет, что доступно более сотен вариантов оперативной памяти 3600 МГц. Если вы сузите его до размера ОЗУ, возможно, до 16 ГБ (2 x 8 ГБ), у вас все равно будет несколько десятков вариантов. Вот где CAS (и стоимость) вступает в силу.

Для 16 ГБ ОЗУ на частоте 3600 МГц вы найдете варианты в диапазоне от задержки CAS от 15 до 19. Вы также обнаружите, что цена находится в диапазоне почти 100 долларов США, и эта разница тесно связана с задержкой CAS. Например, G.Skill Ripjaws V DDR4-3600 с CAS 19 стоит около 130 долларов. Для сравнения, G.Skill TridentZ DDR4-3600 с CAS 15 стоит примерно 230 долларов. Чем ниже CAS, тем быстрее ОЗУ и, следовательно, дороже.

При выборе RAM с разной тактовой частотой лучше RAM с более высокой тактовой частотой; но при выборе между ОЗУ с одинаковой тактовой частотой ОЗУ с более низкой задержкой CAS работает быстрее. Здесь ограничения вашего бюджета должны вступить в битву с вашим стремлением к скорости (а также любыми эстетическими соображениями, такими как освещение RGB).

При работе в наносекундах разница может показаться несущественной — и, конечно, можно утверждать, что для среднего пользователя разница между CAS 15 и CAS 19 не стоит больших денег. Но при выборе между вариантами ОЗУ в рамках бюджета вы должны выбрать самый низкий CAS с заданной скоростью для лучшей производительности.

.

Память ПК 101: понимание частоты и времени — Tom’s Hardware

(Изображение предоставлено Shutterstock)

Покупка памяти может быть легким процессом для тех, кто не хочет много думать об этом. Упрощенный процесс сводится к выбору емкости, которую вы хотите, и принятию всего, что кто-то хочет продать вам, будь то через онлайн-конфигуратор или продавец в магазине. И если вам нужна помощь в определении необходимого объема оперативной памяти, мы можем помочь и в этом вопросе.Но если коротко, то для большинства пользователей и геймеров оптимальным выбором будет 16 ГБ.

Но Tom’s Hardware всегда стремился к достижению высочайшей производительности, но при этом учитывал ценность — вот почему мы разгоняемся. Что касается памяти, именно поэтому мы часто рекомендуем комплекты от реселлеров с добавленной стоимостью (VARS), таких как Patriot, G.Skill, Adata и других, которые хотят, чтобы вы выбирали их продукт по лучшему соотношению цены и качества. Вы можете найти наши любимые комплекты оперативной памяти на нашей странице Best Memory и прочитать наши подробные обзоры, чтобы увидеть результаты наших тестов и то, как мы решаем, какие флешки являются лучшими.

Но для тех, кто раньше не покупал память или не делал этого после того, как прекратились устойчивые скачки цен последних нескольких лет, понимание основ памяти является ключом к пониманию того, что искать в комплекте. Эти ключевые термины также помогут вам понять, почему одна модель работает лучше или хуже другой, даже если обе они имеют одинаковую емкость и заявленные тактовые частоты.

Назад к основам

(Изображение предоставлено Corsair)

Сегодня мы сосредоточимся на DDR4, потому что именно там отрасль стандартизировалась за последние четыре или пять лет.Большинство терминов, которые мы используем сегодня, также применимы к предыдущим поколениям памяти. Но если вы не работаете с системой, которой уже несколько лет, вы, вероятно, будете иметь дело с DDR4.

  • DIMM обозначает модуль памяти с двумя встроенными модулями памяти: современные модули DIMM имеют два 64-разрядных интерфейса, по одному с каждой стороны, и обычно продаются либо как модули UDIMM (также известные как модули DIMM, длинные модули DIMM и т. Модули DIMM) для ноутбуков. Некоторые компактные системные платы для настольных ПК используют модули SODIMM, как правило (но не исключительно), чтобы освободить место для четырех модулей в конструкции материнской платы, которая в противном случае могла бы поддерживать только два.
  • SDRAM означает синхронную динамическую память с произвольным доступом. Организованная в виде строк и столбцов ячеек аналогично электронной таблице (или очень большой таблице), оперативная память может получить доступ к любой из этих ячеек в любом порядке, указанном контроллером памяти. Random просто означает, что контроллеру памяти не нужно читать всю строку, чтобы проанализировать данные из соответствующего столбца. Динамический означает, что каждая из ячеек должна постоянно обновляться, чтобы предотвратить потерю данных, в отличие от статической памяти, которая обычно работает намного медленнее.Вся память в системе синхронизируется внешним тактовым генератором.
  • Скорость передачи данных — это количество раз в секунду (частота), которое модуль отправляет и принимает данные. Тактовые сигналы напоминают прямоугольную волну, а двойная скорость передачи данных просто означает, что данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту синхросигнала. Удвоение скорости передачи данных таким образом позволяет (например) волне 1600 МГц передавать данные 3200 раз в секунду. Поскольку частота данных DDR вдвое превышает тактовую частоту, ее часто называют термином MT / s (мегапередачи в секунду).
  • DDR4 — это четвертое поколение памяти с двойной скоростью передачи данных, в котором каждое поколение добавляет частоту, емкость и некоторые другие характеристики к базовому стандарту.
  • IC , или интегральная схема, — это термин, обозначающий то, что большинство конечных пользователей называют «микросхемами». ИС DRAM обычно имеет восьмибитный интерфейс, хотя некоторые имеют 16-битные интерфейсы.
  • Рейтинг — это термин, выбранный индустрией памяти для обозначения того, что большинство из нас считает банками или сторонами модуля памяти.Согласно приведенному выше термину «DIMM», ранг — это набор ИС, которые подключаются к одному из двух 64-битных интерфейсов модуля.

Скорость передачи данных: быстрее (обычно) лучше

Неудивительно, что более высокая скорость передачи данных позволяет передавать больше данных за единицу времени, но есть ограничения на то, что может поддерживать контроллер памяти. Большинство современных высокопроизводительных процессоров для настольных ПК могут работать с DDR4-3600, а некоторые ограничения скорости искусственно налагаются для обеспечения сегментации рынка — это означает, что такая компания, как Intel, хочет, чтобы вы потратили больше на разблокированный процессор серии K (и материнская плата более высокого класса), если вам нужна более быстрая память.

  • Процессоры AMD Ryzen серии 3000 могут работать с памятью быстрее, чем DDR4-3600, но компания закодировала ограничения в базовую прошивку, которые заставляют контроллер памяти работать на половинной скорости, а другие части ввода-вывода ЦП работают на более низкий коэффициент при превышении DDR4-3600. Наш первоначальный обзор G.Skill Trident Z RGB DDR4-3600 показал, что производительность упала при установке DDR4-3733 в качестве ограничений контроллера AMD по умолчанию, которые уменьшили эти соотношения, но повторное тестирование показало, что производительность улучшилась на DDR4-3733, когда эти ограничения были отключены.
  • Более ранние процессоры серии Ryzen 2000 обычно могли принимать по крайней мере DDR4-3467 без сбоев, но более высокие частоты вызывают шум (часто в виде перекрестных помех сигналов) и пути между сокетом ЦП и модулями DIMM некоторых плат. не справлялись с задачей. Если вы используете процессор младшей модели или что-то меньшее, чем материнская плата X470, мы рекомендуем ознакомиться с выводами других пользователей, прежде чем покупать что-либо быстрее, чем DDR4-2933.
  • Процессоры Intel LGA 1151 имеют контроллеры памяти, которые стабильны далеко за пределами DDR4-3600, но фирма нашла способ получить наборы микросхем , отличные от Z-серии, , чтобы инструктировать любой ЦП (даже K-серии) заблокировать из более высоких коэффициентов.Мы также столкнулись с коэффициентом блокировки прошивки выше, чем DDR4-2400, при использовании Core i3-8350K на Z370, который мы использовали в качестве базового в нашем первоначальном обзоре h470 / B360. Самый простой способ превзойти DDR4-2666 на любом из этих аппаратных средств — использовать набор микросхем серии Z (Z390, Z370, Z270) с процессором Core i5 серии K или выше.
  • Контроллер памяти Intel работает на частоте 100 или 133 МГц, обеспечивая частоту, кратную 200 или 266,6 МГц, в целочисленных соотношениях. Меньшие множители памяти, как правило, более стабильны, особенно на старых платформах, таких как Z270, таким образом, DDR4-3467 (13x 266.6 МГц) может быть более стабильным, чем DDR4-3400 (17x 200 МГц), но при этом работать лучше.

Короче говоря, процессор Ryzen серии 3000 должен полностью поддерживать DDR4-3600, если нет проблем, связанных с материнской платой, процессор Core i5 или Core i7 серии K должен обрабатывать DDR4-3600 при правильной установке разработанная материнская плата Z390 или Z370, и любые вопросы, касающиеся возможностей конкретной материнской платы, следует задавать в обзорах или на форумах пользователей. У меньших плат и чипсетов могут быть меньшие ограничения, которые также обсуждаются в обзорах материнских плат и на форумах пользователей.

Но, может быть, вам лучше выбрать что-нибудь с меньшей задержкой?

Задержка: чем ниже, тем лучше

(Изображение предоставлено: Tom’s Hardware)

Задержка — это время, необходимое для запуска любой операции с памятью, и то, что этот показатель не изменился, может стать шоком для непосвященных. в десятилетия: как обычная карта памяти PC-100, так и рядовой набор DDR4-3200 имеют задержку CAS 10 нс. Но как это возможно? Понимая, что ячейки памяти расположены в столбцах и строках, давайте рассмотрим, как определяются первичные тайминги:

  • CAS (строб адреса столбца): количество тактов, необходимых для доступа к данным в новом столбце, когда правильная строка уже открыт.
  • tRCD (задержка от RAS к CAS): минимальное количество тактов, в течение которых контроллер памяти должен ждать открытия новой строки.
  • tRP (предварительная зарядка строк): минимальное количество тактовых циклов, в течение которых контроллер памяти должен ждать закрытия текущей строки.
  • tRAS (Время активности строки): минимальное количество тактов, в течение которых контроллер памяти должен ждать между открытием и закрытием строки.
  • CMD (Command Rate): количество циклов, в течение которых инструкция должна быть представлена, чтобы гарантировать, что она будет прочитана памятью.Типичные значения — 1Т и 2Т.

Предположим, что нужная строка памяти уже открыта, CAS — это время, необходимое для доступа к следующему биту памяти. Если все строки закрыты, для доступа к ячейке необходимо сначала открыть строку, а затем найти правильный столбец (tRCD + tCAS). Если открыта неправильная строка, для доступа к ячейке памяти требуется закрыть текущую строку, открыть правильную строку и найти правильный столбец в новой строке (tRAS + tRCD + tCAS). Наконец, когда частота команд увеличивается с 1T до 2T, для каждой команды памяти требуется дополнительный тактовый цикл.

Мы начали со слова «время», но говорили исключительно о тактовых циклах, потому что задержка измеряется во времени, а указывает в тактовых циклах. И это подводит нас к вопросу о том, как PC-100 и DDR4-3200 могут иметь одинаковую задержку: тактовый цикл 100 МГц занимает 10 нс (десять наносекунд), так что PC-100 CAS 1 требовал минимум 10 нс для доступа к данным. Между тем, DDR4-3200 работает на частоте 1600 МГц, а цикл 1600 МГц занимает всего 0,625 нс. Это означает, что DDR4-3200 CAS 16 занимает минимум шестнадцать раз 0.625 нс для доступа к данным, что по-прежнему составляет 10 нс.

Поскольку время тактового цикла обратно пропорционально частоте, чем быстрее память, тем больше тактов требуется для достижения нашего среднего стандарта, 10 нс. DDR4-3600 делает это за 18 циклов. DDR4-4000 делает это за 20 циклов. Сокращение времени доступа ниже этого стандарта требует меньшего количества циклов задержки на частоту, так что DDR4-3200 C14 (8,75 нс) и DDR4-3600 C16 (8,89 нс) превосходят наш средний стандарт.

Ранги: уменьшение задержки за счет избыточности

Для ЦП ожидание завершения каждой записи или чтения перед запуском следующей могло бы значительно замедлить процесс.Чередование — это метод, позволяющий запускать одну команду, пока другая завершается. Пользователи могут помочь своим процессорам сделать это, увеличив количество рангов на канал с одного до двух. Этого можно добиться, установив два одноранговых модуля DIMM или один двухранговый модуль памяти DIMM в каждый канал.

  • В большей части памяти, произведенной с 2017 года по сегодняшний день, используются микросхемы 8 ГБ (восемь гигабит).
  • Большинство микросхем памяти имеют восьмибитный интерфейс.
  • Восемь 8-битных ИС могут использоваться для заполнения одного 64-битного ранга.
  • Общая емкость восьми ИС 8 Гбайт составляет 8 Гбайт (восемь гигабайт).
  • Таким образом, большинство комплектов памяти 32 ГБ имеют четыре уровня.

Четыре ранга решают задачу размещения двух рангов на канал на двухканальной материнской плате, но мы видим несколько «большинства» в приведенной выше математике. А как насчет исключений?

  • Спрос на микросхемы емкостью 16 Гбайт в настоящее время слишком высок для компаний, чтобы тратить их на производство одноранговых модулей 16 Гбайт. Модули 16 ГБ вместо этого изготавливаются с использованием двух классов микросхем 8 ГБ, как упоминалось выше.
  • Потребительские модули емкостью 32 Гбайт используют два ряда по 16 Гбайт ИС, поэтому два модуля DIMM по 32 Гбайт составляют двухканальный комплект емкостью 64 Гбайт с четырьмя рядами.
  • Текущие модули 4 ГБ в основном используют четыре ИС 8 ГБ, каждая из которых имеет 16-разрядный интерфейс. Четыре из них понадобятся для создания четырех рангов.
  • Старые ИС на 4 Гб не имеют значения, если вы не делаете покупки у небольших торговых посредников. Их поиск — отличный способ для покупателей, которые хотят всего 16 ГБ, чтобы получить четыре ранга, но их идентификация может быть сложной.

Конечно, можно заглянуть под нижний край теплораспределителя, чтобы определить, имеют ли определенные модули по восемь микросхем с обеих сторон: всякий раз, когда мы замечаем что-то, что отклоняется от нормы, мы упоминаем об этом в наших обзорах.

Заключение: станьте быстрее, быстрее, получите больше

Более высокие скорости передачи данных улучшают производительность в пределах возможностей ЦП и материнской платы. Меньшая задержка увеличивает производительность без увеличения скорости передачи данных. Четыре ранга работают лучше, чем два, до такой степени, что 32 ГБ DDR4-3200 часто превосходят 16 ГБ DDR4-3600.Данные, подтверждающие эти выводы, подробно описаны в нашем недавнем анализе памяти Ryzen 3000.

Теперь, когда мы познакомили вас с некоторыми тонкостями памяти ПК, вы должны знать гораздо больше о том, что именно вы покупаете. В любом случае, не стесняйтесь обращаться к этому онлайн-конфигуратору или офлайн клерку в магазине за помощью в выборе комплекта. Но не позволяйте им навязывать вам комплект с завышенной ценой с задержкой ниже номинальной, рекламируемыми тактовыми частотами, с которыми не может справиться ваш набор микросхем или ЦП, и / или одноранговым комплектом, который заставит ваш ЦП ждать, чтобы решить задачу. .Учитывая большое количество наборов памяти на рынке, почти наверняка доступны лучшие варианты.

БОЛЬШЕ: Best Memory

БОЛЬШЕ: Часто задаваемые вопросы о DDR DRAM и руководство по устранению неполадок

БОЛЬШЕ: Все содержимое памяти

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *